低残压谐波抑制柜的制作方法

文档序号:23213190发布日期:2020-12-08 13:53阅读:483来源:国知局
低残压谐波抑制柜的制作方法

本实用新型涉及一种低残压谐波抑制柜。



背景技术:

3~35kv中压配网系统中的电压互感器(简称pt),在运行中常受到断路器动作过程中产生的操作过电压、雷电产生的大气过电压、单相接地产生的弧光过电压等几种过电压的影响,而目前大部分在运行的pt设计的过电压励磁倍数,没有达到国家标准的要求,导致在运行时pt因过电压的作用发生磁饱和,引发pt的铁磁谐振,出现pt损坏、pt熔断器爆炸、母线电压大幅下降而发展为大面积停电事故。而目前传统的解决措施不能满足要求,且也无针对这些过电压有个完整的保护方案,易诱发电缆放炮、电动机绝缘击穿、避雷器爆炸和pt烧毁等事故。另一方面,安装在母线上的pt柜内的过电压保护器由于长期承受系统各出线的过电压,其自身的性能和保护水平、电气寿命难以满足运行要求,因此需要低残压谐波抑制柜,而现有的谐波抑制柜结构布置较为繁琐,不利于方便布线。



技术实现要素:

本实用新型目的是提供一种低残压谐波抑制柜,结构简单、紧凑,布置方便。

为了实现以上目的,本实用新型采用的技术方案为:一种低残压谐波抑制柜,包括柜体,柜体的上部设置微机控制器、电压表、智能操控装置、主母排;柜体的中下部设置门电磁锁、观察窗、闭锁机构、辅助开关、操作开关、隔离开关、接地排孔、高压带电传感器、过电压吸收器、pt熔断器、瞬时开关、电压互感器;所述的接地排孔、瞬时开关、电压互感器、过电压吸收器依次隔开固定布置于柜体的底板上,高压带电传感器连接于柜体的隔室板的中段,所述的pt熔断器设置于高压带电传感器与电压互感器之间,pt熔断器与高压带电传感器之间固连有上金属支撑板,pt熔断器与电压互感器之间固连有下金属支撑板,所述的过电压吸收器有线并接于pt熔断器与电压互感器之间的下金属支撑板上。

进一步的,所述的主母排为tmy-80×8单排。

进一步的,所述的微机控制器内设置高速dsp核处理器。

再进一步的,所述的微机控制器上设置有rs485通讯接口。

进一步的,柜体的中部、下部分别设置有观察窗。

进一步的,所述的pt熔断器为高压熔断器。

本实用新型的技术效果在于:本实用新型采用将接地排孔、瞬时开关、电压互感器、过电压吸收器依次隔开固定布置于柜体的底板上,而将高压带电传感器固定设置于柜体的隔室板的中段,这样高压带电传感器与电压互感器上下隔开布置,而在此基础上高压带电传感器、电压互感器与pt熔断器之间的电连接采用具有支撑强度的上金属支撑板、下金属支撑板依次连接及支撑,这样得到稳定的连接、支撑过电压吸收器通过有线接入电压互感器线路中,pt熔断器有效保护线路。本实用新型结构简单、紧凑,布置方便。

附图说明

图1为本实用新型的主视结构图;

图2为本实用新型的侧视结构图;

图3为本实用新型接入中压配网系统的电路结构图;

图1、2中:1、微机控制器;2、电压表;3、操控单元;4、柜体;5、门电磁锁;6、主母排;7、观察窗;8、闭锁机构;9、辅助开关;10、操作开关;11、隔离开关;13、接地排孔;14、高压带电传感器15、过电压吸收器;16、pt熔断器;17、瞬时开关;18、电压互感器;

图3中:隔离开关-gn,低残压抑制器-hdg,单相顺时开关-ptk,非线性电阻消谐阻尼抑制器-hd-lxq,高压熔断器-rd,电压互感器-pt,微机控制器-zk,高压带电显示器-dxn。

具体实施方式

参照附图,一种低残压谐波抑制柜,包括柜体4,柜体4的上部设置微机控制器1、电压表2、智能操控装置3、主母排6;柜体4的中下部设置门电磁锁5、观察窗7、闭锁机构8、辅助开关9、操作开关10、隔离开关11、接地排孔13、高压带电传感器14、过电压吸收器15、pt熔断器16、瞬时开关17、电压互感器18;所述的接地排孔13、瞬时开关17、电压互感器18、过电压吸收器15依次隔开固定布置于柜体4的底板上,高压带电传感器14连接于柜体4的隔室板的中段,所述的pt熔断器16设置于高压带电传感器14与电压互感器18之间,pt熔断器16与高压带电传感器14之间固连有上金属支撑板,pt熔断器16与电压互感器18之间固连有下金属支撑板,所述的过电压吸收器15有线并接于pt熔断器16与电压互感器18之间的下金属支撑板上。

本实用新型采用将接地排孔13、瞬时开关17、电压互感器18、过电压吸收器15依次隔开固定布置于柜体4的底板上,而将高压带电传感器14固定设置于柜体4的隔室板的中段,这样高压带电传感器14与电压互感器18上下隔开布置,而在此基础上高压带电传感器14、电压互感器18与pt熔断器16之间的电连接采用具有支撑强度的上金属支撑板、下金属支撑板依次连接及支撑,这样得到稳定的连接、支撑过电压吸收器15通过有线接入电压互感器18线路中,pt熔断器16有效保护线路。本实用新型结构简单、紧凑,布置方便。

进一步的,所述的主母排6为tmy-80×8单排。

进一步的,所述的微机控制器1内设置高速dsp核处理器。

再进一步的,所述的微机控制器1上设置有rs485通讯接口。

进一步的,柜体4的中部、下部分别设置有观察窗7。

这样位于柜体4的中部、下部设置两个观察窗7,实现对整个柜体4内电气构件的布置检修时可直接观察、检查,十分方便,检修效率得到提高。

进一步的,所述的pt熔断器16为高压熔断器。

结合图3,采用本实用新型低残压谐波抑制柜消除中压配电网系统各种过电压的保护死区。本实用新型的一种低残压谐波抑制柜,是一种低残压抑制保护装置,能够抑制过电压尖峰(采用动态电阻氧化锌阀片),能够大大降低残压值,实现低残压保护,实时监测母线电压。低残压谐波抑制柜内模块化设计,结构紧凑,高速dsp核处理器保证数据运算速度及准确性。工业标准rs485通讯接口,可以远距离传输系统的运行状态,实时对系统谐波含量进行监测。采用本实用新型低残压谐波抑制柜取代pt柜及避雷器柜,性价比高。综上所述,针对目前中压配电系统pt在过电压防护方面存在的难题,采用本实用新型的tlpt-l/d低残压谐波抑制柜(l-抗谐保护;d-低残压保护),该装置为系统提供更完善的母线过电压保护及pt保护。优化系统过电压的保护特性,提高了电网运行安全性和可靠性。本实用新型的tlpt-l/d低残压谐波抑制柜可取代pt柜及避雷器柜。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实例和说明书中描述的只是本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。



技术特征:

1.一种低残压谐波抑制柜,包括柜体(4),柜体(4)的上部设置微机控制器(1)、电压表(2)、智能操控装置(3)、主母排(6);柜体(4)的中下部设置门电磁锁(5)、观察窗(7)、闭锁机构(8)、辅助开关(9)、操作开关(10)、隔离开关(11)、接地排孔(13)、高压带电传感器(14)、过电压吸收器(15)、pt熔断器(16)、瞬时开关(17)、电压互感器(18);其特征在于:所述的接地排孔(13)、瞬时开关(17)、电压互感器(18)、过电压吸收器(15)依次隔开固定布置于柜体(4)的底板上,高压带电传感器(14)连接于柜体(4)的隔室板的中段,所述的pt熔断器(16)设置于高压带电传感器(14)与电压互感器(18)之间,pt熔断器(16)与高压带电传感器(14)之间固连有上金属支撑板,pt熔断器(16)与电压互感器(18)之间固连有下金属支撑板,所述的过电压吸收器(15)有线并接于pt熔断器(16)与电压互感器(18)之间的下金属支撑板上。

2.根据权利要求1所述的低残压谐波抑制柜,其特征在于:所述的主母排(6)为tmy-80×8单排。

3.根据权利要求1所述的低残压谐波抑制柜,其特征在于:所述的微机控制器(1)内设置高速dsp核处理器。

4.根据权利要求3所述的低残压谐波抑制柜,其特征在于:所述的微机控制器(1)上设置有rs485通讯接口。

5.根据权利要求1所述的低残压谐波抑制柜,其特征在于:柜体(4)的中部、下部分别设置有观察窗(7)。

6.根据权利要求1所述的低残压谐波抑制柜,其特征在于:所述的pt熔断器(16)为高压熔断器。


技术总结
本实用新型涉及一种低残压谐波抑制柜,包括柜体,柜体的上部设置微机控制器、电压表、智能操控装置、主母排;柜体的中下部设置门电磁锁、观察窗、闭锁机构、辅助开关、操作开关、隔离开关、接地排孔、高压带电传感器、过电压吸收器、PT熔断器、瞬时开关、电压互感器;所述的接地排孔、瞬时开关、电压互感器、过电压吸收器依次隔开固定布置于柜体的底板上,高压带电传感器连接于柜体的隔室板的中段,所述的PT熔断器设置于高压带电传感器与电压互感器之间,PT熔断器与高压带电传感器之间固连有上金属支撑板,PT熔断器与电压互感器之间固连有下金属支撑板,所述的过电压吸收器有线并接于PT熔断器与电压互感器之间的下金属支撑板上。

技术研发人员:王振
受保护的技术使用者:合肥天力电气技术有限公司
技术研发日:2020.04.13
技术公布日:2020.12.08
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