一种新型高压igbt模块的安装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种高压电力电子器件安装技术领域，具体涉及一种新型高压IGBT模块的安装结构。
【背景技术】
[0002]IGBT模块具有开关频率高、导通功耗小及门极控制方便等优点，在大功率变换系统中被广泛使用。为了获取高精度的控制效果，如法国ALSTOM公司开发的四电平电容式整流逆变中压变频器VDM6000等一些中压或者高压变频器中，其触发系统设计采用了只有在低压变频器中才采用的IGBT触发板与IGBT高压驱动模块直接贴合安装在一起，从而将触发线路的分布电容降低到最低限度，以确保高频触发脉冲的高保真性，同时也大大减小了IGBT触发板的体积，集成化程度高。然而该安装结构的变频器在长期使用中经常因为IGBT的高压驱动模块的冷却能力不足、IGBT触发板上触发电阻因靠近高发热部位损坏、IGBT触发板上功率电阻损坏导致电源输出端击穿等因素引起IGBT高压驱动模块损坏，进而引发IGBT触发板的损坏，具有较高的故障率，影响了设备的稳定运行，带来了较大的经济损失。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种在保证高集成化程度的同时，能够有效降低IGBT触发板故障次数和故障时间的新型高压IGBT模块的安装结构。
[0004]本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种新型高压IGBT模块的安装结构，包括IGBT触发板，其特征在于:所述IGBT触发板上架空插接一芯片底座，所述芯片底座上固定连接一 IGBT高压驱动模块。
[0005]为了合理完善布线工艺，减少局部温度对IGBT触发板参数的影响，所述IGBT触发板上的功率电阻布局设置在IGBT触发板上的低发热位置。
[0006]为了提高电阻功率，降低电阻损坏率，所述IGBT触发板上的触发电阻选用高功率电子，即电阻的功率由1/4W改型为0.5W电阻。
[0007]优选地，所述芯片底座的板面距离所述IGBT触发板的高度为3mm。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的优点在于:该新型高压IGBT模块的安装结构非常简单实用，通过芯片底座避免IGBT触发板和IGBT高压驱动模块直接接触，在保证整体高集成化程度的同时，增加了 IGBT触发板和IGBT高压驱动模块间的空气流通，提高了 IGBT高压驱动模块的散热能力，避免因IGBT高压驱动模块过度发热引起的IGBT触发板损坏，从而大大降低了整个变频器的故障次数和故障时间，使得设备能够得以正常运行，提高了生产效率。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型实施例中新型高压IGBT模块的安装结构的示意图。
【具体实施方式】
[0010]以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
[0011]如图1所示，本实施例中的新型高压IGBT模块的安装结构，包括IGBT触发板1、芯片底座2和IGBT高压驱动模块3。
[0012]其中芯片底座2采用高度为3mm的标准芯片底座2，该标准芯片底座2即为国际通用的2.54±0.25mm技术规范，芯片底座2上具有多个针脚，芯片底座2通过针脚架空插接在IGBT触发板I上，而IGBT高压驱动模块3则固定连接在该芯片底座2上，并通过该芯片底座2与IGBT触发板I实现连接。该安装结构避免了 IGBT触发板I和IGBT高压驱动模块3之间的直接接触，在保证高集成化程度的基础上，能够实现IGBT触发板I和IGBT高压驱动模块3间的良好通风，同时芯片底座2上的针脚散热性能相较于IGBT高压驱动模块3的连接针脚散热性能更好且接触更加可靠。如此即大大降低了 IGBT高压驱动模块3在工作过程中的温度，从而有效降低了因IGBT高压驱动模块3温度过高引起的IGBT触发板I损坏故障。
[0013]与此同时，IGBT触发板I上的功率电阻11布局设置在IGBT触发板I上的低发热位置。避免功率电阻11集中在高发热位置，从而合理完善IGBT触发板I的布线工艺，避免功率电阻11发热叠加其他器件发热造成的局部温度过高而损坏功率电阻11，有效保证了IGBT触发板I的正常运行。此外IGBT触发板I上的触发电阻12功率由1/4W改型为0.5W,提高电阻功率，降低电阻损坏率，从而控制因功率电阻11损坏导致IGBT触发板I的电压输出端击穿的现象。
[0014]该新型高压IGBT模块的安装结构适用于IGBT触发板I与IGBT高压驱动模块3直接连接的变频器中，能够大大降低了整个变频器的故障次数和故障时间，使得设备能够得以正常运行，提高了生产效率。
【主权项】
1.一种新型高压IGBT模块的安装结构，包括IGBT触发板(I)，其特征在于:所述IGBT触发板(I)上架空插接一芯片底座(2)，所述芯片底座(2)上固定连接一 IGBT高压驱动模块⑶。2.根据权利要求1所述的新型高压IGBT模块的安装结构，其特征在于:所述IGBT触发板(I)上的功率电阻(11)布局设置在IGBT触发板(I)上的低发热位置。3.根据权利要求1所述的新型高压IGBT模块的安装结构，其特征在于:所述IGBT触发板(I)上的触发电阻(12)改型为高功率电阻。4.根据权利要求1?3任一权利要求所述的新型高压IGBT模块的安装结构，其特征在于:所述芯片底座⑵的板面距离所述IGBT触发板⑴的高度为3mm。
【专利摘要】本实用新型涉及一种新型高压IGBT模块的安装结构，包括IGBT触发板，其特征在于：所述IGBT触发板上架空插接一芯片底座，所述芯片底座上固定连接一IGBT高压驱动模块。该新型高压IGBT模块的安装结构非常简单实用，通过芯片底座避免IGBT触发板和IGBT高压驱动模块直接接触，在保证整体高集成化程度的同时，增加了IGBT触发板和IGBT高压驱动模块间的空气流通，提高了IGBT高压驱动模块的散热能力，避免因IGBT高压驱动模块过度发热引起的IGBT触发板损坏，从而大大降低了整个变频器的故障次数和故障时间，使得设备能够得以正常运行，提高了生产效率。
【IPC分类】H05K7/20, H02M1/00, H02M1/08
【公开号】CN204681236
【申请号】CN201520304082
【发明人】李实 , 程金山, 钱华
【申请人】宁波宝新不锈钢有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年5月11日