技术特征：
1.一种设有集成磁芯的dd型耦合机构，其特征在于，包括铺设有增强板料的dd型线圈，耦合的两个所述dd型线圈对向设置，每个dd型线圈均设有两个并排且紧贴的d型线圈本体；所述增强材料呈矩形状，且其长度方向的两端为第一增强部、中部为第二增强部，所述第一增强部为铁氧体材料，所述第二增强部为纳米晶材料；所述增强板料位于耦合的两个dd型线圈相背的一面上。2.根据权利要求1所述的设有集成磁芯的dd型耦合机构，其特征在于，所述d型线圈本体的长宽均为a，所述dd型线圈的长度为2a、宽度为a，所述增强板料铺设在所述dd型线圈中部，且所述增强板料的长度占所述dd型线圈的80％～88％。3.根据权利要求1所述的设有集成磁芯的dd型耦合机构，其特征在于，两个所述dd型线圈平行设置且镜像。4.根据权利要求1所述的设有集成磁芯的dd型耦合机构，其特征在于，所述增强板料对称地铺设在所述dd型线圈的中部，所述d型线圈本体的长宽均为210mm，所述增强板料的长度为340mm、宽度为150mm，所述第二增强部的长度为140mm、宽度为150mm。5.根据权利要求4所述的设有集成磁芯的dd型耦合机构，其特征在于，每个所述第一增强部由6根铁氧体磁芯以6x1的方式排列组成，单根所述铁氧体磁芯的长为100mm、宽为25mm、厚为5mm；所述第二增强部由6根纳米晶磁芯以6x1的方式排列组成，单根所述纳米晶磁芯的长为140mm、宽为25mm、厚为4mm。6.根据权利要求1所述的设有集成磁芯的dd型耦合机构，其特征在于，组成所述dd型线圈的两个d型线圈本体的绕线方向相反，一个为顺时针，另一个为逆时针。7.一种设计方法，其特征在于，基于上述权利要求1-6任一所述的设有集成磁芯的dd型耦合机构实施，并包括以下步骤：s1：使增强板料全部由铁氧体磁芯组成，将该增强板料铺设在dd型线圈上；s2：将两个dd型线圈平行设置，且使得铺设增强板料的一侧相背；s3：使用comsol软件进行仿真分析，找到在增强板料上磁通量密度较高的第二增强部，并在增强板料上划定第二增强部的尺寸范围；s4：将增强板料上划定的第二增强部替换为纳米晶磁芯，增强板料的其余部分则继续使用铁氧体磁芯。8.根据权利要求7所述的设计方法，其特征在于，还包括s5:s5-1：使用comsol软件对耦合的两个dd型线圈进行x轴抗偏移仿真分析，得到自感和互感数据，并依此得到两种磁芯的耦合系数与x轴偏移距离的关系，做出耦合系数-x轴偏移距离的曲线，x轴为dd型线圈的宽度方向；s5-2：读取耦合系数最大时的x轴偏移距离，并以该距离对两个dd型线圈在x轴的位置进行设置。9.根据权利要求8所述的设计方法，其特征在于，耦合系数最大时，x轴偏移距离为0，并使y轴参照x轴设置；使得在x、y轴两方向，两个dd型线圈均不进行偏移。10.根据权利要求7所述的设计方法，其特征在于，在s3中：根据铁氧体磁芯的最大磁饱和限值0.45t，将磁通量密度大于或靠近0.45t的部分划分进第二增强部；其中一组参数的设置可为：两个dd型线圈的距离为100mm，d型线圈本体的长宽均为
210mm，dd型线圈的长度为420mm、宽度为210mm，增强板料的长度为340mm、宽度为150mm，第一增强部的长度为100mm、宽度为150mm、厚度为5mm，第二增强部的长度为140mm、宽度为150mm、厚度为4mm。
技术总结
本发明公开了一种设有集成磁芯的DD型耦合机构及设计方法，包括铺设有增强板料的DD型线圈，耦合的两个DD型线圈对向设置，每个DD型线圈均设有两个并排且紧贴的D型线圈本体；增强材料呈矩形状，且其长度方向的两端为第一增强部、中部为第二增强部，第一增强部为铁氧体材料，第二增强部为纳米晶材料；增强板料位于耦合的两个DD型线圈相背的一面上，方法基于结构设计。采用本发明的技术方案，采用COMSOL软件进行仿真模拟，将增强板料的中部替换为纳米晶材料，而纳米晶材料的最大磁饱和限值高，能很好地契合DD型线圈的水平磁场和垂直磁场；即提高了磁通量密度大的位置的磁饱和限值，且减少了铁氧体材料的使用，减少对铁氧体材料的加工处理。工处理。工处理。
技术研发人员：吴晓锐 赵雷 唐春森 肖静 莫宇鸿 梁家添 吴宁 龚文兰 韩帅 陈绍南 陈卫东 郭敏 郭小璇 左志平 王智慧
受保护的技术使用者：重庆大学
技术研发日：2022.07.21
技术公布日：2022/11/11