技术特征：
1.一种微型断路器，包括：通过外部杠杆手动断开或闭合的开关；包括移动阀的磁线圈，所述移动阀用于响应于第一故障事件而与所述开关连接，从而断开所述开关；双金属带，用于响应于第二故障事件而与所述开关连接；以及场效应晶体管(fet)，所述场效应晶体管与所述双金属带串联并热系接到所述双金属带，所述fet具有栅极端子和源极端子，其中所述栅极端子连接到所述源极端子，其中所述双金属带和所述fet在所述第二故障事件期间断开所述开关。2.根据权利要求1所述的微型断路器，其中所述双金属带包括包含第一热膨胀系数的第一金属和包含第二热膨胀系数的第二金属，其中所述第一热膨胀系数不同于所述第二热膨胀系数。3.根据权利要求2所述的微型断路器，其中所述第一金属包括绕组，其中在所述fet热系接到所述双金属带之前，所述绕组被移除。4.根据权利要求1所述的微型断路器，其中所述fet是耗尽型金属氧化物半导体fet(d mosfet)。5.根据权利要求1所述的微型断路器，其中所述fet是结型场效应晶体管(jfet)。6.根据权利要求5所述的微型断路器，其中所述jfet是碳化硅jfet。7.根据权利要求1所述的微型断路器，其中所述第一故障事件是短路。8.根据权利要求1所述的微型断路器，其中所述第二故障事件是过载事件。9.根据权利要求1所述的微型断路器，其中所述双金属带耦接到所述fet的漏极。10.根据权利要求1所述的微型断路器，还包括电弧隔板，用于吸收所述第一故障事件或所述第二故障事件之后的电弧。11.根据权利要求1所述的微型断路器，所述磁线圈还包括移动阀，其中所述移动阀响应于所述第一故障事件而使所述开关断开。12.根据权利要求4所述的微型断路器，其中所述d mosfet是n沟道d mosfet。13.根据权利要求1所述的微型断路器，其中所述双金属带和所述fet不使得所述开关断开所述电路，直到所述第二故障事件已经发生持续了至少两秒钟。14.根据权利要求1所述的微型断路器，还包括电流额定值，其中当接收到所述微型断路器中的所述电流高于所述电流额定值时，所述双金属带和所述fet提供限流。15.一种微型断路器，包括：双金属带，所述双金属带包括细长金属带和缠绕在所述细长金属带周围的金属绕组，其中所述细长金属带响应于所述微型断路器的电流额定值被超过而弯曲；场效应晶体管(fet)，所述场效应晶体管在从所述双金属带上移除所述金属绕组之后，与所述细长金属带串联连接并且热系接到所述细长金属带，所述fet具有连接到源极端子的栅极端子；以及开关，用于响应于超过所述电流额定值的进入的电流而断开，其中所述开关响应于所述细长金属带的弯曲而断开；其中所述额定电流以上的限流由所述fet提供。16.根据权利要求15所述的微型断路器，其中所述fet是金属氧化物半导体fet
(mosfet)。17.根据权利要求16所述的微型断路器，其中所述mosfet是耗尽型mosfet。18.根据权利要求16所述的微型断路器，其中所述fet是结型fet(jfet)。19.根据权利要求18所述的微型断路器，其中所述jfet是碳化硅jfet。20.根据权利要求16所述的微型断路器，其中所述额定电流为1a，并且所述限流为5a。
技术总结
本文公开了通过微型断路器中的耗尽型MOSFET或JFET及双金属温度感测开关实现过电流保护，具体公开了一种用于提供短路和过载保护的微型断路器。微型断路器的特征在于场效应晶体管(FET)，该场效应晶体管可以是耗尽型金属氧化物半导体FET(D MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)或碳化硅JFET，FET连接到双金属开关，其中双金属开关充当温度感测断路器。以结合的方式，D MOSFET和双金属开关能够限制到下游电路组件的电流，从而保护组件免受损坏。从而保护组件免受损坏。从而保护组件免受损坏。
技术研发人员：秦传芳 杜志德
受保护的技术使用者：力特保险丝公司
技术研发日：2022.04.22
技术公布日：2022/10/25