1.一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，包括嵌入温度监测单元的gan功率器件、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、第一晶体管、比较器、第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3和与门电路；
2.根据权利要求1所述的一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，所述比较器包括第五电阻r5、第六电阻r6、第七电阻r7、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；第一反相器inv1包括第八电阻r8和第六晶体管；第二反相器inv2包括第九电阻r9和第七晶体管；
3.根据权利要求2所述的一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，第三反相器inv3包括第十电阻r10和第八晶体管；第十电阻r10的一端接高电平vdd，第十电阻r10的另一端与第八晶体管的漏极连接，同时连接点为第三反相器inv3的输出端；第八晶体管的栅极为第三反相器inv3的输入端，第八晶体管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管均为增强型gan晶体管。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，所述gan功率器件的元胞结构包括衬底(01)、位于衬底(01)上表面的缓冲层(02)、位于缓冲层(02)上表面的gan沟道层(03)、位于gan沟道层(03)上表面的algan势垒层(04)、源极欧姆金属(08)和漏极欧姆金属(09)；所述gan沟道层(03)与algan势垒层(04)构成异质结；在algan势垒层(04)上表面覆盖有钝化层(07)；algan势垒层(04)和钝化层(07)位于源极欧姆金属(08)和漏极欧姆金属(09)之间，源极欧姆金属(08)和漏极欧姆金属(09)分别位于gan沟道层(03)上表面两端；在源极欧姆金属(08)上表面具有源极场板(10)，将源极场板(10)位于源极场板(10)上方的部分定义为第一垂直场板；第一垂直场板的顶端沿器件横向方向向靠近漏极欧姆金属(09)一侧延伸至器件中部，定义该延伸部分为第一横向场板；第一横向场板的末端沿器件垂直方向向靠近钝化层(07)的一侧延伸，定义该延伸部分为第二垂直场板；第二垂直场板的末端沿器件横向方向向靠近漏极欧姆金属(09)一侧延伸，定义该延伸部分为第二横向场板；第一横向场板、第二垂直场板和第二横向场板形成z字形结构；在第一横向场板的下方具有p-gan帽层(05)，p-gan帽层(05)沿垂直方向贯穿钝化层(07)与algan势垒层(04)直接接触；在p-gan帽层(05)上表面具有栅极金属(06)；在p-gan帽层(05)与漏极欧姆金属(09)之间的钝化层(07)上表面具有温度监测单元(11)，并且第二横向场板位于p-gan帽层(05)与温度监测单元(11)之间的钝化层(07)上方；在p-gan帽层(05)和栅极金属(06)与第一垂直场板、第一横向场板、第二垂直场板和第二横向场板之间填充有隔离层(12)，隔离层(12)还覆盖漏极欧姆金属(09)、温度监测单元(11)和钝化层(07)的上表面，并且隔离层(12)的高度与第一横向场板齐平至完全包裹第二垂直场板和第二横向场板。
6.根据权利要求5所述的一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，所述温度监测单元(11)的材料是ni/au、ti/au、pd/au和ni/au/ni中的任意一种。
7.根据权利要求5所述的一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，所述温度监测单元(11)的横向长度为1～5um。
8.根据权利要求5所述的一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，所述p-gan帽层(05)的厚度为50～80nm。
9.根据权利要求5所述的一种具有嵌入温度监测单元的gan器件的过温保护电路，其特征在于，所述p-gan帽层(05)的掺杂浓度1x1017 cm-3～5x1020cm-3。