1.一种过欠压自复位保护开关，其特征在于：包括控制芯片、继电器、对市电进行降压的降压电路、为控制芯片提供电源的电源电路、对市电进行检测的检测电路以及控制继电器通断的驱动电路；
所述降压电路包括第一电阻模块、第二电阻模块以及接收控制芯片信号并控制第一电阻模块短路的电子开关模块，所述第一电阻模块和第二电阻模块串联。
2.根据权利要求1所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：所述电子开关模块包括PNP型的三极管Q2和NPN型的三极管Q4，所述三极管Q2的发射极与第一电阻模块的输入端连接，所述三极管Q2的集电极与第一电阻模块的输出端连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q4的集电极连接，所述三极管Q4的基极与控制芯片的引脚RA7连接，三极管Q4的发射极接地。
3.根据权利要求2所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：所述降压电路还包括对市电的火线AC1-IN进行整流的整流模块、电阻R2、电阻R3以及电阻R13，所述第一电阻模块和第二电阻模块串联在整流模块的输出端，所述三极管Q2的基极通过电阻R2与三极管Q4的集电极连接，所述三极管Q4的基极通过电阻R3与控制芯片的引脚RA7连接，整流模块的输出端通过电阻R13与三极管Q4的基极连接。
4.根据权利要求3所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：所述整流模块为二极管D2或整流桥。
5.根据权利要求2所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：所述第一电阻模块包括相互并联的电阻R4和电阻R6，所述第二电阻模块包括相互并联的电阻R7和电阻R14，三极管Q2的发射极与电阻R6的输入端连接，三极管Q2的集电极与电阻R6的输出端连接。
6.根据权利要求1所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：所述电源电路包括电阻R18、稳压二极管ZD2、电容C2、稳压二极管ZD1以及电解电容C1，电阻R18、稳压二极管ZD1以及电解电容C1并联在降压电路的输出端，二级管ZD1的阴极与降压电路的输出端连接，稳压二极管ZD1的阳极接地，电解电容C1的正极与降压电路的输出端连接，电解电容C1的负极接地；稳压二极管ZD2和电容C2并联在电阻R18的输出端，稳压二极管ZD2的阴极与电阻R18的输出端连接，稳压二极管ZD2的阳极接地，电容C2的一端与稳压二极管ZD2的阴极连接，电容C2的另一端接地，控制芯片的引脚VD与稳压二极管ZD2的阴极连接。
7.根据权利要求1所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：所述检测电路包括电阻R8、电阻R17以及电阻R1，电阻R8的一端连接市电的火线AC1-IN，电阻R8的另一端分别连接有电阻R1和R17，电阻R17的输出端与控制芯片的引脚RA1连接，电阻R1的输出端接地。
8.根据权利要求1所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：还包括显示市电状态的显示电路，所述显示电路包括电阻R9、发光二极管D7、电阻R10、发光二极管D5、电阻R11以及发光二极管D9，控制芯片的引脚RC1依次连接电阻R9、正向设置的发光二极管D7并接地，控制芯片的引脚RC2依次连接电阻R10、正向设置的发光二极管D8并接地，控制芯片的引脚RC3依次连接电阻R11、正向设置的发光二极管D9并接地。
9.根据权利要求1所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：所述继电器为12V继电器，所述继电器包括控制引脚K1、控制引脚K2、公共引脚以及触点开关K，所述驱动电路包括MOS管Q1、MOS管Q3、二极管D4、二极管D8、电阻R5、电阻R15、电阻R12以及电阻R16；电阻R5的一端接控制芯片的引脚RA0，电阻R5的另一端接MOS管Q1的栅极，MOS管Q1的漏极接继电器的控制引脚K1，二极管D4的阳极与MOS管Q1的漏极连接，二极管D4的阴极与继电器的公共引脚连接，电阻R15的一端接MOS管Q1的栅极，电阻R15的另一端接地；
电阻R12的一端接控制芯片的引脚RA2，电阻R12的另一端接MOS管Q3的栅极，MOS管Q3的漏极接继电器的控制引脚K2，二极管D8的阳极与MOS管Q3的漏极连接，二极管D8的阴极与继电器的公共引脚连接，电阻R16的一端接MOS管Q3的栅极，电阻R16的另一端接地。
10.根据权利要求1所述的过欠压自复位保护开关，其特征在于：所述控制芯片为单片机。