一种高压启动电路的制作方法

1.本技术涉及电子技术领域，特别是涉及一种高压启动电路。


背景技术：

2.在传统的acdc电源系统中，启动电流一般通过上兆级的电阻来从高压端给芯片的vcc电容提供启动电流。在vcc电容较大的情况下，如果需要提高acdc电源系统的启动速度，就只能选用较小的电阻安装在acdc电源系统中。但是在acdc电源系统启动完成后，这个启动电阻会消耗一定的功率。并且随着电阻的阻值越来越小，功率的损耗就会越来越大。为改善这一状况，电路设计工程师和芯片工艺工程师经过不断努力，终于开发出了适合acdc电源的高压启动电路。适合acdc电源的高压启动电路可以在ac电压较低的时候就能为vcc电容提供较大的恒定充电电流。
3.当前的高压启动电路大多是通过利用nmos的阈值电压vth来恒定充电电流。此结构虽然具有较好的恒流效果，不过在实际的芯片设计上，必须采用集电极-基极短接的npn管串联或者多个齐纳二极管串联的结构来设计二极管d。图1是传统的采用多个串联的齐纳二极管防止vcc电容c反向放电的高压启动电路，参考图1所示。如果vcc的工作范围较高时，串联的集电极-基极短接的npn管的数量或者串联的齐纳二极管的数量就比较多。图2是传统的采用高压njfet的高压启动电路，参考图2所示。随着串联的集电极-基极短接的npn管的数量或者串联的齐纳二极管的数量的不断增加，正向充电时的压降也会随之增加，而带来的负面影响就是高压njfet需要更高的vp。这样不仅会使得acdc电源系统的待机功率增加，而且芯片的面积也会增加。
4.针对上述的现有技术中存在的无法同时满足电源系统的快速启动和降低电源系统启动后的待机功率的技术问题，目前尚未提出有效的解决方案。


技术实现要素：

5.本实用新型提供了一种高压启动电路，以至少解决现有技术中存在的无法同时满足电源系统的快速启动和降低电源系统启动后的待机功率的的技术问题。
6.根据本技术的一个方面，提供了一种高压启动电路，包括：电压源单元、pmos镜像电流源、二极管d以及vcc电容c，其中，电压源单元的输入端与高压电源hv连接，并且电压源单元的输出端与pmos镜像电流源连接，用于将高压电源hv的电压调整到适于施加至pmos镜像电流源的电压；pmos镜像电流源的输入端与电压源单元的输出端连接，并且pmos镜像电流源的输出端与二极管d的阳极连接；二极管d的阴极与vcc电容c的正端连接；以及vcc电容c的正端与二极管d的阴极连接，并且vcc电容c的负端接地。
7.可选地，还包括反馈控制单元，反馈控制单元与pmos镜像电流源连接，用于调节pmos镜像电流源输出的电流。
8.可选地，还包括待机控制单元，待机控制单元的输入端与vcc电容c的正端连接，待机控制单元的输出端与反馈控制单元连接，用于在vcc电容c的正端的vcc电压高于预设阈
值时，关断高压启动电路。
9.可选地，电压源单元包括高压n型jfetnjfet，并且其中高压n型jfetnjfet的漏极与高压电源hv连接、源极与pmos镜像电流源的输入端连接以及栅极接地。
10.可选地，pmos镜像电流源包括第一电阻r3、第一pmos管pm1、第二pmos管pm2，并且其中，第一电阻r3的正极与电压源单元输出端连接，负极分别与第一pmos管pm1的栅极和第二pmos管pm2的栅极连接；第一pmos管pm1的源极与电压源单元的输出端连接，栅极与第一电阻r3连接，漏极与第一nmos管nm1的漏极连接并且第一pmos管pm1的栅极与漏极互相短接；以及第二pmos管pm2的栅极与第一pmos管pm1的栅极连接，漏极与二极管d的阳极连接并且源极与电压源单元的输出端连接。
11.可选地，反馈控制单元包括：第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1以及第二nmos管nm3，并且其中，第二电阻r1正极与电压源单元输出端连接，负极分别与第一nmos管nm1栅极和第二nmos管nm3漏极连接；第三电阻r2正极与第一nmos管nm1的源极连接，负极接地；第一nmos管nm1的漏极分别与第一pmos管pm1的栅极和漏极连接，栅极分别与第二电阻r1的负极和第二nmos管nm3漏极连接；以及第二nmos管nm3栅极分别与第一nmos管nm1源极和第三电阻r2的正极连接，源极接地。
12.可选地，反馈控制单元包括：第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1、第二nmos管nm3以及多个串联的齐纳二极管vz，并且其中，第二电阻r1正极与多个串联的齐纳二极管vz的阳极连接，负极分别与第一nmos管nm1栅极和第二nmos管nm3漏极连接；第三电阻r2正极与第一nmos管nm1的源极连接，负极接地；第一nmos管nm1的漏极分别与第一pmos管pm1的栅极和漏极连接，栅极分别与第二电阻r1的负极和第二nmos管nm3漏极连接；第二nmos管nm3栅极分别与第一nmos管nm1源极和第三电阻r2的正极连接，源极接地；以及多个串联的齐纳二极管vz的阳极与第二电阻r1连接，阴极与电压源单元的输出端连接。
13.可选地，待机控制单元包括：电压检测单元uvlo以及第三nmos管nm2，其中电压检测单元uvlo的输入端与vcc电容c的正端连接，并且电压检测单元uvlo的输出端与第三nmos管nm2的栅极连接，用于在vcc电容c的正端的vcc电压高于预设阈值时，向第三nmos管nm2的栅极施加将第三nmos管nm2导通的导通电压；以及第三nmos管nm2的漏极与第二nmos管nm3的漏极连接，并且第三nmos管nm2的源极接地。
14.从而根据本实施例的技术方案，解决了现有技术中存在的上述问题，并且本实施例适用于涉及将高压启动电路集成于acdc电源芯片中的方面，具有如下优点：
15.1.本实用新型中的高压启动电路实现了电源系统的快速启动；
16.2.本实用新型中的高压启动电路可以降低电源系统启动后的待机功率；
17.3.本实用新型利用内置poms电流镜式的恒流控制电路，可以有效防止因充电电流不恒定对vcc电容的应力影响；
18.4.本实用新型采用pmos作为高压启动电路的充电器件，可以防止在待机时的vcc电容放电；
19.5.将本实用新型中的高压启动电路系统安装于芯片上，可以有效节约芯片的设计和制造成本。
20.根据下文结合附图对本技术的具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本实用新型的上述以及其他目的、优点和特征。
附图说明
21.后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本技术的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：
22.图1是传统的采用多个串联的齐纳二极管的防止vcc电容c反向放电的高压启动电路；
23.图2是传统的采用高压njfet的高压启动电路；
24.图3是根据本技术一个实施例的采用pmos镜像电流源的高压启动电；
25.图4是根据本技术一个实施例的采用pmos镜像电流源并设置有多个串联的齐纳二极管vz的高压启动电路。
具体实施方式
26.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
27.为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
28.需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
29.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
30.根据本实施例的一个方面，提供了一种高压启动电路。图3是根据本技术一个实施例的采用pmos镜像电流源的高压启动电路。参考图3所示，一种高压启动电路100，包括：电压源单元120、pmos镜像电流源110、二极管d以及vcc电容c，其中，电压源单元120的输入端与高压电源hv连接，并且电压源单元120的输出端与pmos镜像电流源110连接，用于将高压电源hv的电压调整到适于施加至pmos镜像电流源110的电压；pmos镜像电流源110的输入端与电压源单元120的输出端连接，并且pmos镜像电流源110的输出端与二极管d的阳极连接；二极管d的阴极与vcc电容c的正端连接；以及vcc电容c的正端与二极管d的阴极连接，并且vcc电容c的负端接地。
31.正如背景技术中所述，当前的高压启动电路大多是通过利用nmos的阈值电压vth来恒定充电电流。此结构虽然具有较好的恒流效果，不过在实际的芯片设计上，必须采用集
电极-基极短接的npn管串联或者多个齐纳二极管串联的结构来设计二极管d。如果vcc的工作范围较高时，串联的集电极-基极短接的npn管的数量或者串联的齐纳二极管的数量就比较多。随着串联的集电极-基极短接的npn管的数量或者串联的齐纳二极管的数量的不断增加，正向充电时的压降也会随之增加，而带来的负面影响就是高压njfet需要更高的vp。这样不仅会使得acdc电源系统的待机功率增加，而且芯片的面积也会增加。
32.针对该技术问题，参考图3所示，本实施例提供了一种高压启动电路100。高压启动电路100中设置有pmos镜像电流源110、电压源单元120、二极管d和vcc电容c。当高压启动电路100为启动状态时，电压源单元120的漏端接收到由高压电源hv传输的高压。电压源单元120在接收到由高压电源hv传输的高压后，将高压降低到适用于pmos镜像电流源110的电压范围之内，从而，采用电压源单元120就可以控制高压启动电路100的电压的大小。其中，为了保证电压源单元120在接收到高压时不会损坏，电压源单元120可承受的最大电压必须要大于高压电源hv的电压。高压启动电路100还包括二极管d和vcc电容c。当使用pmos镜像电流源110将高压启动电路100中的电流维持在一个恒定的状态时，可以有效防止因充电电流不恒定对vcc电容c的应力影响。
33.当高压启动电路100为断开状态时，高压电源hv不再为高压启动电路100提供电压，vcc电容c则开始放电。而pmos镜像电流源110作为充电器件安装在高压启动电路100当中，可以有效防止在待机时vcc电容c的放电。
34.二极管d一般用于防止当高压启动电路100关断时的vcc电容c放电，因此二极管d一般需要很高的击穿电压。但在高压启动电路100当中设置pmos镜像电流源110时，二极管d就不需要很高的击穿电压。该击穿电压只需高于vcc电容c所能够达到的最大电压值vcc
max
与电压源单元120的夹断电压vp的差，即v
bv-d
》vcc
max-vp。因此，设置pmos镜像电流源110的操作可以有效的减少串联的齐纳二极管的个数，从而能够有效的节省芯片的面积。
35.优选地，如果vcc电容c所能够达到的最大电压值vcc
max
小于或等于电压源单元120的夹断电压vp，那么用于防止vcc电容c反向放电的二极管d可以不设置于高压启动电路100中。
36.从而，通过在高压启动电路100中安装pmos镜像电流源110的操作不仅能够为vcc电容c提供恒定电流，而且还能够快速的将vcc电容c上的电压充到启动阈值电压。并且在高压启动电路100中安装pmos镜像电流源110的操作达到了同时满足电源系统的快速启动和降低电源系统启动后的待机功率的技术效果，解决了现有技术中存在的无法同时满足电源系统的快速启动和降低电源系统启动后的待机功率的技术问题。
37.可选地，还包括反馈控制单元130，反馈控制单元130与pmos镜像电流源110连接，用于调节pmos镜像电流源110输出的电流。
38.具体地，参考图3所示，在高压启动电路100中还包括反馈控制单元130。反馈控制单元130能够根据pmos镜像电流源110输出的恒定电流的大小做出反馈，在接收到反馈的结果后改变恒定电流的大小，并将恒定电流的大小设置在适用于vcc电容c的范围内。例如，当由pmos镜像电流源110输出的电流值不在vcc电容c可承受的范围之内时，反馈控制单元130将得到的恒定电流过大的结果，进而降低pmos镜像电流源110输出的恒定电流的大小并将恒定电流的大小恒定在vcc电容c所能承受的范围之内。从而，在高压启动电路100中设置反馈控制单元130的操作达到了能够使得高压启动电路100根据反馈结果随时改变pmos镜像
电流源110输出的恒定电流大小的技术效果，进而使得高压启动电路100不至于因电流过大而发生损坏。
39.可选地，还包括待机控制单元140，待机控制单元140的输入端与vcc电容c的正端连接，待机控制单元140的输出端与反馈控制单元130连接，用于在vcc电容c的正端的vcc电压高于预设阈值时，关断高压启动电路100。
40.具体地，参考图3所示，高压启动电路100还包括待机控制单元140。待机控制单元140的一端与反馈控制单元130连接。当反馈控制单元130检测到vcc电容c两端的电压超出预设的阈值时，待机控制单元140将关断高压启动电路100。而当vcc电容c两端的电压较低需要充电时，待机控制单元140将开启高压启动电路并由高压启动电路100为vcc电容c进行充电。从而，在高压启动电路100中设置待机控制单元140的操作达到了能够根据vcc电容c两端电压的大小随时开启或关断高压启动电路100的技术效果。
41.可选地，电压源单元120包括高压n型jfetnjfet，并且其中高压n型jfetnjfet的漏极与高压电源hv连接、源极与pmos镜像电流源110的输入端连接以及栅极接地。
42.具体地，参考图3所示，高压n型jfetnjfet的漏极与高压电源hv连接，并且高压n型jfetnjfet将接收到的由高压电源hv传输的高压降低。高压n型jfetnjfet的栅极接地，用于对高压n型jfetnjfet元器件进行保护。高压n型jfetnjfet的源极与pmos镜像电流源110的输入端连接，用于将适用于低压元器件的的电压传输至pmos镜像电流源110。从而，将高压n型jfetnjfet设置于高压启动电路100中的操作达到了保护高压启动电路100并且能够将高压降低为适用于低压元器件的电压的技术效果。
43.可选地，pmos镜像电流源包括第一电阻r3、第一pmos管pm1、第二pmos管pm2，并且其中，第一电阻r3的正极与电压源单元输出端连接，负极分别与第一pmos管pm1的栅极和第二pmos管pm2的栅极连接；第一pmos管pm1的源极与电压源单元的输出端连接，栅极与第一电阻r3连接，漏极与第一nmos管nm1的漏极连接并且第一pmos管pm1的栅极与漏极互相短接；以及第二pmos管pm2的栅极与第一pmos管pm1的栅极连接，漏极极与二极管d的阳极连接并且源极与电压源单元的输出端连接。
44.具体地，参考图3所示，第一pmos管pm1和第二pmos管pm2共同构成pmos镜像电流源110。第二pmos管pm2上的电流镜像第一pmos管pm1的电流，并为vcc电容c提供恒定的充电电流。第一电阻r3将第一pmos管pm1和第二pmos管pm2栅极短接，从而能够在vcc电容c两端的电压过高时关断第二pmos管pm2，进而关断了高压启动电路100的启动电流。从而，在高压启动电路100中设置第一电阻r3、第一pmos管pm1、第二pmos管pm2的操作达到了为vcc电容c提供恒定电流并且能够在vcc电容c两端的电压过高时及时关断高压启动电路100中的启动电流的技术效果。
45.可选地，反馈控制单元130包括：第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1以及第二nmos管nm3，并且其中，第二电阻r1正极与电压源单元120输出端连接，负极分别与第一nmos管nm1栅极和第二nmos管nm3漏极连接；第三电阻r2正极与第一nmos管nm1的源极连接，负极接地；第一nmos管nm1的漏极分别与第一pmos管pm1的栅极和漏极连接，栅极分别与第二电阻r1的负极和第二nmos管nm3漏极连接；以及第二nmos管nm3栅极分别与第一nmos管nm1源极和第三电阻r2的正极连接，源极接地。
46.具体地，参考图3所示，反馈控制单元130主要是用于对高压启动电路100中的电压
以及电流做出反馈用于恒定高压启动的充电电流。反馈控制单元130还包括第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1以及第二nmos管nm3，第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1以及第二nmos管nm3共同构成反馈回路并用于设定第一pmos管pm1的电流。从而，在高压启动电路100中设置第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1以及第二nmos管nm3的操作达到了构成反馈回路并保证vcc电容c两端电压和电流恒定的技术效果。
47.可选地，反馈控制单元130包括：第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1、第二nmos管nm3以及多个串联的齐纳二极管vz，并且其中，第二电阻r1正极与多个串联的齐纳二极管vz的阳极，负极分别与第一nmos管nm1栅极和第二nmos管nm3漏极连接；第三电阻r2正极与第一nmos管nm1的源极连接，负极接地；第一nmos管nm1的漏极分别与第一pmos管pm1的栅极和漏极连接，栅极分别与第二电阻r1的负极和第二nmos管nm3漏极连接；第二nmos管nm3栅极分别与第一nmos管nm1源极和第三电阻r2的正极连接，源极接地；以及多个串联的齐纳二极管vz的阳极与第二电阻r1连接，阴极与电压源单元120的输出端连接。
48.具体地，图4是根据本技术一个实施例的采用pmos镜像电流源并有多个串联的齐纳二极管vz的高压启动电路。参考图2所示，反馈控制单元130主要是用于对高压启动电路100中的电压以及电流做出反馈用于恒定高压启动电路的充电电流。反馈控制单元130不仅包括第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1以及第二nmos管nm3，还包括多个串联的齐纳二极管vz。在高压启动电路100中设置多个串联的齐纳二极管vz可以有效降低高压启动电路关断后的待机功率。从而，在高压启动电路100中设置第二电阻r1、第三电阻r2、第一nmos管nm1、第二nmos管nm3以及多个串联的齐纳二极管vz的操作达到了构成反馈回路并降低高压启动电路100关断后待机功率的技术效果。
49.可选地，待机控制单元140包括：电压检测单元uvlo以及第三nmos管nm2，其中电压检测单元uvlo的输入端与vcc电容c的正端连接，并且电压检测单元uvlo的输出端与第三nmos管nm2的栅极连接，用于在vcc电容c的正端的vcc电压高于预设阈值时，向第三nmos管nm2的栅极施加将第三nmos管nm2导通的导通电压；以及第三nmos管nm2的漏极与第二nmos管nm3的漏极连接，并且第三nmos管nm2的源极接地。
50.具体地，参考图3所示，待机控制单元140主要用于控制高压启动电路100的开启和关断，并且待机控制单元140包括电压检测单元uvlo以及第三nmos管nm2。当vcc电容c两端的电压较低且需要充电时，电压检测单元uvlo将关断第三nmos管nm2；当vcc电容c两端的高于预设的阈值时，电压检测单元uvlo将向第三nmos管nm2的栅极施加将第三nmos管nm2导通的导通电压，将第一nmos管nm1的栅极接地并且关断第一nmos管nm1和第一pmos管pm1输出的电流。而第一电阻r3将第一pmos管pm1和第二pmos管pm2的栅极短接，从而可以关断第二pmos管pm2。因此，在高压启动电路100中设置电压检测单元uvlo以及第三nmos管nm2的操作达到了能够根据反馈结果随时控制高压启动电路100的开启和关断的技术效果。
51.从而根据本实施例的技术方案，解决了现有技术中存在的上述问题，并且本实施例适用于涉及将高压启动电路集成于acdc电源芯片中的方面，具有如下优点：
52.1.本实用新型中的高压启动电路实现了电源系统的快速启动；
53.2.本实用新型中的高压启动电路可以降低电源系统启动后的待机功率；
54.3.本实用新型利用内置poms电流镜式的恒流控制电路，可以有效防止因充电电流不恒定对vcc电容的应力影响；
55.4.本实用新型采用pmos作为高压启动电路的充电器件，可以防止在待机时的vcc电容放电；
56.5.将本实用新型中的高压启动电路系统安装于芯片上，可以有效节约芯片的设计和制造成本。
57.本实用新型采用简单的电路结构，既实现了电源系统的快速启动，还可以降低电源系统启动后的待机功率。另外，本实用新型采用内置pmos镜像电流镜110将高压启动电路100中的电流控制在恒定的状态，可以有效防止因充电电流不恒定对vcc电容c产生的应力影响。同时，采用pmos作为高压启动电路的充电器件，可以防止在待机时vcc电容c的放电。
58.本实用新型的特征在于采用多个齐纳二极管和第一电阻r1串联的方式，这样选取较小的r1就可以实现较小的待机功率。因此在芯片的实际生产和制造上可以有效节省第一电阻r1所占的芯片面积。
59.本实用新型通过采用pmos镜像电流源110的方式为vcc电容c提供充恒定充电电流。这样，当高压启动电路100关断时，用于防止vcc电容c通过第二pmos管pm2对高压n型jfetnjfet的源极放电的二极管d就不需要很高的击穿电压，该击穿电压只需高于vcc电容c能达到的最大电压值vcc
max
与高压n型jfetnjfet夹断电压vp的差，即v
bv-d
》vcc
max-vp。这样可以有效的减小集电极-基极短接的npn管或者齐纳二极管串联的个数，有效的节省芯片面积。特别地，如果vcc
max
≤vp，那么这里防止vcc反向放电的二极管d还可以不需要。
60.本实用新型电路结构简单，不仅实现了电源系统的快速启动，还可以通过面积更小和数量更少的电子元器件降低电源系统启动后的待机功率，从而节约了芯片的设计和制造成本。
61.除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
62.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
63.在本实用新型的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词
并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
64.以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。