滤波电路单元输出端4与后级ΕΜΙ滤波电路单元或功率变换电路输入端1的连接点；后级功率变换电路输入端1与其内部的整流桥Β1交流输入端10相连；每一个电磁干扰抑制结构Μ的2端连接至对应的ΕΜΙ滤波电路单元输出端5与后级ΕΜΙ滤波电路单元或功率变换电路输入端2的连接点；后级功率变换电路的输入端2与其内部的整流桥Β1交流输入端11相连；各个电磁干扰抑制结构Μ的3端分别通过后级功率变换电路上的输入端7、8、9与后级功率变换电路中整流桥Β1的负端13相连；后级的功率变换电路中整流桥Β1的正端12和负端13分别与功率变换电路的内部电路相连。
[0055]本实施例3，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，而且也不影响电能变化效率。
[0056]实施例4
[0057]图11为本发明电磁干扰抑制结构Μ应用于I类具有多级串联的ΕΜΙ滤波电路单元的电能变换器的再一种实施例。其中，每一个电磁干扰抑制结构Μ的1端连接至对应的ΕΜΙ滤波电路单元输出端4与后级ΕΜΙ滤波电路单元或功率变换电路输入端1的连接点；后级功率变换电路输入端1与其内部的整流桥Β1交流输入端10相连；每一个电磁干扰抑制结构Μ的2端连接至对应的ΕΜΙ滤波电路单元输出端5与后级ΕΜΙ滤波电路单元或功率变换电路输入端2的连接点；后级功率变换电路的输入端2与其内部的整流桥B1交流输入端11相连；各个电磁干扰抑制结构Μ的3端分别通过后级功率变换电路上的输入端7、8、9与后级功率变换电路中整流桥Β1的正端12相连；后级的功率变换电路中整流桥Β1的正端12和负端13分别与功率变换电路的内部电路相连。
[0058]本实施例4，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，而且也不影响电能变化效率。
[0059]实施例5
[0060]图12为本发明电磁干扰抑制结构Μ应用于II类具有多级串联的ΕΜΙ滤波电路单元的电能变换器的另一种实施例。其中，每一个电磁干扰抑制结构Μ的1端连接至对应的ΕΜΙ滤波电路单元输出端4与后级ΕΜΙ滤波电路单元或功率变换电路输入端1的连接点；后级功率变换电路输入端1与其内部的整流桥Β1交流输入端10相连；每一个电磁干扰抑制结构Μ的2端连接至对应的ΕΜΙ滤波电路单元输出端5与后级ΕΜΙ滤波电路单元或功率变换电路输入端2的连接点；后级功率变换电路的输入端2与其内部的整流桥Β1交流输入端11相连；各个电磁干扰抑制结构Μ的3端分别通过后级功率变换电路上的输入端7、8、9与后级功率变换电路中整流桥Β1的负端13相连；后级的功率变换电路中整流桥Β1的正端12和负端13分别与功率变换电路的内部电路相连。
[0061 ] 本实施例5，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，而且也不影响电能变化效率。
[0062]实施例6
[0063]图13为本发明电磁干扰抑制结构Μ应用于II类具有多级串联的ΕΜΙ滤波电路单元的电能变换器的再一种实施例。其中，每一个电磁干扰抑制结构Μ的1端连接至对应的ΕΜΙ滤波电路单元输出端4与后级ΕΜΙ滤波电路单元或功率变换电路输入端1的连接点；后级功率变换电路输入端1与其内部的整流桥Β1交流输入端10相连；每一个电磁干扰抑制结构Μ的2端连接至对应的ΕΜΙ滤波电路单元输出端5与后级ΕΜΙ滤波电路单元或功率变换电路输入端2的连接点；后级功率变换电路的输入端2与其内部的整流桥Β1交流输入端11相连；各个电磁干扰抑制结构Μ的3端分别通过后级功率变换电路上的输入端7、8、9与后级功率变换电路中整流桥Β1的正端12相连；后级的功率变换电路中整流桥Β1的正端12和负端13分别与功率变换电路的内部电路相连。
[0064]本实施例6，提出的电磁噪声抑制电路为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，而且也不影响电能变化效率。
[0065]另外，作为本发明实施例3-6的变化例，各个电磁干扰抑制结构Μ的3端分别还可以分别与后级功率变换电路中整流桥Β1的正端12和负端13相连。
[0066]综上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明的实施范围。即凡依本发明申请专利范围的内容所作的等效变化与修饰，都应为本发明的技术范畴。
【主权项】
1.一种具有电磁干扰抑制结构的电能变换器，它包括功率变换电路和多级串联EMI滤波电路；其特征在于:所述的多级串联EMI滤波电路中的多个EMI滤波电路中至少有一个配备电磁干扰抑制结构； 所述的电磁干扰抑制结构包括至少两个串联连接的电容C1和电容C2 ;所述的电容C1和电容C2串联连接结构的两端分别连接至相应EMI滤波电路的交流输入线；所述的电容C1和电容C2之间的连接点是与后续的功率变换电路的电气连接点连接；所述的电容C1和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。2.根据权利要求1所述的具有电磁干扰抑制结构的电能变换器，其特征在于:所述的多级串联EMI滤波电路中的多个EMI滤波电路中均配备一个电磁干扰抑制结构。3.根据权利要求1或2所述的具有电磁干扰抑制结构的电能变换器，其特征在于:所述的功率变换电路中包括整流桥，每一个电磁干扰抑制结构中电容C1和电容C2之间的连接点均与整流桥的负端连接；所述的电容C1和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。4.根据权利要求1或2所述的具有电磁干扰抑制结构的电能变换器，其特征在于:所述的功率变换电路中包括整流桥，每一个电磁干扰抑制结构中电容C1和电容C2之间的连接点均与整流桥的正端连接；所述的电容C1和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。5.根据权利要求1或2所述的具有电磁干扰抑制结构的电能变换器，其特征在于:所述的功率变换电路中包括整流桥，所有的电磁干扰抑制结构中电容C1和电容C2之间的连接点中有的与整流桥的正端连接、有的与整流桥的负端连接；所述的电容C1和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。
【专利摘要】本发明涉及一种具有电磁干扰抑制结构的电能变换器。它包括功率变换电路和多级串联EMI滤波电路；所述的多级串联EMI滤波电路中的多个EMI滤波电路中至少有一个配备电磁干扰抑制结构；所述的电磁干扰抑制结构包括至少两个串联连接的电容C1和电容C2；所述的电容C1和电容C2串联连接结构的两端分别连接至相应EMI滤波电路的交流输入线；所述的电容C1和电容C2之间的连接点是与后续的功率变换电路的电气连接点连接；所述的电容C1和电容C2可用等效的容性阻抗器件替代。本发明中的电磁干扰抑制结构为电磁噪声提供了新的高频噪声电流内部环路，大大缩小了电磁噪声电流的传播回路面积，显著减弱了电磁噪声对外环境的影响，同时不会增加漏电流，而且也不影响电能变化效率。
【IPC分类】H02M1/44
【公开号】CN105356740
【申请号】CN201510844890
【发明人】黄敏超
【申请人】黄敏超
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年11月27日