栅极接半桥驱动电路一中二极管DD2的阳极，Ql的源极接悬浮地Blfloatgnd，Q2的栅极接半桥驱动电路一中二极管DD3的阳极，Q2的源极接地，Q3的栅极接半桥驱动电路二中二极管DE3的阳极，Q3的源极接悬浮地B2floatgnd，Q4的栅极接半桥驱动电路二中二极管DE3的阳极，Q4的源极接地，QU Q3的漏极相连，外部直流电压施加在Ql、Q3的漏极与地之间，悬浮地Blfloatgnd、B2floatgnd为交流电压输出节点。Csnubber为逆变电路的缓冲电容，防止MOSFET过压击穿，Csnubber跨接在Ql、Q3的漏极与地之间。其它组成及连接关系与【具体实施方式】四相同。
[0017]以上的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围。
【主权项】
1.一种用于高压试验电源的高频逆变电路，其特征在于:所述高频逆变电路包括供电电源电路、PWM发生电路、全桥驱动电路和全桥逆变主电路，供电电源电路为PWM发生电路、全桥驱动电路供电，PWM发生电路产生PWM信号并发送给全桥驱动电路，全桥驱动电路将PWM信号进行隔离与功率放大并用于驱动全桥逆变主电路中的MOSFET，全桥逆变主电路将外部直流电压转变为交流电压输出。
2.根据权利要求1所述的用于高压试验电源的高频逆变电路，其特征在于:所述供电电源电路由12伏工频变压器、工频整流桥和线性稳压模块组成，工频整流桥由二极管DSM1、DSM2、DSM3和DSM4组成，线性稳压模块由线性稳压芯片及滤波电容CSM1、CSM2、CSM3和CSM4组成，工频变压器ICSMl的1、5脚接220伏交流，ICSMl的7脚连接二极管DSMl的阳极与DSM3的阴极，ICSMl的9脚连接二极管DSM2的阳极与DSM4的阴极，DSMl的阴极与DSM2的阴极相连并连接极性电容CSMl的正极、非极性电容CSM2的一端与稳压芯片SI的IN引脚，DSM3的阳极与DSM4的阳极相连并连接极性电容CSMl的负极、非极性电容CSM2的另一端与稳压芯片SI的GND脚；极性电容CSM3、非极性电容CSM4跨接在SI的GND、+12V脚之间，CSM3的正极连接+12V引脚、负极连接GND引脚；S1的+12V引脚输出为正十二伏电压，GND引脚接地。
3.根据权利要求1或2所述的用于高压试验电源的高频逆变电路，其特征在于:所述PWM发生电路由PWM控制芯片Cl及其周边电路组成，电阻RCl跨接在芯片Cl的In.1p脚和Vref脚之间，电容CC4、电阻RC2跨接在Cl的In.1p脚与地之间，电阻RC3跨接在Cl的n0.1p脚与地之间，电容CCl跨接在Cl的CT脚与地之间，电阻RC4跨接在Cl的CT脚和Disc脚之间，可变电阻RC7与电阻RC4相串联后跨接在Cl的RT脚与地之间，极性电容CC2的正极接Soft-S脚与地之间、负极接地，极性电容电容CC5正极接VCC引脚、负极接地，电容CC6跨接在Cl的VCC脚与GND脚之间，电阻RC6、电容CC3相并联后跨接在Cl的shut脚与地之间，Cl的GND脚接地、VC与VCC脚接正十二伏电源，Cl的comp脚悬空，Cl的OpA、OpB脚为互补PWM信号输出引脚，用于连接全桥驱动电路。
4.根据权利要求3所述的用于高压试验电源的高频逆变电路，其特征在于:所述全桥驱动电路由半桥驱动电路一和半桥驱动电路二组成，两者电路拓扑结构完全相同，均由半桥驱动芯片及其周边电路组成； 半桥驱动电路一的半桥驱动芯片El的LO脚连接二极管DD3的阴极与电阻RD2，二极管DD3与电阻RD2相并联，电阻RD4跨接在二极管DD3的阳极与地之间，DD3的阳极连接全桥逆变主电路，El的COM脚经电阻RDOO接地，El的VCC脚连接正十二伏电源，电容⑶4跨接在El的COM脚与VCC脚之间，极性电容CD5的正极接El的VCC引脚、负极接El的COM引脚，El的VS脚接电阻RDO，RT脚接二极管DDl阴极，DDl阳极接正十二伏电源，电容⑶3跨接在El的VS脚、VB脚之间，El的LO脚连接二极管DD2的阴极与电阻RD1，二极管DD2与电阻RDl相并联，DD2的阳极连接全桥逆变主电路，电阻RD3跨接在DD2阳极与悬浮地Blfloatgnd之间，El的VDD脚连接正十二伏电源，极性电容⑶I的正极接El的VDD脚、负极接地，电容⑶2跨接在El的VDD脚与SD脚之间，El的SD脚、VSS脚接地，PWM输入引脚Hin、Lin脚分别连接Cl的OpA, OpB脚； 半桥驱动电路二的半桥驱动芯片E2的LO脚连接二极管DE3的阴极与电阻RE2，二极管DE3与电阻RE2相并联，电阻RE4跨接在二极管DE3的阳极与地之间，DE3的阴极连接全桥逆变主电路，E2的COM脚经电阻REOO接地，El的VCC脚连接正十二伏电源，电容CE4、跨接在E2的COM脚与VCC脚之间，极性电容CE5的正极接E2的VCC引脚、负极接E2的COM引脚，E2的VS脚接电阻REO，RT脚接二极管DEl阴极，DEl阳极接正十二伏电源，电容CE3跨接在E2的VS脚、VB脚之间，E2的LO脚连接二极管DE2的阴极与电阻RE1，二极管DE2与电阻REl相并联，DE2的阳极连接全桥逆变主电路，电阻RE3跨接在DE2阳极与悬浮地B2floatgnd之间，E2的VDD脚连接正十二伏电源，极性电容CEl的正极接E2的VDD脚、负极接地，CE2跨接在E2的VDD脚与SD脚之间，El的SD脚、VSS脚接地，PWM输入引脚Hin、Lin脚分别连接Cl的OpB、OpA脚。
5.根据权利要求4所述的用于高压试验电源的高频逆变电路，其特征在于:所述全桥逆变主电路由四个桥臂及缓冲电容组成，MOSFET半导体开关Q1、Q2、Q3、Q4分别与快恢复二极管D1、D2、D3、D4反并联组成逆变电路的四个桥臂，四个桥臂的MOSFET型号相同；Q1的栅极接半桥驱动电路一中二极管DD2的阳极，Ql的源极接悬浮地Blfloatgnd，Q2的栅极接半桥驱动电路一中二极管DD3的阳极，Q2的源极接地，Q3的栅极接半桥驱动电路二中二极管DE3的阳极，Q3的源极接悬浮地B2floatgnd，Q4的栅极接半桥驱动电路二中二极管DE3的阳极，Q4的源极接地，QU Q3的漏极相连，外部直流电压施加在Ql、Q3的漏极与地之间，悬浮地Blfloatgnd、B2floatgnd为交流电压输出节点；Csnubber为逆变电路的缓冲电容，防止MOSFET过压击穿，Csnubber跨接在Ql、Q3的漏极与地之间。
【专利摘要】用于高压试验电源的高频逆变电路，涉及一种高频逆变电路，为了解决现有的高压试验电源存在的体积、重量大的问题。供电电源为各模块供能，PWM发生电路产生PWM信号并发送给全桥驱动电路，全桥驱动电路将PWM信号进行隔离与功率放大并用于驱动全桥逆变主电路中的MOSFET，全桥逆变主电路将外部直流电压转变为交流电压输出。通过将整流后的工频交流电转换成高频交流电后输出升压，能够大大降低试验电源中升压变压器等磁性元件的体积，从而实现电源小型化、便携性好的目的。主电路中的MOSFET支持电源输出频率的广范围调节，可方便地与各种高频变压器相匹配，简化高压试验电源的设计并大大降低其体积与重量。
【IPC分类】H02M7-5395, H02M7-5387
【公开号】CN204559432
【申请号】CN201520328406
【发明人】陈庆国, 赵丰, 康守强, 王新宇, 池明赫
【申请人】哈尔滨理工大学
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年5月20日