技术特征：
1.一种电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述电路包括：电阻r1-r5，三极管q1，mosfet管q2，二极管d1-d3；其中，电阻r1的一端连接电源正极、三极管q1的发射极、二极管d3的负极以及mosfet管q2的漏极；电阻r1的另一端连接电阻r2的一端，电阻r2的另一端连接二极管d1的负极，二极管d1的正极接地；所述电阻r1的另一端还连接三极管q1的基极，三极管q1的集电极连接电阻r3的一端，电阻r3的另一端连接电阻r4的一端、二极管d2的负极、二极管d3的正极和mosfet管q2的栅极，电阻r4的另一端和二极管d2的正极均接地；mosfet管q2的源极和衬底相连后与电阻r5的一端相连，电阻r5的另一端接地。2.根据权利要求1所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述三极管q1为pnp型三极管。3.根据权利要求2所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述mosfet管q2为n沟道mosfet管。4.根据权利要求3所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述二极管d1-d3为tvs管。5.根据权利要求4所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述电路还包括二极管d4；二极管d4的正极连接n沟道mosfet管的源极，二极管d4的负极连接n沟道mosfet管的漏极。6.根据权利要求5所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述二极管d4为续流二极管。7.根据权利要求1-6中任一项所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述电阻r1-r4为通用电阻，电阻r1和电阻r2的阻值满足以下关系：r2＞5*r1；电阻r3和电阻r4的阻值满足以下关系：r4＞5*r3。8.根据权利要求7所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述电阻r1-r4的阻值为kω级别。9.根据权利要求7所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述电阻r5为功率电阻，所述电阻r5的阻值为mω级别。10.根据权利要求9所述的电压脉冲吸收电路，其特征在于，所述电阻r5的功率为1w以上，所述电阻r5的耐压性能高于所述电源的正常工作电压的2倍。
技术总结
本实用新型涉及一种电压脉冲吸收电路，属于电压脉冲吸收技术领域，解决了现有电压脉冲吸收电路体积大、价格昂贵等问题。所述电路包括：电阻R1-R5，三极管Q1，MOSFET管Q2，二极管D1-D3；其中，电阻R1的一端连接电源正极、三极管Q1的发射极、二极管D3的负极以及MOSFET管Q2的漏极；电阻R1的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接二极管D1的负极，二极管D1的正极接地；所述电阻R1的另一端还连接三极管Q1的基极，三极管Q1的集电极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端、二极管D2的负极、二极管D3的正极和MOSFET管Q2的栅极，电阻R4的另一端和二极管D2的正极均接地；MOSFET管Q2的源极和衬底相连后与电阻R5的一端相连，电阻R5的另一端接地。电阻R5的另一端接地。电阻R5的另一端接地。
技术研发人员：刘琳
受保护的技术使用者：北京中捷时代航空科技有限公司
技术研发日：2021.12.31
技术公布日：2022/5/24