1.一种功率半导体器件过电流保护的自适应退饱和检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件过电流保护的自适应退饱和检测方法，其特征在于，根据存储在栅极驱动器内的查找表获取所述功率半导体器件的结温与退饱和电压阈值的对应关系，所述栅极驱动器用于驱动所述功率半导体器件。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件过电流保护的自适应退饱和检测方法，其特征在于，所述查找表通过微控制器传输至所述栅极驱动器内。
4.根据权利要求2所述的功率半导体器件过电流保护的自适应退饱和检测方法，其特征在于，通过功率半导体器件实验表征或者利用功率半导体器件制造商在手册中提供的信息获得所述查找表。
5.根据权利要求2所述的功率半导体器件过电流保护的自适应退饱和检测方法，其特征在于，通过连接在所述栅极驱动器t.meas引脚与com引脚之间的热敏电阻器或热敏二极管获得所述结温。
6.一种栅极驱动器，所述栅极驱动器用于驱动功率半导体器件，其特征在于，所述栅极驱动器包括：
7.根据权利要求6所述的栅极驱动器，其特征在于，所述比较单元为比较器，所述比较器的一个输入端用于输入当前的所述导通电压，另一个输入端连接于所述存储单元的输出端。
8.根据权利要求7所述的栅极驱动器，其特征在于，所述存储单元中存储有查找表，所述查找表记录所述对应关系，所述存储单元的输入为结温，输出为结温对应的退饱和电压阈值。
9.根据权利要求8所述的栅极驱动器，其特征在于，所述检测单元包括连接在所述栅极驱动器t.meas引脚与com引脚之间连接的热敏电阻器或热敏二极管，用于将检测到的所述结温输出给所述存储单元。
10.根据权利要求8所述的栅极驱动器，其特征在于，所述存储器具有串行接口，用于通过微控制器接收所述查找表。