1.一种电容预充电电路，其特征在于，所述电容预充电电路应用于一种电源电路，所述电源电路包括BOOST电路、BOOST-PFC电路以及交流整流滤波电路；所述电容预充电电路包括：电感L1、开关管Q1、开关管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电压基准、电容C2、二极管D1、驱动控制电路以及电流检测电路；
所述电感L1的一端与所述电源电路的输入端相连接，所述电感L1的另一端与所述二极管D1的正极相连接，所述二极管D1的负极分别与所述开关管Q1的集电极、所述电阻R1的一端以及所述电阻R2的一端相连接；所述电阻R1的另一端与所述开关管Q2的集电极相连接，所述开关管Q2的基极分别与所述电阻R2的另一端以及所述电压基准的第一端相连接，所述开关管Q2的发射极与所述电容C2的一端相连接；所述电阻R3的一端分别与所述驱动控制电路的第一端以及所述电流检测电路的第一端相连接；所述电阻R3的另一端分别与所述电阻R4的一端、所述电压基准的第二端相连接；所述电容C2的另一端分别与所述电阻R4的另一端、所述电压基准的第三端、所述电阻R5的一端以及所述电源电路的输出端相连接；
所述驱动控制电路的第二端与所述电流检测电路的第二端相连接，所述驱动控制电路的第三端与所述开关管Q1的基极相连接；所述开关管Q1的发射极分别与所述电阻R5的另一端以及所述电流检测电路的第三端相连接。
2.根据权利要求1所述的电容预充电电路，其特征在于，所述驱动控制电路为图腾柱电路；
所述图腾柱电路包括开关管Q4以及开关管Q5；
所述开关管Q4的发射极与所述R3的一端相连接；所述开关管Q4的基极分别与所述开关管Q5的基极以及所述电流检测电路中的运算放大器相连接；所述开关管Q4的集电极分别与所述开关管Q5的集电极以及所述开关管Q1的基极相连接；所述开关管Q5的发射极与所述电源电路的输出端相连接。
3.根据权利要求2所述的电容预充电电路，其特征在于，还包括：电阻R6、电阻R7以及二极管D3；
所述电阻R7设于所述电流检测电路以及所述电阻R3的一端的之间；所述电阻R7的一端分别与所述电阻R3的一端以及所述电阻R6的一端相连接，所述电阻R7的另一端分别与所述电流检测电路中的运算放大器以及所述二极管D3的负极相连接；所述二极管D3的正极与所述电源电路的输出端相连接。
4.根据权利要求3所述的电容预充电电路，其特征在于，所述电流检测电流具体包括：运算放大器、电阻R9、电阻R10以及电阻R11；
所述运算放大器的正极与所述电阻R10的一端相连接，所述运算放大器的负极分别与所述电阻R9的一端以及所述电阻R11的一端相连接；所述电阻R10的另一端与所述电阻R5的另一端相连接；所述电阻R11的另一端与所述电阻R6的另一端相连接。
5.根据权利要求4所述的电容预充电电路，其特征在于，还包括：电容C4、电容C5以及电阻R8；
所述电容C4与所述电阻R8并联，且所述电容C4的一端分别与所述电阻R6的另一端以及所述电阻R11的另一端相连接；所述电容C4的另一端分别与所述二极管D3的正极、所述开关管Q5的发射极、所述电容C5的一端以及所述电源电路的输出端相连接；所述电容C5的另一端分别与所述电阻R5的另一端以及所述电阻R10的另一端相连接。
6.根据权利要求5所述的电容预充电电路，其特征在于，所述开关管Q1为N型金属氧化物半导体管、控制开关、双极性器件或场效应器件；
所述开关管Q2为N型金属氧化物半导体管、控制开关、双极性器件或场效应器件；
所述开关管Q4为N型金属氧化物半导体管、控制开关、双极性器件或场效应器件；
所述开关管Q5为N型金属氧化物半导体管、控制开关、双极性器件或场效应器件。
7.根据权利要求1所述的电容预充电电路，其特征在于，所述电感L1为贴片电感、插件电感或由多层印制电路板所绘制的平面电感。
8.根据权利要求1所述的电容预充电电路，其特征在于，所述二极管D1为防反二极管。