专利名称：充电电路和/或放电电路及使用它们的载波检测电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及按固定电流对电容进行充电或放电的至少其中之一的充放电电路，以及使用该电路的载波检测电路，该充放电电路用于所谓的红外线遥控接收机和包含载波的信号的解调器等，形成载波检测电平。
背景技术：
所述红外线遥控接收机在向小型化发展，可以由将外装的光电二极管连接到IC芯片的双芯片构成。因此，以是否检测载波来进行充电/放电、其输出电压为载波检测电平的电容作为可装入所述IC芯片内的微量电容，需要高精度地保持微小的充放电电流。
图5表示所述红外线遥控接收机1的一构成例的方框图，图6是该接收机1的各部的波形图。该接收机1将红外线的发送代码信号由外装的光电二极管2变换成如图6(a)所示的光电流信号Iin，输入到集成电路化的接收芯片3，将该接收芯片3解调后的如图6(e)所示的输出信号RXOUT输出到控制电子设备的微计算机等中。所述红外线信号是按30～60kHz左右的预定的载波调制的ASK(Amplitude Shift Keying；振幅键控)信号。
在所述接收芯片3内，所述图6(a)表示的光电流信号Iin在初级放大器(HA)4、第2.级放大器(2nd AMP)5和第3级放大器(3rd AMP)6中被依次放大，在适合载波频率的带通滤波器(BPF)7中取出图6(b)的参照标号α1所示的载波分量。然后，通过所述载波分量在下级的检波电路8中按参照标号α2表示的载波检测电平Det被检波，进而在积分电路9中在如图6(d)的参照标号α11所示的载波的某个时间内进行积分，该积分输出Int在磁滞比较器10中与参照标号α12所示的预定门限电平进行比较，从而判别载波的有无，数字输出作为所述图6(e)所示的输出信号RXOUT。
在所述初级放大器4的输出端设置低通滤波器11，由此检测荧光灯或太阳光产生的光电流的直流电平，通过下级的第2级放大器5从初级放大器4的直接输出中除去其直流电平部分，来除去所述荧光灯或太阳光产生的影响。此外，设置与所述初级放大器4相关联的ABCC(Auto Bias Current Control；自动偏置电流控制)电路12，通过该ABCC电路12，对应于所述低通滤波器11的输出来控制初级放大器4的直流偏置。而且，设置与带通滤波器7相关联的fo微调电路13，通过对在从未图示的分压电阻的连接点引出的端子TRM1～TRM5间设置的未图示的齐纳二极管进行微调，来调整该带通滤波器7的中心频率fo。
图7是所述检波电路8和积分电路9的等效电路图。这些检波电路8和积分电路9及所述磁滞比较器10构成载波检测电路。检波电路8从带通滤波器7的输出Sig中生成载波检测电平Det，积分电路9将所述输出Sig与所述载波检测电平Det进行比较，对其比较结果进行积分。
检波电路8由检波器21和充放电电路22构成，检波器21检测具有图6(c)的参照标号α21所示的要检测的载波频率的脉冲组，充放电电路22将该输出Vc1与基准电压V1进行比较，通过以该比较决定的脉冲组存在的时间ton和不存在的时间toff来进行积分，即对内置的未图示的电容分别进行充电或放电，从而决定与输入信号对应的载波检测电平Det。
因此，载波检测电平Det为满足以下条件的电平。
ton×Ij＝toff×If…(1)其中，Ij是充电电流，If是放电电流。
所述时间ton、toff按照载波检测电平Det来变动，如果载波检测电平Det上升，则时间ton减少，时间toff增加。于是，满足式1的电平、即充电的电荷量和放电的电荷量相等的电平为载波检测电平。作为一例，如果充放电电流相等、即Ij≈If，则根据所述式1变成ton≈toff，载波可接收50％的发送信号。如果超过50％，则充电量增大，载波检测电平Det上升，接收灵敏度下降。因此，将具有超过50％的载波的信号判断为噪声，进行噪声和载波的分离。荧光灯起辉器(inverter)的噪声载波是连续振荡载波，所以接近100％。
另一方面，将发送信号中的所述时间ton的比例称为duty比(占空率)，用下式表示。
duty＝ton/(ton+toff)＝1/(1+Ij/If)…(2)而且，各公司的红外线遥控的发送信号有所不同，所述duty比为10～60％，幅度宽。为了可接收duty比高的发送信号，需要减小所述充电电流Ij，抑制载波检测电平Det的上升，保持接收灵敏度。但是，如果将可接收duty比设定得高，则即使对于所述荧光灯起辉器的噪声载波来说，载波检测电平Det也不上升，所以难以进行噪声和载波的分离，成为不可接收或错误操作的主要原因。而且，在集成电路(IC)中，在所述电流Ij、If中，需要考虑工艺参数的偏差和周围温度的变动等，所述可接收duty比包含这些这些变动，需要满足规格范围。
这里，作为所述充放电电路22使用的典型的现有技术的充放电电路31示于图8。该充放电电路31由电容c2、输出微小电流的比较电路32、输入微小电流的缓冲器电路33构成。在该结构中，表示检波器21的输出Vc1不是原封不动地输入到比较电路32，而按所述图6(c)所示的输入其反向输出Vc1-1的情况例。
在比较电路32中，向形成对的晶体管qn1、qn2的基极分别提供所述反向输出Vc1-1和来自基准电压源34的基准电压V1。晶体管qn1、qn2的发射极通过恒流源f1被接地，晶体管qn1的集电极被连接到高电平的电源Vcc，晶体管qn2的集电极通过晶体管qn3连接到所述电源Vcc。所述恒流源f1从晶体管qn1、qn2的发射极抽取固定电流Ij0，从所述晶体管qn3的基极取入与所述反向输出Vc1-1和基准电压V1的差分对应的电流。根据所述晶体管qn3的基极电流Ij1，形成晶体管qp1的发射极电流。该晶体管qp1的发射极电流返回到构成电流镜电路的晶体管qp3、qp4，并作为晶体管qp2的发射极电流来提供。该晶体管qp2根据发射极电流来形成基极电流，该基极电流作为所述充电电流Ij输出到电容c2。
此外，缓冲器电路33将来自所述电容c2的成为放电电流If的偏置电流提供给输入的晶体管qn4的基极。所述晶体管qn4的发射极通过恒流源f2与形成对的晶体管qn5的发射极一起被接地，而这些晶体管qn4、qn5的集电极分别通过以相互相等的面积构成电流镜电路的晶体管qp5、qp6连接到所述电源Vcc。在晶体管qn5的基极和电源Vcc之间，插入基极连接在该晶体管qn5的集电极和所述晶体管qp6的集电极之间的晶体管qn6，从这些晶体管qn5的基极和晶体管qn6的发射极中，输出所述载波检测电平Det。在所述晶体管qn5的基极上，还连接抽取固定电流的恒流源f3。
通过这样的结构，在输入载波时，所述检波器21的反向输出Vc1-1为低电平，对电容c2以所述充电电流Ij进行充电，而在不输入载波时，所述反向输出Vc1-1成为高电平，从电容c2以所述放电电流If进行放电。然后，利用晶体管qp2、qn4的基极电流，获得微小电流Ij、If，实现长时间的时间常数，使电容c2成为可内置在所述接收芯片3内的电容。
在上述这样构成的充放电电路31中，虽然由恒流源f1和晶体管qn1、qn2形成的、作为晶体管qn3的基极电流Ij1取出的电流与所述充电电流Ij相等是理想的，但存在因晶体管qp1、qp2的厄利效应而产生误差的问题。所述厄利效应对于晶体管的集电极电流Ic的集电极-发射极间电压Vce存在依赖性，一般由下式表示。
Ic＝Is(1+Vce/Va)exp(Vbe/Vt)…(3)其中，Is是饱和电流，Va是厄利电压，Vt＝kT/q(k玻尔兹曼常数，T绝对温度，q电子的净电荷)。
因此，如果晶体管qp1、qp2的集电极-发射极间电压分别为Vce(qp1)、Vce(qp2)，电容c2的充电电压为Vc2，则按Vce(qP1)＝Vcc-Vbe(qp3)…(4)Vce(qp2)＝Vc2+Vbe(qp2)…(5)来表示。
因此，晶体管qp1的集电极-发射极间电压Vce(qp1)具有正的温度依赖性(一般地，Vbe的温度依赖性为-2mV/℃)，晶体管qP2的集电极-发射极间电压Vce(qp2)具有负的温度依赖性，所述电流Ij1和Ij之间的误差以2Vbe的温度依赖性增大。此外，所述电容c2的充电电压为Vc2，由载波检测电平Det来决定、变动。
因此，可理解Vce(qp1)≠Vce(qp2)，所述厄利效应产生的误差。考虑到该厄利效应，为了形成满足规格范围的可接收的duty，而将该duty比设定得高，因而难以进行所述荧光灯起辉器的噪声和载波的分离，成为不可接收和错误操作的主要原因。
此外，可接收duty比根据上述式2由充放电电流比Ij/If来决定。这里，充电电流Ij和放电电流If分别按下式表示。
Ij＝Ij0/β(qn3)-If0/2β(qn4)…(6)If＝If0/2β(qn4)…(7)其中，β是晶体管的电流放大率，依赖于集电极电流的值。
因此，为了使电流放大率β相等，需要使晶体管的集电极电流相等。在图8的现有的充放电电路31中，晶体管数目是qn3(m)∶qn4(n)＝1∶1。在将可接收duty比设定为50％时，根据上述式6、7，如果Ij0＝If0，则晶体管qn4的集电极电流是晶体管qn3的集电极电流的1/2，β(qn3)≠β(qn4)，在充放电电流上产生微小的误差。
发明内容
本发明的目的在于提供可以形成正确的充电电流和/或放电电流的充电电路和/或放电电路，以及使用它们的载波检测电路。
为了实现上述目的，本发明的充电电路以P型晶体管的基极电流对电容进行充电，其特征在于，该充电电路包括形成所述充电的基准电流的基准电流形成部件；返回所述基准电流并供给作为所述P型晶体管的发射极电流的电流镜电路；以及在所述基准电流形成部件中，使从所述电流镜电路取出所述基准电流的输出级晶体管和所述P型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等的偏置电压源。
根据上述结构，在以P型晶体管的基极电流产生的微小电流对电容进行充电的充电电路中，用电流镜电路返回基准电流形成部件形成的基准电流，并提供作为所述P型晶体管的发射极电流，通过偏置电压源，使基准电流形成部件的输出级的晶体管和所述P型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
因此，降低依赖于所述发射极-集电极间电压的集电极电流，从而降低所述基极电流变化的晶体管的厄利效应产生的充电电流的误差，可以形成正确的充电电流。
本发明的放电电路从电容以N型晶体管的基极电流进行放电，其特征在于，该放电电路包括基准电流形成部件，形成所述放电的基准电流；电流镜电路，返回所述基准电流，并将其取出作为所述N型晶体管的发射极电流；以及在所述基准电流形成部件中，将所述基准电流提供给所述电流镜电路的输出级的晶体管，以及使所述N型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等的偏置电压源。
根据上述结构，在从电容以N型晶体管的基极电流产生的微小电流进行放电的放电电路中，用电流镜电路返回由基准电流形成部件形成的基准电流，并取出作为所述N型晶体管的发射极电流，通过偏置电压源，使作为基准电流形成部件的输出级的晶体管和所述N型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
因此，降低依赖于所述发射极-集电极间电压的集电极电流，从而降低所述基极电流变化的晶体管的厄利效应产生的放电电流的误差，可以形成正确的放电电流。
此外，本发明的充放电电路用晶体管的基极电流对电容进行充放电，其特征在于，按与充放电的电流比所对应的并联个数来形成将恒流源形成的电流分别变换成用于充电和用于放电的所述基极电流的晶体管。
根据上述结构，用与各个集电极电流值对应的个数的并联的晶体管来构成将恒流源的电流分别变换成用于充电和用于放电的基极电流的晶体管。
因此，使一个晶体管中流动的集电极电流相等，降低电流放大率造成的误差，可以形成正确的充放电电流。
而且，本发明的载波检测电路的特征在于使用上述任何一个充电电路和/或放电电路，来形成载波检测电平。
根据上述结构，通过以所述微小的电流的晶体管的基极电流对电容进行充电和/或放电，形成以比较大的时间常数变化的所有载波检测电平，所以可以减小载波检测电路中的积分电路的电容。
本发明的其他目的、特征和优点通过以下所示的记述将会变得更加清楚。此外，本发明的好处在参照附图的以下说明中将变得明显。
图1是构成接收机的检波电路的本发明的第1实施例的充放电电路的电路图。
图2是本发明第2实施例的充放电电路的电路图。
图3是本发明第3实施例的充放电电路的电路图。
图4是本发明第4实施例的充放电电路的电路图。
图5是表示红外线遥控的接收机的一结构例的方框图。
图6(a)～图6(e)是图5所示的接收机的各部的波形图。
图7是所述接收机中的检波电路和积分电路的等效电路图。
图8是构成所述检波电路的典型的现有技术的充放电电路的电路图。
具体实施例方式
以下，根据图1来说明本发明的第1实施例。
图1是本发明第1实施例的充放电电路41的电路图。该充放电电路41由电容C2、输出微小电流的比较电路42、输入微小电流的缓冲器电路43构成。在该结构中，表示检波器21的输出Vc1不是原封不动地被输入到比较电路42，而是如图6(c)所示，输入其反向输出Vc1-1的情况例。
在比较电路42中，向形成差动对的晶体管QN1、QN2的基极分别提供所述反向输出Vc1-1和来自基准电压源44的基准电压V1。晶体管QN1、QN2的发射极通过恒流源F1被接地，晶体管QN1的集电极被连接到高电平的电源Vcc，晶体管QN2的集电极通过晶体管QN3连接到所述电源Vcc。所述恒流源F1从晶体管QN1、QN2的发射极抽取固定电流Ij0，从所述晶体管QN3的基极取入与所述反向输出Vc1-1和基准电压V1的差分对应的电流。根据所述晶体管QN3的基极电流Ij1，形成晶体管QP1的发射极电流。该晶体管QP1的发射极电流(基准电流)返回到构成电流镜电路的晶体管QP3、QP4，并提供作为晶体管QP2的发射极电流。该晶体管QP2根据发射极电流来形成基极电流，该基极电流作为所述充电电流Ij输出到电容C2。
此外，缓冲器电路43将来自所述电容C2的成为放电电流If的偏置电流提供给输入的晶体管QN4的基极。所述晶体管QN4的发射极通过恒流源F2与形成对的晶体管QN5的发射极一起被接地，而这些晶体管QN4、QN5的集电极分别通过以相互相等的面积构成电流镜电路的晶体管QP5、QP6连接到所述电源Vcc。在晶体管QN5的基极和电源Vcc之间，插入基极连接在该晶体管QN5的集电极和所述晶体管QP6的集电极之间的晶体管QN6，从这些晶体管QN5的基极和晶体管QN6的发射极中，输出所述载波检测电平Det。在所述晶体管QN5的基极上，还连接抽取固定电流的恒流源F3。
通过这样的结构，在输入载波时，所述检波器21的反向输出Vc1-1为低电平，对电容C2以所述充电电流Ij进行充电，而在不输入载波时，所述反向输出Vc1-1成为高电平，从电容c2以所述放电电流If进行放电。然后，利用晶体管QP2、QN4的基极电流，获得微小电流Ij、If，实现长时间的时间常数，使电容C2成为可内置在所述接收芯片3内的电容。
应该注意的是，在本实施例中，对晶体管QP1的集电极提供如下设定的来自电压源45的电压Vref。这里，假设晶体管QP1、QP2的集电极-发射极间电压分别为Vce(QP1)、Vce(QP2)，电容C2的充电电压为VC2，可变成下式。
Vce(QP1)＝Vcc-Vbe(QP3)-Vref…(8)Vce(QP2)＝VC2+Vbe(QP2) …(9)因此，通过将所述电压Vref设定为Vce(QP1)≈Vce(QP2)的电压，可以降低所述厄利效应造成的影响。
此外，构成晶体管QN3、QN4的并联晶体管数目为与各自的集电极电流值对应的晶体管数目，即，如果分别以m个和n个来表示，则QN3(m)∶QN4(n)＝Ij0∶If0/2 …(10)另一方面，晶体管QN4、QN5为差动对，所以晶体管数目相同。
因此，使一个晶体管中流动的集电极电流相等，可以降低电流放大率β造成的误差。
将以上进行归纳，本实施例的充放电电路41被用于红外线遥控的接收机等，由检测载波有无的载波检测电路根据接收信号Vc1-1来形成载波检测电平Det。所述充放电电路41用QP1来放大由作为基准电流形成部件的QN1、QN2、QN3、F1形成的电流Ij1，并用电流镜电路QP3、QP4返回，提供作为所述P型晶体管QP2的发射极电流，通过偏置电压源45，使基准电流形成部件的输出级的晶体管QP1和所述P型晶体管QP2的发射极-集电极间电压大致相等。由此，可以降低依赖于所述发射极-集电极间电压的集电极电流，从而降低因所述基极电流变化的厄利效应产生的充电电流Ij的误差。
下面，根据图2来说明本发明的第2实施例。
图2是本发明第2实施例的充放电电路51的电路图。该充放电电路51与所述充放电电路41类似，对与相对应的部分附以相同的参照标号，并省略其说明。应该注意的是，在本实施例中，晶体管QP1的集电极代替所述电压源45并通过晶体管QP7被接地，该晶体管QP7的发射极连接到所述晶体管QP1的集电极，集电极被接地，而基极连接在所述晶体管QN2、QN3间。
此外，应该注意的是，晶体管QP2的集电极通过晶体管QP8被接地，该晶体管QP8的发射极连接到所述晶体管QP2的集电极，集电极被接地，通过二极管D1向基极提供作为该缓冲器电路53的输出的所述载波检测电平Det(与所述VC2大致相等)。
通过这样的结构，晶体管QP1、QP2的集电极-发射极间电压Vce(QP1)、Vce(QP2)为Vce(QP1)＝(Vcc-Vbe(QP3))-(Vcc-Vbe(QP3)-Vbe(QP1)-Vbe(QN3)+Vbe(QP7))＝Vbe …(11)Vce(QP2)＝(VC2+Vbe(QP2))-(VC2(＝Det)-VD1(＝Vbe)+Vbe(QN8)＝Vbe …(12)因此，变成Vce(QP1)＝Vce(QP2)，可以进一步降低所述厄利效应产生的影响。此外，晶体管QP1、QP2的集电极-发射极间电压Vce(QP1)、Vce(QP2)都具有Vbe的温度依赖性，所以可以降低电流Ij1、Ij的温度依赖性产生的误差的增大。
下面，根据图3来说明本发明的第3实施例。
图3是本发明第3实施例的充放电电路61的电路图。该充放电电路61与所述充放电电路41类似，对与相对应的部分附以相同的参照标号，并省略其说明。应该注意的是，在本实施例中，比较电路62省略了所述晶体管QN2和基准电压源44，并由晶体管QN3和晶体管QN1构成差动对。此外，晶体管QP2的集电极连接到晶体管QN5的基极。
通过这样的结构，按Vbe(QP3)+Vbe(QP1)+Vbe(QN3)+Vsat(F1)＝3Vbe+Vsat…(13)以上的电源电压Vcc使该充放电电路61工作，所以可以达到3V以下的2.4(＝0.7×3+0.3)V左右的低电压。因此，可以对应低电压、低消耗功率的近年来的LSI的低电压工作化。
相反，基于图8的所述充放电电路31在电源电压Vcc上需要3Vbe(qp3+qp1+qn3)+2Vsat(饱和电压qn2(sat)+Ij0(sat))，以便确保电路的动态范围、并正常地工作。这里，由于Vbe的温度依赖性为-2mV/℃左右，所以在-30℃左右以下的低温区域使用的情况下，Vbe＝0.8V以上，用3V以下的低电压不能保证其工作。
再有，如果使晶体管的导电型和电源极性正好相反，则可以理解，上述的各充放电电路41、51、61仅将上述说明中的充电变成放电，放电变成充电，就可进行完全相同的工作。
此外，在不利用缓冲器电路43的输出电压的图1的充放电电路41的情况下，该缓冲器电路43可以用If＝Ij/2那样的负载电阻来置换。该情况的结构示于图4的充放电电路71。与图1的充放电电路41相比，缓冲器电路43被置换为以所述电流值的放电电流If设定的负载电阻R1。于是，可仅在充电时使用本发明。此外，如上所述，通过使晶体管的导电型和电源极性相反，可以仅用于放电。
而且，就P型晶体管QP1～QP8来说，假设为不使用特殊的工艺就可以容易地生成的横向PNP晶体管。但是，该横向PNP晶体管在基极端子上有寄生光电二极管，在对红外线遥控接收机等的光进行感应的器件中，光入射到器件，并且进行绕入，有使所述寄生光电二极管工作的危险。因此，特别是在使用微小电流的那部分的PNP晶体管QP2中，期望使用垂直PNP晶体管。
本发明不限于所述红外线遥控，也可以用于红外线通信装置和基于电波的通信装置等的使用载波的通信装置的接收机。
如上所述，在以P型晶体管的基极电流的微小电流对电容进行充电的充电电路中，本发明的充电电路用电流镜电路返回由基准电流形成部件形成的基准电流，并供给作为所述P型晶体管的发射极电流，通过偏置电压源，使基准电流形成部件的输出级的晶体管和所述P型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
因此，降低依赖于所述发射极-集电极间电压的集电极电流，从而降低因所述基极电流变化的晶体管的厄利效应造成的充电电流误差，可以形成正确的充电电流。
此外，如上所述，本发明的充电电路的所述基准电流形成部件由形成差动对的一对N型晶体管、将所述一对N型晶体管的发射极公用连接的基准电流源、以及所述输出级的P型晶体管构成，输入信号被输入到所述一对N型晶体管的一个基极，而另一个基极连接到所述输出级的P型晶体管的基极。
根据上述结构，在上述充电电路中需要最大工作电压的基准电流形成部件中，在所述基极电流的取出中共用形成差动的一对N型晶体管内不是输入端的晶体管。
因此，在电流镜电路的晶体管、所述输出级的P型晶体管和形成差动对的N型晶体管的各基极-发射极间电压上，施加构成基准电流源的晶体管的饱和电压，例如可以按2.4V左右来进行工作，能够进行低电压工作。
而且，如上所述，在以基于N型晶体管的基极电流的微小电流从电容进行放电的放电电路中，本发明的放电电路用电流镜电路返回由基准电流形成部件形成的基准电流，并取出作为所述N型晶体管的发射极电流，通过偏置电压源，使基准电流形成部件的输出级的晶体管和所述N型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
因此，降低依赖于所述发射极-集电极间电压的集电极电流，从降低因所述基极电流变化的晶体管的厄利效应造成的充电电流误差，可以形成正确的放电电流。
此外，如上所述，在以晶体管的基极电流对电容进行充放电的充放电电路中，本发明的充放电电路以对应于充放电的电流比的并联个数来形成将恒流源形成的电流分别变换成用于充电和用于放电的所述基极电流的晶体管，使一个晶体管中流动的集电极电流相等。
因此，可降低电流放大率造成的误差，可形成正确的充放电电流。
此外，如上所述，本发明的载波检测电路使用上述任何一个充电电路和/或放电电路来形成载波检测电平。
因此，通过以所述微小电流的晶体管的基极电流对电容进行充电和/或放电，形成按比较大的时间常数变化的所有载波检测电平，所以可以减小载波检测电路中的积分电路的电容。
本发明的详细说明项中形成的具体实施形态或实施例仅是为了说明本发明的技术内容，而不应限定于这样的具体例的狭义地解释，在本发明的精神和如下记述的权利要求书的范围内，可以进行各种变更来实施。
权利要求
1.一种充电电路，以P型晶体管(QP2)的基极电流对电容进行充电，其特征在于，该充电电路包括形成所述充电的基准电流的基准电流形成部件；返回所述基准电流并供给作为所述P型晶体管(QP2)的发射极电流的电流镜电路(QP3、QP4)；以及偏置电压源(45)，在所述基准电流形成部件中，使从所述电流镜电路(QP3、QP4)取出所述基准电流的输出级晶体管(QP1)和所述P型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
2.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述基准电流形成部件由形成差动对的一对N型晶体管(QN1、QN2)、将所述一对N型晶体管(QN1、QN2)的发射极公用连接的基准电流源(F1)、以及所述输出级的P型晶体管(QP1)构成，将输入信号(Vc1-1)输入到所述一对N型晶体管(QN1、QN2)的一个基极，而将另一个基极连接到所述输出级的P型晶体管(QP1)的基极。
3.一种放电电路，以N型晶体管的基极电流从电容进行放电，其特征在于，该放电电路包括基准电流形成部件，形成所述放电的基准电流；电流镜电路，返回所述基准电流，并将其取出作为所述N型晶体管的发射极电流；以及偏置电压源，在所述基准电流形成部件中，使所述基准电流提供给所述电流镜电路的输出级的晶体管和所述N型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
4.一种充放电电路，用晶体管的基极电流对电容进行充放电，其特征在于，按与充放电的电流比所对应的并联个数来形成将恒流源(F1、F2)形成的电流(Ij0、If0)分别变换成用于充电和用于放电的所述基极电流的晶体管(QN3、QN4)。
5.一种载波检测电路，使用以P型晶体管(QP2)的基极电流对电容进行充电的充电电路，形成载波检测电平，其特征在于，该充电电路包括形成所述充电的基准电流的基准电流形成部件；返回所述基准电流并将其提供为所述P型晶体管(QP2)的发射极电流的电流镜电路(QP3、QP4)；以及在所述基准电流形成部件中，从所述电流镜电路(QP3、QP4)取出所述基准电流的输出级晶体管(QP1)和使所述P型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等的偏置电压源(45)。
6.如权利要求5所述的载波检测电路，其特征在于，所述基准电流形成部件由形成差动对的一对N型晶体管(QN1、QN2)、将所述一对N型晶体管(QN1、QN2)的发射极公用连接的基准电流源(F1)、以及所述输出级的P型晶体管(QP1)构成，将输入信号(Vc1-1)输入到所述一对N型晶体管(QN1、QN2)的一个基极，而将另一个基极连接到所述输出级的P型晶体管(QP1)的基极。
7.一种载波检测电路，使用以N型晶体管的基极电流从电容进行放电的放电电路，形成载波检测电平，其特征在于，该放电电路包括基准电流形成部件，形成所述放电的基准电流；电流镜电路，返回所述基准电流，并将其取出作为所述N型晶体管的发射极电流；以及偏置电压源，在所述基准电流形成部件中，使所述基准电流提供给所述电流镜电路的输出级的晶体管和所述N型晶体管的发射极-集电极间电压大致相等。
8.一种载波检测电路，使用以晶体管的基极电流对电容进行充放电的充放电电路，形成载波检测电平，其特征在于，该充放电电路按与充放电的电流比所对应的并联个数来形成将恒流源(F1、F2)形成的电流(Ij0、If0)分别变换成用于充电和用于放电的所述基极电流的晶体管(QN3、QN4)。
全文摘要
在用于红外线遥控的接收机等中的、检测有无载波的载波检测电路中，有根据接收信号来形成载波检测电平的充放电电路。充放电电路将通过N型晶体管QN1、QN2、QN3和基准电流源形成的电流用P型晶体管QP1放大，用电流镜电路返回，提供作为P型晶体管QP2的发射极电流。充放电电路以P型晶体管QP2的基极电流的微小电流对电容进行充电。充放电电路包括使P型晶体管QP1、QP2的发射极－集电极间电压大致相等的偏置电压源。由此，可以降低因依赖于发射极－集电极间电压改变集电极电流、或基极电流的厄利效应(Earlyeffect)所产生的对电容的充电电流误差。
文档编号H03D1/10GK1396715SQ0214091
公开日2003年2月12日 申请日期2002年7月10日 优先权日2001年7月11日
发明者井上高广, 横川成一, 西野毅 申请人:夏普公司