选频型分流过流保护电路的制作方法

文档序号:21735861发布日期:2020-08-05 01:32阅读:328来源:国知局
选频型分流过流保护电路的制作方法

本实用新型涉及高频电路领域,尤其是选频型分流过流保护电路。



背景技术:

高频电路在目前的生产生活中使用非常广泛,尤其广泛适用于音频控制领域。高频电路基本上是由无源元件、有源器件和无源网络组成的,高频电路中使用的元器件与低频电路中使用的元器件频率特性是不同的;在高频电路中,输入承载传输的为高频信号,高频信号相比于低频信号,在中高频段的电流相对较大,更容易对电路产生冲击影响,进而导致失真,并且,这种冲击影响很可能造成电路过流承载,容易损坏电路。



技术实现要素:

为了解决上述问题,本实用新型的目的是提供选频型分流过流保护电路,能够实现高频信号比例化分流以及输出补偿,从而能够在保持输出信号完整的情况下,提供对电路的分流过流保护。

为了弥补现有技术的不足,本实用新型实施例采用的技术方案是:

选频型分流过流保护电路,包括信号输入端、第一分流输出端、第二分流输出端、分流输出网络、用于实现高频信号分流的第一选频网络和第二选频网络以及能够对输出的高频信号进行高频补偿的第一高频补偿电容和第二高频补偿电容;

所述第一选频网络包括第一电容和第一电感,所述第二选频网络包括第二电容和第二电感,所述分流输出网络包括npn型三极管、pnp型三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;

所述信号输入端的一路分别通过所述第一电阻、串联相接的所述第一电容和所述第一电感连接到所述npn型三极管的基极,所述信号输入端的另一路分别通过所述第二电阻、串联相接的所述第二电容和所述第二电感连接到所述pnp型三极管的基极;

所述第三电阻和所述第四电阻串联设置于所述npn型三极管的发射极与所述pnp型三极管的发射极之间,所述第一高频补偿电容设置于所述npn型三极管的基极与集电极之间且还与所述第一电容相连接,所述第二高频补偿电容设置于所述pnp型三极管的基极与集电极之间且还与所述第二电容相连接;

所述npn型三极管的集电极连接到第一分流输出端,所述pnp型三极管的集电极连接到第二分流输出端。

本实用新型实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下有益效果:通过两组选频网络可以针对高频信号进行比例化分流,尤其是失真型的高频信号,实现分流传输,可以减少其在中高频段下的电路电流,防止冲击失真;并且,采用专门的第一分流输出端、第二分流输出端和分流输出网络分别实现高频信号的分路输出,保证高频信号输出稳定,各分路输出间不会相互影响,提高安全系数;同时,采用两个高频补偿电容分别针对两组选频网络的输出进行高频补偿,使输入的高频信号的谐波分量保持一致,可维持高频信号输出稳定。因此,本实用新型设计合理,便于制造,能够实现高频信号比例化分流以及输出补偿,从而能够在保持输出信号完整的情况下,提供对电路的分流过流保护。

进一步地,本技术方案还包括第一二极管和第二二极管;所述第一二极管的正极连接到第一分流输出端且负极连接到所述npn型三极管的集电极,所述第二二极管的正极连接到所述pnp型三极管的集电极且负极连接到所述第二分流输出端。

进一步地,本技术方案还包括第一二极管和第二二极管,所述第一二极管的正极连接到第一分流输出端且负极连接到所述npn型三极管的集电极,所述第二二极管的正极连接到所述pnp型三极管的集电极且负极连接到所述第二分流输出端。

进一步地,所述npn型三极管采用s8050芯片、2n5401芯片、s9013芯片或s9014芯片。

进一步地,所述pnp型三极管采用s8550芯片、a1013芯片或a1050芯片。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

下面结合附图给出本实用新型较佳实施例,以详细说明本实用新型的实施方案。

图1是本实用新型实施例的选频型分流过流保护电路的结构示意原理框图;

图2是本实用新型实施例的选频型分流过流保护电路的电路原理图。

具体实施方式

本部分将详细描述本实用新型的具体实施例,本实用新型之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本实用新型的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本实用新型保护范围的限制。

在本实用新型的描述中,如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本实用新型的描述中,除非另有明确的限定,设置、连接等词语应做广义理解,所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。

下面结合附图,对本实用新型实施例作进一步阐述。

参照图1,本实用新型实施例提供的选频型分流过流保护电路,包括信号输入端in、第一分流输出端out1、第二分流输出端out2、分流输出网络100、用于实现高频信号分流的第一选频网络200和第二选频网络300以及能够对输出的高频信号进行高频补偿的第一高频补偿电容c38和第二高频补偿电容c41;

参照图2,所述第一选频网络200包括第一电容c39和第一电感l2,所述第二选频网络300包括第二电容c40和第二电感l3,所述分流输出网络100包括npn型三极管q4、pnp型三极管q7、第一电阻r60、第二电阻r61、第三电阻r54和第四电阻r55;

所述信号输入端in的一路分别通过所述第一电阻r60、串联相接的所述第一电容c39和所述第一电感l2连接到所述npn型三极管q4的基极,所述信号输入端in的另一路分别通过所述第二电阻r61、串联相接的所述第二电容c40和所述第二电感l3连接到所述pnp型三极管q7的基极;

所述第三电阻r54和所述第四电阻r55串联设置于所述npn型三极管q4的发射极与所述pnp型三极管q7的发射极之间,所述第一高频补偿电容c38设置于所述npn型三极管q4的基极与集电极之间且还与所述第一电容c39相连接,所述第二高频补偿电容c41设置于所述pnp型三极管q7的基极与集电极之间且还与所述第二电容c40相连接;

所述npn型三极管q4的集电极连接到第一分流输出端out1,所述pnp型三极管q7的集电极连接到第二分流输出端out2。

在本实施例中,通过两组选频网络可以针对高频信号进行比例化分流,尤其是失真型的高频信号,实现分流传输,可以减少其在中高频段下的电路电流,防止冲击失真;并且,采用专门的第一分流输出端out1、第二分流输出端out2和分流输出网络100分别实现高频信号的分路输出,保证高频信号输出稳定,各分路输出间不会相互影响,提高安全系数;同时,采用两个高频补偿电容分别针对两组选频网络的输出进行高频补偿,使输入的高频信号的谐波分量保持一致,可维持高频信号输出稳定。因此,本实施例设计合理,便于制造,能够实现高频信号比例化分流以及输出补偿,从而能够在保持输出信号完整的情况下,提供对电路的分流过流保护。

具体地,第一电容c39与第一电感l2、第二电容c40与第二电感l3分别串联组成选频网络,使得高频信号通过后能够实现分流输出,且均具有一定的滤波稳压作用;npn型三极管q4与pnp型三极管q7相配合,两者发射极实现连接,能够抑制两路电流间的相互干扰,实现稳定的分流输出,相应地,第三电阻r54和第四电阻r55用于平衡两三极管间的压差,提升电路安全性;第一电阻r60和第二电阻r61用于分别向各自连接的三极管提供高频信号电压输入,由于第一电阻r60和第二电阻r61是分别连接到对应的选频网络的,因此该高频信号电压输入是分流且滤波后的,可防止损坏各自三极管,保证电路安全性。

优选地,所述npn型三极管q4采用s8050芯片、2n5401芯片、s9013芯片或s9014芯片,其性能稳定,具有良好的导通输出能力。

优选地,所述pnp型三极管q7采用s8550芯片、a1013芯片或a1050芯片,其性能稳定,具有良好的导通输出能力。

更进一步地,参照图2,还设置有第一二极管d5和第二二极管d6,所述第一二极管d5的正极连接到第一分流输出端out1且负极连接到所述npn型三极管q4的集电极,所述第二二极管d6的正极连接到所述pnp型三极管q7的集电极且负极连接到所述第二分流输出端out2。在本实施例中,第一二极管d5和第二二极管d6分别为两路输出起到稳压作用,可以隔除分流输出中的部分杂质成分,使得各分路输出稳定性更好。

更进一步地,参照图2,还设置有第五电阻r51和第六电阻r52,所述第五电阻r51和所述第六电阻r52串联接于所述第一高频补偿电容c38和所述第二高频补偿电容c41之间,且所述第五电阻r51和所述第六电阻r52均连接到所述第三电阻r54与所述第四电阻r55之间的联结点。在本实施例中,第五电阻r51和第六电阻r52起到稳压限流作用,可实现对于第一高频补偿电容c38和所述第二高频补偿电容c41的保护。

以上内容对本实用新型的较佳实施例和基本原理作了详细论述,但本实用新型并不局限于上述实施方式,熟悉本领域的技术人员应该了解在不违背本实用新型精神的前提下还会有各种等同变形和替换,这些等同变形和替换都落入要求保护的本实用新型范围内。

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