S303)。其结果为，由于充电电池141的充电停止，因此VDD端子111的电压值为恒定值，充放电电流值为零。另外，由于连接了充电装置160，因此V-端子119的电压值为负。
[0085]在打开状态c)下，V-端子119的电压值为零(步骤S304)。除此以外，与在连接了充电装置160的状态b)下转移到温度保护模式之后的状态相同。其中，由于充电停止因此充电电池141的温度随着时间的经过而下降。
[0086]之后，当向连接了负载150的状态d)推移时，V-端子119的电压值上升(步骤S305)，并且充放电电流值为放电电流的值。与此相伴地，CLD端子116的电压值缓缓降低，在达到预定值时(经过延迟时间I时)，延迟电路106针对逻辑部101进行表示连接了负载150的输出(步骤S306)。
[0087]在逻辑部101中，向充电禁止时负载连接模式转移、使OV端子118的输出为高(步骤S307)。由此，不经由寄生二极管121d来进行放电。另外，在OV端子118的输出为高，NMOS晶体管121为导通状态时，V-端子119的电压值降低。
[0088]也就是说，能够通过利用放电电流使V-端子119的电压值上升来检测出连接了负载150。其中，V-端子119的电压值的该变化只在CLD端子116的电压值达到预定值、OV端子118的输出为高为止的延迟时间I的期间显现。
[0089]在连接了负载150的状态d)期间，由于继续放电，因此VDD端子111的电压值随着时间的经过而降低。另外，由于抑制NMOS晶体管121的发热，因此充电电池141的温度也随着时间的经过而下降。
[0090]另一方面，在CLD端子116的电压值随着时间的经过而缓缓地上升，达到预定值(Vref/2)时(经过预定的延迟时间2时)，延迟电路106针对逻辑部101进行表示经过了预定时间的输出(步骤S309)。由此，逻辑部101临时向温度保护模式转移、使OV端子118的输出为低(步骤S310)。
[0091]当OV端子118的输出为低，NMOS晶体管121为截止状态时，通过放电电流使V-端子119的电压值上升。也就是说，通过NMOS晶体管121截止，连接负载作为V-端子119的电压值而显现(步骤S311)。
[0092]此时，CLD端子116的电压值缓缓地降低(步骤S312?S313)。然后，在CLD端子116的电压值达到预定值(Vref/2)时(经过了预定延迟时间I时)，延迟电路106针对逻辑部101进行表示经过了预定时间的输出(步骤S313)。由此，在逻辑部101中再次向充电禁止堵在连接模式转移，使OV端子118的输出为高(步骤S314)。在OV端子118的输出为高、NMOS晶体管121为导通的状态时，V-端子119的电压值降低(步骤S315)。
[0093]也就是说，在充电禁止时负载连接模式下，在经过延迟时间2后，暂时向温度保护模式转移，通过使NMOS晶体管121为截止状态，判定是否连接了负载150 (放电电流是否结束)。若连接了负载150，则在NMOS晶体管121截止期间通过放电电流使V-端子119的电压值上升。因此，通过对NMOS晶体管121截止期间的V-端子119的电压值的变化进行监视，能够判定是否连接了负载150 (放电电流是否结束)。
[0094]以后，只要充电电池141的温度不低于预定的阈值(在图3的示例中为40°C )，在连接了负载150的状态d)继续的期间维持充电禁止时负载连接模式。然后，每经过预定时间，通过暂时向温度保护模式转移，重复判定是否连接了负载(放电电流是否结束)的处理。
[0095]接着，在负载150未连接，向打开状态e)推移时，充放电电流值为零，并且VDD端子111的电压值为恒定值。另外，在该时刻，由于OV端子118的输出为高，因此V-端子119的电压值不变化，在逻辑部101中，不能检测出负载150未连接。
[0096]另一方面，在经过延迟时间2时(步骤S321)，暂时向温度保护模式转移、使OV端子118的输出为低(步骤S322)。在OV端子118的输出为低，NMOS晶体管121为截止状态时，根据V-端子119的电压值，能够判定是否连接了负载150 (放电电流是否结束)。
[0097]在该时刻，由于负载150已经为未连接，因此V-端子119的电压值不会上升，而维持降低(步骤S323)。因此，CLD端子116的电压值也不变化，维持Vref的电压(步骤S324) ο更进一步，继续温度保护模式、维持OV端子118的输出为低。也就是说，重复每经过延迟时间2暂时向温度保护模式转移的处理直到不能检测出连接了负载150为止。
[0098]之后，打开状态e)继续，在充电电池141的温度低于预定的阈值(例如，40°C)时，CTH端子115的电压值缓缓地降低(步骤S331)。然后，在达到预定值时(经过温度检测延迟时间时)，延迟电路103针对逻辑部101进行表示充电电池141的温度低于阈值的输出(步骤 S332) ο
[0099]由此，逻辑部101向通常模式转移，使OV端子118的输出为高(步骤S333)。
[0100]〈总结〉
[0101]从以上的说明中可知本实施方式涉及的电池组140的结构为
[0102].在温度保护模式下，在连接了负载150的情况下(放电电流流动的情况下)，通过向充电禁止时负载连接模式转移、使OV端子118为高从而避免经由寄生二极管121d进行放电。
[0103].在转移到充电禁止时负载连接模式之后，通过按预定时间暂时向温度保护模式转移，使NMOS晶体管121为截止状态。
[0104]?通过对NMOS晶体管121为截止状态下的V-端子119的电压值进行监视，判定是否连接了负载150 (放电电流是否结束)。
[0105]由此，当在温度保护模式下连接了负载150时，经由NMOS晶体管121的寄生二极管121d而进行放电的时间变短，能够抑制电池组140的发热。也就是说，在使用了充电电池的电池组中能够抑制伴随放电的发热。
[0106][第二实施方式]
[0107]在上述第一实施方式中，对在充电禁止时负载连接模式下负载150未连接而向打开状态e)推移的状态下，检测出负载150未连接时的处理进行了说明。
[0108]但是，也设想了在充电禁止时负载连接模式下，当到暂时向温度保护模式转移为止的时间(延迟时间2)长时，与是充电禁止时负载连接模式无关，都为处于连接了充电装置160的状态这样的状况。
[0109]因此，以下对在充电禁止时负载连接模式下，连接了充电装置160的状态下的状况的处理进行说明。
[0110]<电池组中的处理流程>
[0111]图4是表示在充电禁止时负载连接模式下，在暂时向温度保护模式转移为止的延迟时间2期间，连接了充电装置160的状态下的状况的处理流程的时序图。
[0112]另外，图4所示的时序图中的、直到打开状态a)、连接了充电装置160的状态b)、打开状态c)、连接了负载150的状态d)、以及打开状态e)为止的处理与图3相同，因此，在这里省略说明。
[0113]与图3的不同点在于打开状态e)的时间缩短，立即向连接了充电装置160的状态f)推移。
[0114]当向连接了充电装置160的状态f)推移时，在该时刻，OV端子118的输出为高，NMOS晶体管121为导通状态，因此，充电电流流经充放电路径PU P2，进行充电电池141的充电。
[0115]由此，VDD端子111的电压值随着时间的经过而上升。另外，充放电电流值为充电电流的值(步骤S401)。更进一步，由于充电电池141发热，因此充电电池141的温度随着时间的经过而上升。
[0116]这里，在CLD端子116的电压值缓缓地上升，达到预定值(Vref/2)时(经过延迟时间2时)，延迟电路106针对逻辑部101进行表示经过了预定时间的输出(步骤S402)。由此，逻辑部101暂时向温度保护模块转移、使OV端子118的输出为低(步骤S403)。
[0117]在OV端子118的输出变低，NMOS晶体管121为截止状态时，充电电池141的充电停止。由此，VDD端子111的电压值为恒定值，并且充放电电流值为零(步骤S404)。
[0118]这样，在充电禁止时负载连接模式下，在直到暂时转移到温度保护模式为止的周期长时，通过连接充电装置160，使充电电流暂时流动。但是，由于这样的现象是在充电禁止时负载连接模式时产生的现象(即，是由于通过连接负载150，而在暂时进行了放电之后产生的现象