1.一种半导体电路，其特征在于，包括：集成6通道的hvic芯片、多个电容、多个桥臂电路以及电流保护电路；所述hcic芯片分别与所述多个电容和所述多个桥臂电路电连接，所述多个桥臂电路与所述电流保护电路连接；
2.如权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一下桥臂模块包括第一晶体管和第一快速恢复二极管，所述第一快速恢复二极管的正极连接所述第一晶体管的主发射极，所述第一快速恢复二极管的负极连接所述第一晶体管的集电极，所述第一晶体管的基极和所述第一晶体管的副发射极分别连接所述电流保护电路。
3.如权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述电流保护电路包括：第一电流保护电路、第二电流保护电路和第三电流保护电路，所述第一电流保护电路、所述第二电流保护电路和所述第三电流保护电路分别与所述第一下桥臂模块、所述第二下桥臂模块和所述第三下桥臂模块电连接。
4.如权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述第一电流保护电路、所述第二电流保护电路和所述第三电流保护电路的电路结构相同。
5.如权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述第一电流保护电路包括：信号调理电路、比较电路、驱动电路及逻辑门电路，所述信号调理电路的输入端连接所述第一晶体管的副发射极，所述信号调理电路的输出端连接所述比较电路的输入端，所述逻辑门电路的输入端连接所述比较电路的输出端，所述逻辑门电路的输出端连接所述驱动电路的第一端，所述驱动电路的第二端连接所述第一晶体管的基极。
6.如权利要求5所述的半导体电路，其特征在于，所述信号调理电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、电流采样电阻、第一电容、第二电容以及运算放大器；
7.如权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述多个电容包括第三电容、第四电容和第五电容，所述第三电容的第一端连接于所述第一上桥臂模块和所述第一下桥臂模块之间，所述第三电容的第二端连接所述hvic芯片，所述第四电容的第一端连接于所述第二上桥臂模块和所述第二下桥臂模块之间，所述第四电容的第二端连接所述hvic芯片，所述第五电容的第一端连接于所述第三上桥臂模块和所述第三下桥臂模块之间，所述第五电容的第二端连接所述hvic芯片。
8.如权利要求7所述的半导体电路，其特征在于，所述第一上桥臂模块、所述第二上桥臂模块及所述第三上桥臂模块的结构相同；
9.如权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述hvic芯片包括：3通道高侧驱动电路、3通道低侧驱动电路、电源电路、电源欠压保护电路、以及过流保护电路，所述高侧驱动电路与所述低侧驱动电路之间通过一互锁和死区电路连接，所述电源电路与所述电源欠压保护电路连接，所述过流保护电路分别连接所述高侧驱动电路和所述低侧驱动电路。
10.如权利要求9所述的半导体电路，其特征在于，所述高侧驱动电路包括自举电路和高侧欠压保护电路，所述自举电路与所述电源电路连接。