一种并联igbt驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于太阳能逆变器技术领域，具体涉及一种并联IGBT驱动电路。
【背景技术】
[0002]太阳能逆变器中，IGBT(英文全称为:InsulatedGate Bipolar Transistor ;中文名称为:绝缘栅双极晶体管)并联技术应用广泛，然而在实现IGBT并联时需要解决的关键性技术问题是均流和损耗。当并联的两个IGBT不均流，即一路IGBT中的电流很大，而另一路IGBT中的电流很小时，电路总损耗将大大高于两路电流相同时的损耗。另外，IGBT的损耗主要包括导通损耗和开关损耗，导通损耗和开关损耗的大小与通过IGBT的电流大小有关，当流过IGBT的电流越小时损耗越小。
[0003]现有技术中对于并联IGBT的驱动，普遍采用的手段是由两块驱动芯片分别驱动两个IGBT，每一驱动芯片在前级连接一 PWM控制信号。但上述手段在实际应用时存在缺陷:驱动芯片由于自身存在的个体差异性，输出的驱动信号不一致，引起两个IGBT开通和关断不同步，这样会使两个IGBT因不均流而导致总损耗增加；这种情况下的IGBT也极易受到损坏；另外，还需要保证两PWM控制信号具有很高的同步性。
[0004]鉴于上述已有技术，有必要对现有的并联IGBT驱动电路的结构加以改进，为此，本申请人作了有益的设计，下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的在于提供一种并联IGBT驱动电路，能解决因驱动芯片的个体差异而带来的不均流问题，降低IGBT的损坏率，同时还可以降低IGBT的导通损耗和开关损耗。
[0006]本实用新型的目的是这样来达到的，一种并联IGBT驱动电路，其特征在于:包括驱动芯片Ul、PWM控制电路、第一门极驱动电阻电路以及第二门极驱动电阻电路，所述的驱动芯片Ul的输入端A连接所述的PWM控制电路，所述的第一门极驱动电阻电路的输入端和第二门极驱动电阻电路的输入端共同连接所述的驱动芯片Ul的输出端0UT，第一门极驱动电阻电路的输出端连接第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的门极G1，第二门极驱动电阻电路的输出端连接第二绝缘栅双极晶体管IGBT2的门极G2。
[0007]在本实用新型的一个具体的实施例中，所述的驱动电路还包括第一二极管Dl和第二二极管D2，所述的第一二极管Dl的负极和第二二极管D2的负极共同连接所述的驱动芯片Ul的电源正端Vcc，第一二极管Dl的正极连接第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的门极G1，第二二极管D2的正极连接第二绝缘栅双极晶体管IGBT2的门极G2。
[0008]在本实用新型的另一个具体的实施例中，所述的驱动电路还包括第一滤波吸收电路和第二滤波吸收电路，所述的第一滤波吸收电路的输入端连接所述的第一门极驱动电阻电路的输出端，第一滤波吸收电路的输出端连接第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的门极Gl ；所述的第二滤波吸收电路的输入端连接所述的第二门极驱动电阻电路的输出端，第二滤波吸收电路的输出端连接第二绝缘栅双极晶体管IGBT2的门极G2。
[0009]在本实用新型的又一个具体的实施例中，所述的第一门极驱动电阻电路与第二门极驱动电阻电路的结构相同，第一门极驱动电阻电路包括第一电阻R1、第二电阻R2以及第三二极管D3，所述的第一电阻Rl的一端与第三二极管D3的负极连接，构成第一串联电路，所述的第二电阻R2的一端和第一电阻Rl的另一端连接，并作为第一门极驱动电阻电路的输入端连接所述的驱动芯片Ul的输出端0UT，第二电阻R2的另一端与第三二极管D3的正极连接，并作为第一门极驱动电阻电路的输出端连接所述的第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的门极Gl ;第二门极驱动电阻电路包括第三电阻R3、第四电阻R4以及第四二极管D4，所述的第三电阻R3的一端与第四二极管D4的负极连接，构成第二串联电路，所述的第四电阻R4的一端与第三电阻R3的另一端连接，并作为第二门极驱动电阻电路的输入端连接所述的驱动芯片Ul的输出端0UT，第四电阻R4的另一端与第四二极管D4的正极连接，并作为第二门极驱动电阻电路的输出端连接所述的第二绝缘栅双极晶体管IGBT2的门极G2。
[0010]在本实用新型的再一个具体的实施例中，所述的第一滤波吸收电路和第二滤波吸收电路的结构相同，第一滤波吸收电路包括第一电容Cl、第五电阻R5以及第一瞬变电压抑制二极管TVS1，所述的第一电容Cl、第五电阻R5以及第一瞬变电压抑制二极管TVSl并联连接在第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的门极Gl与发射极El之间；所述的第二滤波吸收电路包括第二电容C2、第六电阻R6以及第二瞬变电压抑制二极管TVS2，所述的第二电容C2、第六电阻R6以及第二瞬变电压抑制二极管TVS2并联连接在第二绝缘栅双极晶体管IGBT2的门极G2与发射极E2之间。
[0011]本实用新型由于采用了上述结构，通过一路PWM控制信号和一驱动芯片来驱动并联连接的两路IGBT，由于驱动信号的同步性高，流过两个IGBT的电流分配平均，避免了由于驱动芯片的个体差异带来的不均流问题，可保护IGBT不易受损坏，同时还可以降低两个IGBT的导通损耗和开关损耗；仅用一驱动芯片即可实现两路IGBT的驱动，与现有技术相比节省了一驱动芯片，从而能节约成本，提高效率；第一二极管D1、第二二极管D2分别构成第一、第二门极电压钳位电路，由于增设了第一、第二门极电压钳位电路以及第一、第二滤波吸收电路，可避免两个IGBT因门极驱动电压过高而发生损坏，提高了使用安全性和可靠性。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型一实施例的电连接原理图。
[0013]图2为本实用新型一应用例的电连接原理图。
[0014]图3为图2所示应用例中的Boost电路的电连接原理图。
【具体实施方式】
[0015]申请人将在下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】详细描述，但申请人对实施例的描述不是对技术方案的限制，任何依据本实用新型构思作形式而非实质的变化都应当视为本实用新型的保护范围。
[0016]请参阅图1，本实用新型涉及一种并联IGBT驱动电路，包括驱动芯片U1、PWM控制电路、第一门极驱动电阻电路以及第二门极驱动电阻电路。所述的驱动芯片Ul的作用是驱动和隔离，其输入端A连接PWM控制电路，从PWM控制电路接收一 PWM控制信号，驱动芯片Ul和PWM控制电路均可沿用现有技术。所述的第一门极驱动电阻电路的输入端和第二门极驱动电阻电路的输入端共同连接所述的驱动芯片Ul的输出端OUT，第一门极驱动电阻电路的输出端连接第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的门极G1，第二门极驱动电阻电路的输出端连接第二绝缘栅双极晶体管IGBT2的门极G2。所述的驱动电路还包括第一二极管Dl和第二二极管D2，所述的第一二极管Dl的负极连接所述的驱动芯片Ul的电源正端Vcc，第一二极管Dl的正极连接第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的门极G1，由此构成第一门极电压钳位电路，用于将驱动电压钳位，从而保证驱动电压在第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的驱动范围之内，所述的第二二极管D2的负极连接所述的驱动芯片Ul的电源正端Vcc，第二二极管D2的正极连接第二绝缘栅双极晶体管IGBT2的门极G2，由此构成第二门极电压钳位电路，用于将驱动电压钳位，从而保证驱动电压在第二绝缘栅双极晶体管IGBT2的驱动范围之内。
[0017]所述的第一门极驱动电阻电路与第二门极驱动电阻电路的结构相同。具体的，第一门极驱动电阻电路包括第一电阻R1、第二电阻R2以及第三二极管D3，所述的第一电阻Rl的一端与第三二极管D3的负极连接,构成第一串联电路,所述的第二电阻R2的一端和第一电阻Rl的另一端连接，并作为第一门极驱动电阻电路的输入端连接所述的驱动芯片Ul的输出端0UT，第二电阻R2的另一端与第三二极管D3的正极连接，并作为第一门极驱动电阻电路的输出端连接所述的第一绝缘栅双极晶体管IGBTl的门极G1。第二门极驱动电阻电路包括第三电阻R3、第四电阻R4以及第四二极管D4，所述的第三电阻R3的一端与第四二极管D4的负极连接，构成第二串联电路，所述的第四电阻R4的一端与第三电阻R3的另一端连接，并作为第二门极驱动电阻电路的输入端连接所述的驱动芯片Ul的输出端0UT，第四电阻R4的另一端与第四二极管D4的正极连接，并作为第二门极