技术特征：
1.一种电容控制电路，其特征在于，包括：至少一个待测电容；与至少一个所述待测电容数量相同的限流电阻，每个所述限流电阻的一端连接输入电源，每个所述限流电阻的另一端对应连接所述待测电容；检测控制模块，连接所述待测电容，用于将所述待测电容的电流信号转换为电压信号，将所述电压信号进行放大处理后进行过压检测，基于过压检测的结果控制开关管的导通状态；所述开关管，连接在所述待测电容与所述检测控制模块之间，用于在所述待测电容异常时，控制所述开关管不导通，切断电源起到断开保护。2.根据权利要求1所述的电容控制电路，其特征在于，所述开关管为mos管。3.根据权利要求1所述的电容控制电路，其特征在于，所述检测控制模块包括检测电阻，用于将所述待测电容的电流信号转换为电压信号；放大单元，用于对所述电压信号进行放大处理，得到第一电压信号；过压检测单元，用于对所述第一电压信号进行过压检测而输出电平；控制单元，用于根据过压检测的电平控制开关管的导通状态。4.根据权利要求3所述的电容控制电路，其特征在于，所述放大单元包括第一运放器、第一电阻与第二电阻，所述第一运放器的正向输入端连接电压信号，所述第一运放器的负向输入端连接第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接地；所述第二电阻连接在所述第一运放器的负向输入端与输出端之间。5.根据权利要求3或4所述的电容控制电路，其特征在于，所述过压检测单元包括第二运放器、第三电阻与第四电阻，所述第二运放器的正向输入端连接第一电压信号，所述第二运放器的负向输入端分别连接形成分压的过流保护点的第三电阻与第四电阻；所述第二运放器的输出端输出过压检测的电平。6.根据权利要求5所述的电容控制电路，其特征在于，所述控制单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管，其中，所述第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管依次为第一mos管、第二mos管、第三mos管，所述第四晶体管为三极管，所述第一mos管的栅极连接过压检测单元的输出端，所述第一mos管、第二mos管、第三mos管的源极以及三极管的发射极分别接地；所述第一mos管的漏极分别连接三极管的基极、第一缓冲电阻的一端、第二mos管的漏极；所述三极管的集电极分别连接第二缓冲电阻的一端、第二mos管的栅极、第三mos管的栅极；所述第三mos管的漏极分别连接第三缓冲电阻的一端与开关管的栅极，所述第一缓冲电阻、第二缓冲电阻与第三缓冲电阻的另一端分别连接辅助电源。7.根据权利要求6所述的电容控制电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管均为三极管或mos管。8.根据权利要求1所述的电容控制电路，其特征在于，还包括：状态显示模块，连接所述检测控制模块输出端，用于显示电容控制电路的运行状态与运行时间。9.根据权利要求1所述的电容控制电路，其特征在于，还包括：电流检测模块，连接所述待测电容，用于将检测所述待测电容所对应的模拟电流进行实时显示。10.一种电容控制装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一所述的电容控制电路。
技术总结
本申请提供一种电容控制电路及装置，该电路包括至少一个待测电容；与至少一个待测电容数量相同的限流电阻，每个限流电阻的一端连接输入电源，每个限流电阻的另一端对应连接待测电容；检测控制模块，连接待测电容，用于将待测电容的电流信号转换为电压信号，将电压信号进行放大处理后进行过压检测，基于过压检测的结果控制开关管的导通状态；开关管，用于在待测电容异常时，控制开关管不导通，切断电源起到断开保护；本申请通过限流电阻限定了最大电流值，避免了损坏开关管；利用开关管快速的开启与断开，避免了开关抖动，同时，通过检测控制模块来实现快速的短路保护，有效降低电容烧毁程度，有利于分析定位出电容内部缺陷的根本原因。因。因。
技术研发人员：田贵明
受保护的技术使用者：重庆紫光华山智安科技有限公司
技术研发日：2022.08.25
技术公布日：2023/3/21