Rgc智能充电器的制造方法

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Rgc智能充电器的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及电动汽车领域技术,尤其是指一种电动汽车的RGC智能充电器。
【背景技术】
[0002]随着低碳经济成为我国经济发展的主旋律,电动汽车作为新能源战略和智能电网的重要组成部分,必将成为今后汽车工业和能源产业发展的重点,相配套的电动汽车充电器也将成为一种新兴产业,其技术要求和革新也提上日程。
[0003]传统充电器采用相控电源,所使用的变压器是工频电源变压器,体积大,效率低,动态响应差,安全系数低,保护作用不好,容易起鼓包。目前,市面上的乘用电动轿车充电器有类似于解决此种问题的方案产品,但所不同的是:主电路设计冗余,控制电路为模拟电路,在目前电网环境下显得非常不可靠。
【实用新型内容】
[0004]有鉴于此,本实用新型针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种RGC智能充电器,解决传统充电器成本高、效率低、易造成电池损坏等等问题。
[0005]为实现上述目的,本实用新型采用如下之技术方案:
[0006]一种RGC智能充电器,包括隔离与充放电电路、数字触发电路、CMOS开关驱动与可控硅触发电路、调压可控硅移相触发电路、保护电路、控制电路电源,各电路通过电源端口电连接。
[0007]本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知,由于本设计用CMOS开关与可控硅等开关元件代替传统的变压器,采用电容充放电方式给电池充电,所采用控制方案为全数字电路,解决传统充电器成本高、效率低、易造成电池损坏等等问题,具有使用成本低、安全可靠、充电效率高、通过脉冲充电、能把坏电池修复、能够有效隔离,延长电池寿命。
[0008]为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型之实施例的隔离与充放电电路图;
[0010]图2是本实用新型之实施例的隔离与充放电电路波形图;
[0011 ]图3是本实用新型之实施例的数字触发电路图;
[0012]图4-1是本实用新型之实施例的CMOS开关驱动与可控硅触发电路图;
[0013]图4-2是本实用新型之实施例的调压可控硅移相触发电路图;
[0014]图5是本实用新型之实施例的保护电路图;
[0015]图6是本实用新型之实施例的控制电路电源图。
[0016]附图标识说明:
[0017]10、隔离与充放电电路20、数字触发电路
[0018]30、CM0S开关驱动与可控硅触发电路 40、调压可控硅移相触发电路
[0019]50、保护电路60、控制电路电源。
【具体实施方式】
[0020]请参照图1至图6所示,其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构,是一种电动汽车的RGC智能充电器,包括隔离与充放电电路10、数字触发电路20、CM0S开关驱动与可控硅触发电路30、调压可控硅移相触发电路40、保护电路50、控制电路电源60。
[0021 ] 其中,如图1所示,所述隔离与充放电电路10包括元件:二极管D24、D27、D29、D31,电阻1?34、1?37、1?38、1?43、1?44、1?47、1?48、1?49,可控硅03、04、05、012,0105开关06、09,电容(:16、(:17,保险丝卩1,电源端口北4、1104、1114、1124、1134、1144,电池组8厶1',各元件电相连。
[0022]通过电源端口 J14-A的1-2脚输入正弦波上半周时,当调压可控硅Q12进入已设置的触发点区上(上半周期虚线线段区域),如图2所示:可控硅Q12导通,经Q12整流的直流电压给C17正极充电。充电回路经D27、R47、R48、F1、J14-A4-5与电源组成回路。当时间经过过零点时,可控硅Ql 2因电流为零而自动关闭。
[0023]当时间进入数字电路设置的电容C17放电区域中(下半周期实线线段区域),CM0S开关Q9、与可控硅Q5同时导通。电容C17上的正极电压通过D29、R44、Q9给电池组BAT充电,充电回路通过Q5流向Cl 7负极。
[0024]当调压可控硅Q3进行数字电路设置的正弦波下半周时,电源端口J14-A的4-5脚输入正弦波下半周电压,当时间进入已设置的触发点区(下半周期虚线线段区域),如图2所示:可控硅Q3导通,下半周期的电压经Fl、R47、Q3整流向C16正极充电,充电回路经D31流向电源端口 J14-A的1-2脚。
[0025]当时间进入数字电路设置的电容C16放电区域中(上半周期实线线段区域),CM0S开关Q6、与可控硅Q4同时导通。电容C16上的正极电压通过D24、R34、Q6给电池组BAT充电。充电回路通过Q4流向C16负极。
[0026]电路中Q3、Q12为调压作用。Q4、Q5为市电隔离作用。Q6、Q9除了给电容放电也起到市电隔离作用。
[0027]如图3所示,所述数字触发电路20包括元件:集成芯片1]1、1]5、1]7、1]24、1]28、1]2(:、U2D、U3A、U3B、U3C、U3D、U4A、U4B、U4C、U4D、U6A、U6B、U6C、U6D,电源接口 J1-A、J2_A、J3_A、了4-八、了5-厶、了6-厶、了7-厶,二极管01、02、03、04、05、06、07、08、09、010、011、012、013、014、032、D33,%WC1、C2、C3、C4、C5、C6,%?R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16,三极管Q1、Q 2,各元件电相连。
[0028]由U7组成的时基电路连续输出一个ImS方波脉冲信号,分别经过R7、R14输出到Ul、U5的CLK端。触发Ul、U5进行计数。
[0029]Jl-A与控制电源Jl-B连接,Jl-B为可控硅触发同步信号源,Jl-A第一脚为正弦波正半周信号,当时间进入上半周期时,Dl有电压通过,Ql导通,U3A输出高电平,U3F输出低电平,输入到U5的CLK时基信号经DlO被U3F吸收掉。U5禁止计数。D8为负半周整流二极管,在上半周期时无电压流过,Q2截止,U3D输出低电平,U3C输出高电平,D3截止。Ul在时基信号触发下进行计数(U1、U5为十进制计数器,计数时可分别从QO到Q9输出高电平XUl的QO到Q3设置为电容C16放电区域(电池充电时间),当开始计数后Ul的QO到Q3分别会有高电平输出时,分别通过D4到D7经过J2-A输出到CMOS触发电路上(与图4-2相同),如图1所示:可控硅Q4与CMOS开关Q6会同时导通。完成电容C16的放电过程(对电池充电过程)。
[0030]Q5到Q8为上半周期给C17充电区域。当计数器Ul计数到Q5端有高电平时,信号通过选通门U2A输出到U4A输入端,U4B输出高电平,通过R9,J4-A (通过触发电路4-1)触发可控硅Q12导通,Q12导通会给电容C17充电。然后Q12在进入过零点时会自动关闭。计数器每一次计数为ImS,从QO到Q9计数正好为I OmS,为半个周期。
[0031]当进入到下半个周期时,D8有电压通过,Q2导通,U3D输出高电平,U3C输出低电平,输出到Ul的CLK时基信号经D3被U3C吸收掉。同理:U5开始计数,当U5的QO到Q3分别有高电平输出时,会分别通过D11到D14经过J5-A输出到CMOS触发电路上(如图4_2所示)。如图1所示:可控硅Q5与CMOS开关Q9会同时导通。完成上半周期时的对电池充电过程(对C17放电过程)。同样:当计数器U5计数到Q5端有高电平时,通过选通门U6A输出到U4C,U4D输出高电平,通过R16,J7-A(触发电路与图4-1相同)触发可控硅Q3导通。Q3导通会给电容C16充电。然后Q3在进入过零点时会自动关闭。
[0032]在经过正弦波的过零点时,U3A、U3D都会输出低电平,给分电容C4、C6开始充电,由于电容量非常小,这个过程会使U3B、U3E瞬间输出窄脉冲用于给Ul、U5进行计数前复位。
[0033]Ul和U5的Q4输出端没有采用,是为充电过程到放电过程留一个缓冲区,以防电源干扰。
[0034]CMOS开关与可控硅触发电路如图4-1、4_2所示:
[0035]其中,如图4-1所示的CMOS开关驱动与可控硅触发电路30包括元件:电源接口J5-
8、了12-8、111-8,光电耦合器1]13、1]14,电阻1?54、1?55、1?56、1?57,晶体管016、017、018,各元件电相连。
[0036]由图3中的J5-A插入图4-1的J5-B插座中。电路中开关信号由J5-B的3脚输入到U13和U14光电耦合器上,可控硅的阳极接在J12-B的第I脚上,阴极接在第3脚上,第2
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