具备ad变换器的温度检测电路及半导体集成电路的制作方法

专利名称：具备ad变换器的温度检测电路及半导体集成电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及具备AD变换器的温度检测电路，详细而言涉及降低其消耗电力的对策。
背景技术：
近年来，在半导体集成电路中进行了使模拟电路和数字电路单芯片化的研究，特别是积极开展了使无线通信领域的高频电路单芯片化的开发。可是，在高频电路中，由于具有温度、工艺、电源电压、数字噪声等的偏差，因此难以在所有偏差范围内满足性能。特别是，在LNA(低噪声放大器)、混频器、PA(功率放大器)等的增益特性方面，存在因温度引起的变动较大的课题。因此，在现有技术中，大多开发了由具备AD变换器的温度检测电路进行温度补偿的半导体集成电路，但是却存在着因AD变换器的动作引起的消耗电力变大的课题。针对这种消耗电力增大这一课题，在现有技术中，例如专利文献1记载的技术中， 提出了变换比特数可变的AD变换器。若使用该AD变换器，例如根据AD变换器的温度测量结果适当地使变换比特数可变，则在以低比特数进行动作时能够降低消耗电力。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2008-193744号公报

发明内容
(发明要解决的课题)但是，在假设将上述现有技术应用到温度检测电路中的情况下，由于采用了判定 AD变换器的温度测量结果是否在阈值以下，并根据该判定结果使变换比特数可变的构成， 因而需要由DSP进行比特调整的数字处理，相应地存在着信号处理时间变长、且在为阈值以下时AD变换器的分辨率劣化的问题。本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种在暂时使AD变换器动作而进行温度测量之后，通过使检测温度变化所需的AD变换器的构成部分以外的构成部分处于停止状态来降低消耗电力的温度检测电路。(用于解决课题的手段)为了解决上述课题，技术方案1记载的发明的具备AD变换器的温度检测电路，由产生依存于温度特性的模拟电压的电压产生电路、从所述电压产生电路接受所述模拟电压并包括将该模拟电压与不同的多个基准电压进行比较的多个比较器的逐次比较型AD变换器、以及对所述AD变换器的动作进行控制的电力控制电路构成，其中，所述电力控制电路使所述AD变换器所具备的全部比较器动作来进行温度测量，在确定了所述AD变换器的数字信号的全部比特的值之后，切断输入了夹着从所述电压产生电路输出的模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器以外的比较器的电源供给，检测输入了夹着所述模拟电压
3的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化。技术方案2记载的发明的特征在于，在技术方案1记载的具备AD变换器的温度检测电路中，所述电力控制电路在检测到输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化时，向所述AD变换器的全部比较器供给电源来使各比较器再次动作，从而来确定所述数字信号的全部比特的值。技术方案3记载的发明的特征在于，在技术方案1记载的具备AD变换器的温度检测电路中，所述电力控制电路在检测到输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压之中较高的基准电压的比较器的输出变化时，使所述数字信号的值增大1，而在检测到输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压之中较低的基准电压的比较器的输出变化时，使所述数字信号的值减小1。技术方案4记载的发明的半导体集成电路，包括技术方案1记载的具备AD变换器的温度检测电路，其中，所述半导体集成电路具有高频电路；所述高频电路接受来自所述具备AD变换器的温度检测电路的温度检测信号。技术方案5记载的发明的特征在于，在技术方案4记载的半导体集成电路中，所述高频电路是LNA或混频器。以上，在技术方案1至5记载的发明中，暂时使温度检测用的AD变换器动作来进行温度测量，在确定了 AD变换器的数字信号的全部比特之后，只检测输入了夹着模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化，切断输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器以外的比较器的电源供给，因此，能够降低消耗电力、且由于不使用DSP而能缩短信号处理时间。(发明效果)如以上说明，根据技术方案1至5记载的发明的具备AD变换器的温度检测电路， 因为在利用AD变换器进行如从电源产生电路产生的模拟电压那样恒定且变化慢的模拟电压的温度检测的情况下，在暂时使AD变换器动作而进行了温度测量之后，切断输入了夹着该模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器以外的比较器的电源供给，只检测输入了夹着该模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化，所以能够达到可降低消耗电力以及可缩短AD变换器的处理时间的效果。


图1是表示本发明的实施方式1涉及的具备逐次比较型AD变换器的温度检测电路的电路结构的图。图2是表示上述温度检测电路中具备的选择器1的内部电路的图。图3是表示上述温度检测电路中具备的选择器2的内部电路的图。图4是表示上述温度检测电路中具备的选择器3的内部电路的图。图5是表示上述温度检测电路中具备的选择器4的内部电路的图。图6是表示上述温度检测电路中具备的检测电路的内部电路的图。图7是表示上述温度检测电路中具备的控制电路的内部电路的图。图8是表示上述温度检测电路中具备的电压产生电路的具体的内部结构的图。图9是表示上述温度检测电路中具备的逐次比较型AD变换器1的逐次比较动作的一例的图。图10表示该检测电路的动作说明，该图(a)是表示监视比特信号上升时的图，该图(b)是表示监视比特信号下降时的图。图11是表示本发明的实施方式2涉及的温度检测电路的主要部分结构的图。图12是表示本发明的实施方式3涉及的温度检测电路的电路结构的图。图13是表示上述温度检测电路中具备的控制电路的内部电路的图。图14是表示本发明的实施方式4的半导体集成电路的概略结构图。
具体实施例方式以下，参照附图来说明本发明的实施方式。(实施方式1)图1是表示本发明的实施方式1涉及的具备AD变换器的温度检测电路的具体的电路结构的图。在图1中，本温度检测电路由电压产生电路BGR1、逐次比较型AD变换器1以及电力控制电路2构成。这里，设逐次比较型AD变换器1是变换成4比特的数字信号的逐次比较型AD变换器。上述AD变换器1具备产生没有温度依存特性的基准电压的基准电压电路BGR0、 3个选择器SELl SEL3、4个比较器10 13、配置在上述各比较器10 13与电源VDD之间的电源开关20 23、对上述各比较器10 13的输出进行锁存的4个FF电路(触发器电路)30 33。另外，上述电力控制电路2具备与最低位比特的比较器10的输出00连接的检测电路40、与其他比较器11 13的输出01 03连接的选择器SEL4、与该选择器SEL4的输出MI连接的检测电路41、对上述检测电路40的输出MOO和上述检测电路41的输出MOl进行逻辑运算的OR门电路42、输入了上述OR门电路42的输出信号和后述的控制电路1的输出MS的AND门电路43、以及控制电路1。上述控制电路1输入上述4个FF电路30 33的输出OUTO 0UT3和上述AND门电路43的输出信号M02，向上述4个比较器10 13中除了最低位比特的比较器10之外的3个比较器11 13的电源开关21 23和选择器SEL4 输出信号Sl S3。在上述控制电路1中，除了上述信号之外，还包括在电源接通时或强制动作时产生的控制信号START或控制信号CS1、为了对上述两个检测电路40、41的输出MOO、MOl进行逻辑运算而向AND门电路43输出的信号MS。电压产生电路BGRl产生具有温度依存特性的模拟电压，上述4个比较器10 13 分别接受由电压产生电路BGRl产生的模拟电压Vt，并且从上述基准电压电路BGRO直接接受或者经由选择器SELl SEL3接受基准电压VRO VR2、V3，输出与上述模拟电压Vt相对于上述基准电压VRO VR2、V3的大小关系相应的全部4比特的数字信号00 03。4 个FF电路30 33通过控制信号CSl来锁存该数字信号00 03，并向外部输出数字信号 OUTO 0UT3。输出数字信号OUTl 0UT3也被输入至上述选择器SELl SEL3，在比较器 10 12中输入了与所输入的数字信号OUTl 0UT3的值相应的基准电压VRO VR2。图2表示选择器SELl的内部电路。在本电路中采用如下构成，即，在FF电路33的输出信号0UT3为H电平时基准电压VR2为电压V2<1>，在输出信号0UT3为L电平时基准电压VR2为电压V2<0>。图3表示选择器SEL2的内部电路。在本电路中采用如下构成，即，通过解码器 DEC2，在FF电路33的输出信号0UT3和FF电路32的输出信号0UT2都为H电平时基准电压VRl为电压Vl<3>，在输出信号0UT3为H电平且输出信号0UT2为L电平时基准电压VRl 为电压Vl<2>，在输出信号0UT3为L电平且输出信号0UT2为H电平时基准电压VRl为电压 V1<1>，在输出信号0UT3、0UT2都为L电平时基准电压VRl为电压V1<0>。图4表示选择器SEL3的内部电路。在本电路中与上述电路同样地，通过解码器 DEC3,使得基准电压VRO根据FF电路31 33的输出信号0UT3、0UT2、OUTl的H电平或L 电平来选择8种电压V0<7> 电压V0<0>。逻辑式在图4中示出。图5表示选择器SEL4的内部电路。在本电路中，当来自控制电路1的信号Sl S3任意一个信号变为H电平时，与之相应的FF电路31 33的输出信号OUTl 0UT3的任意一个信号就成为输出信号Ml。图6表示检测电路40、41的内部电路。由图6可知，它们分别由延迟电路90和 EX-OR电路91构成。图7表示控制电路1的内部电路。假设当输出信号Sl S3为H电平时所对应的电源开关21 23接通，解码器DECl的输出信号Sl S3由以下的逻辑式进行表示。S3 = 0UT3 · N0UT2 · NOUTl · NOUTOS2 = 0UT2 · NOUTl · NOUTOSl = OUTl · NOUTO其中，N0UT2表示0UT2的逻辑非，NOUTl表示OUTl的逻辑非，NOUTO表示OUTO的
逻辑非。在图7中，若AND门电路43的输出信号M02或控制信号START输入了 H电平的脉冲，则5个FF电路101 105被复位，FF电路105的输出信号MS变为L电平，反相输出信号匪S变为H电平。因为反相输出信号匪S被输入到3个OR门电路106 108，所以各OR 门电路106 108的输出信号Sl S3变为H电平。若控制信号CSl输入了第5个时钟的上升脉冲，则FF电路105的输出信号MS变为H电平，反相信号匪S变为L电平，所以向各 OR门电路106 108的输出信号Sl S3直接输出了解码器DECl的输出信号DOl D03。图8表示电压产生电路BGRl的具体的内部结构。该图的电压产生电路BGRl具备 将集电极与基极之间连接起来的2个双极性晶体管Q1、Q2、使不同的电流值nl、l流经这些双极性晶体管等的电流源II、12、以及将上述两个晶体管Ql、Q2的集电极电压差ΔΥ进行放大的放大器110，并且为使上述两个晶体管Ql、Q2的集电极电压差Δ V由下式表示而采用了利用具有与绝对温度T成比例的温度系数的结构。温度系数=k/q· ln(n)(k为玻尔兹曼常数(1. 38X10，，q为电子电量(1. 6X 10_19)，η为正整数。)并且，采用由放大器110放大上述集电极电压差Δν，作为具有温度特性的模拟电压Vt进行输出的构成。这里，具体而言，基于图9对上述AD变换器1的逐次比较动作的一例进行说明。 首先，电力控制电路2的控制电路1使各比较器10 13的电源开关20 23接通。然后，
6在基准电压电路BGRO中向全部4比特之中的最高位比特的比较器13供给基准电压V3(= 1. 08V)。之后，在该最高位比特的比较器13中，将来自电压产生电路BGRl的模拟电压Vt与基准电压V3进行比较，通过控制信号CSl在FF电路33中进行锁存，而输出数字信号0UT3。根据上述比较结果的0值或1值，由选择器SELl选择基准电压电路BGRO的基准电压V2<0>( = 0. 92V)或基准电压V2<1>(= 1.24V)，将选择出的基准电压VR2供给到第3 个比特的比较器12，在该比较器12中将来自电压产生电路BGRl的模拟电压Vt与上述选择出的基准电压VR2 (例如V2<1>)进行比较，通过控制信号CSl在FF电路32中进行锁存，而输出数字信号0UT2。然后，根据上述比较结果的0值或1值，由选择器SEL2选择基准电压电路BGRO的基准电压Vl<2>(= 1. 16V)或基准电压Vl<3>(= 1.32V)，将选择出的基准电压VRl供给到第2个比特的比较器11，在该比较器11中将来自电压产生电路BGRl的模拟电压Vt与上述选择出的基准电压VRl (例如Vl<2>)进行比较，通过控制信号CSl在FF电路31中进行锁存，而输出数字信号0UT1。接着，根据上述比较结果的0值或1值，由选择器SEL3选择基准电压电路BGRO的基准电压V0<4> ( = 1. 12V)或基准电压V0<5> (= 1. 20V)，将选择出的基准电压VRO供给到最低位比特的比较器10，在该比较器10中将来自电压产生电路BGRl的模拟电压Vt与上述选择出的基准电压VRO (例如V0<5>)进行比较，通过控制信号CSl在FF电路30中进行锁存，而输出数字信号0UT0。结果，确定了基于全部比特的比较器10 13的输出的数字信号 OUTO 0UT3。返回到图1，上述检测电路40接受AD变换器1的全部4比特的输出信号OUTO 0UT3之中最低位比特所对应的比较器10的数字信号00，来作为输入信号。另外，上述检测电路41接受根据控制电路1的输出信号Sl S3而由选择器SEL4选择的来自3个比较器 11 13的输出信号01 03中的任一个(监视比特)的数字信号MI，来作为输入信号。上述检测电路40、41如图6所示具备将上述监视比特的数字信号MI或最低位比特的数字信号作为输入信号A接受后延迟规定时间τ的延迟电路90、以及接受该延迟电路90的输出信号B和上述输入信号A的2输入EX-OR电路(异或电路)91。上述检测电路40的输出信号MOO和检测电路41的输出信号MOl如图1所示被输入到OR门电路42，该OR门电路42的输出信号被输入到AND门电路43。在AND门电路43 的另一个输入中输入了控制电路1的输出信号MS，AND门电路43的输出信号M02被输入到上述控制电路1。如前述，控制电路1的输出信号MS，在AND门电路43的输出信号M02或控制信号START输入了 H电平的脉冲时变为L电平，在控制信号CSl输入了第5个时钟的上升脉冲时变为H电平，所以在AD变换器1进行温度测量时，发挥屏蔽检测电路40、41的输出的功能。在该检测电路40、41中，在如图10(a)所示那样来自最低位比特的比较器10 的输出信号00 (最低位比特)、或由选择器SEL4选择的来自高位3比特的比较器11 13 的输出信号01 03之中的任一个(监视比特)的数字信号A从L电平上升为H电平的上升变化时、以及如该图(b)所示那样从H电平下降为L电平的下降变化时，EX-OR电路91的输出信号Y输出H电平的脉冲。该最低位比特或监视比特的数字信号从L电平上升为H电平的上升变化、或者从H电平下降为L电平的下降变化，如图9的例示那样，在检测对象的模拟电压超过了夹着该模拟电压的电位的上下相邻的基准电压之际产生。例如，在检测对象的模拟电压Vt为1. 21V的情况下，在超过夹着该模拟电压Vt的上下相邻的2个基准电压V2<1>(= 1.24V),V0<5>(= 1.20V)之际产生。此外，在图9的例示中，将基准电压的分辨率设为0. 04V，将所对应的温度的分辨率设为13°C。在本实施方式1中，因为电源开关20始终处于接通状态，所以电力控制电路2内的控制电路1在基于电源接通时或强制动作时产生的控制信号START而开始温度测量动作时，使与高位3比特的比较器11 13和电源电压VDD连接的电源开关21 23接通，以使这4个比较器10 13动作，由此开始基于AD变换器1的模拟一数字变换。并且，在暂时进行了温度测量之后，电力控制电路2内的控制电路1接受上述检测电路40或41内的EX-OR电路91的输出信号，在该输出信号为L电平时、即在监视比特或最低位比特的比较器的数字信号的值没有变化时，使AD变换器1中与输入了夹着模拟电压信号的电位的上下相邻的各基准电压的两个比较器以外的2比特的比较器和电源电压VDD 连接的电源开关断开，以使这两个比较器的动作停止。例如，在来自电压产生电路BGRl的检测对象的模拟电压Vt为1. IOV的情况下，使输入了夹着该电位的上下相邻的两个基准电压V3( = 1.08V)、V0<4>( = 1. 12V)的两个比较器13,10以外的两个比较器11、12的电源开关21、22断开。然后，上述电力控制电路2内的控制电路1接受上述检测电路40或41内的EX-OR 电路91的输出信号MOO、MOl来作为输入信号，所以在输出信号MOO、MOl的任一个变化为 H电平时，换言之在检测到输入了夹着检测对象的模拟电压Vt的电位的上下相邻的基准电压的两个比较器的任一比较器的输出变化时，控制为使上述2比特的处于停止中的比较器的电源开关接通，以再次开始这些比较器的动作，从而再次利用全部4个比较器10 13 进行AD变换，确定全部4比特的数字信号。因此，在本实施方式1中，在动作开始时使AD变换器1的全部比较器10 13动作，在进行了温度测量之后，只要温度未超过夹着检测温度的上下相邻的基准温度，就能通过电源开关的断开控制，使除了夹着模拟电压的电位的上下相邻的2比特的比较器之外的其他2比特的比较器的动作停止，所以既能将AD变换器1的分辨率保持为使用了全部4 比特的高的分辨率，又能有效地降低该AD变换器1的消耗电力，并且无需如以往那样使用 DSP，能够缩短信号处理时间。此外，在以上的说明中，采用了在AD变换器1的向各比较器10 13供给电源电压的供给路径上分别配置电源开关20 23并通过这些电源开关的断开动作而使各比较器 10 13的动作停止的结构、以及通过控制信号CSl在FF电路30 33中对各比较器10 13的输出值进行数据保持的结构，但是也可采用其他的电路结构。另外，在以上的说明中，虽然设AD变换器1的分辨率为4比特，但是本发明并不限定于此，当然是3比特以上的多比特即可。(实施方式2)下面，对本发明的实施方式2涉及的温度检测电路进行说明。在本实施方式2中，通过分时动作由1个检测电路实现了上述实施方式1的图1 中说明的2个检测电路40、41。除此之外的电路结构、动作及效果与上述实施方式1相同。 图11示出该变更部分的具体的电路结构。在图11中，选择器SEL5将选择器SEL4的输出信号MI和由反相器120将最低位比特的比较器10的输出信号00反相后的反相输出，通过控制信号CSlO的H电平和L电平以分时方式进行输出。上述选择器SEL4的输出信号MI和比较器10的输出信号00是输入了夹着检测对象的模拟电压信号的电位的上下相邻的基准电压的比较器的数字信号，所以是如果一方为L电平则另一方为H电平这种互不相同的电压电平，因而若使任一方的数字信号反相，则即便由选择器SEL5切换信号也不会发生电压电平的改变，因此在共用的检测电路121中不会引起误动作。此外，在图11中，将选择器SEL4的输出信号MI和最低位比特的比较器10的输出信号00的反相输出输入到了选择器SEL5，但当然也可将选择器SEL4的输出信号MI的反相输出和最低位比特的比较器10的输出信号00输入到选择器SEL5。(实施方式3)下面，对本发明的实施方式3涉及的具备AD变换器的温度检测电路进行说明。在上述实施方式1中，在由检测电路40、41检测到比较器的输出变化时再次从最初开始进行温度测量，但在本实施方式3中以温度检测前的数字信号的状态为基准，根据与温度连动地变化的模拟电压信号的变化方向，通过运算处理而求出温度检测后的数字信号的状态。图12表示本实施方式3涉及的具备AD变换器的温度检测电路的具体的内部电路。与图1中说明过的上述实施方式1的不同之处在于，电力控制电路2的结构、以及对来自AD变换器1的数字信号进行运算处理之后向外部输出。此外，在图12中，对于与图1相同的电路赋予相同符号。在本实施方式3中，如图12所示，通过控制信号CSl在FF电路30 33中对各比较器10 13的输出信号00 03进行锁存，并将这些FF电路的输出信号000 003输入到控制电路2。另外，检测电路40的输出信号MOO和检测电路41的输出信号MOl分别经由 AND门电路130、131而被输入到上述控制电路2。在上述两个AND门电路130、131的另一个输入中输入了上述控制电路2的输出信号MS。图13表示上述控制电路2的具体的电路结构。在RS-锁存器140、141中分别对两个AND门电路130、131的输出信号M010、M011进行锁存，并输出信号M020、M021。然后， 如下所示，根据最低位比特的FF电路30的输出000和上述两个RS-锁存器140、141的输出M020、M021之间的关系，用两个复合门电路143、144如下判断是进行加法运算还是进行
减法运算。加法运算Add = 000 · M021+N000 · M020减法运算Sub = 000 · M020+N000 · M021其中，N000表示000的逻辑非。利用由上述逻辑式判断出的结果的加法输出信号Add由加法器146对输出信号 OUTO 0UT3进行加法运算，利用减法输出信号Sub由减法器145对输出信号OUTO 0UT3 进行减法运算。对于分别获得的输出信号OUTO 0UT3，由选择器SEL6利用上述加法输出信号Add和减法输出信号Sub进行选择。即，按下述方式动作，在输出信号OUTO 0UT3上进行加1运算的情况下，从选择器SEL6输出加法运算结果，在输出信号OUTO 0UT3上进行减1运算的情况下，从选择器SEL6输出减法运算结果。此外，利用FF电路156的Q输出信号MS由选择器SEL7对选择器SEL6的输出信
9号S600 S603和FF电路30 33的输出信号000 003进行选择，对于该选择器SEL7 的输出数据S700 S703，通过控制信号CS2在数据锁存电路147中进行锁存。该数据锁存后的信号作为信号OUTO 0UT3进行外部输出，也输入到选择器SELl SEL3。上述信号MS，在控制信号START输入了 H电平的脉冲时(即电源接通时或强制动作时)变为L电平，然后在输入了控制信号CSl的第5个时钟的上升脉冲时变为H电平， 所以在AD变换器1进行温度测量时选择器SEL7选择FF电路30 33的输出信号000 003，在除此之外的时候选择器SEL7选择选择器SEL6的输出S600 S603。另外，与第1实施方式同样地，由解码器DECl对数据锁存电路147锁存的输出信号OUTO 0UT3进行解码而生成信号Sl S3，进行在比较器11 13与电源VDD之间连接的电源开关21 23的接通、断开控制和选择器SEL4中的信号01 03的信号选择控制。 此外，当然解码器DECl的动作与第1实施方式的解码器DECl相同。如以上说明，在本实施方式3中，电力变换电路2内的控制电路2，在AD变换器1 进行温度测量时，由选择器SEL7选择来自AD变换器1的数字信号000 003，通过控制信号CS2在数据锁存电路147中对该选择出的数字信号000 003进行数据锁存，并作为数字信号OUTO 0UT3向外部输出。另一方面，在AD变换器1未进行温度测量时，电力变换电路2内的控制电路2控制为以检测出比较器输出的变化之前的数字信号OUTO 0UT3的状态作为基准，基于由电压产生电路BGRl产生的与温度连动地变化的模拟电压的电位的变化方向，通过运算处理求取检测出比较器输出的变化之后的数字信号的状态。(实施方式4)下面，对本发明的实施方式4涉及的包括具备AD变换器的温度检测电路的半导体集成电路进行说明。图14表示包括前述实施方式1 3说明的具备AD变换器的温度检测电路的半导体集成电路。在该半导体集成电路中，作为高频电路而具有LNA161及混频器162。这些高频电路161、162具有根据温度而变动的特性，特别是具有在高温下劣化的趋势。本实施方式中， 将上述实施方式1 3说明的具备AD变换器的温度检测电路160中进行AD变换后的数字信号OUTO 0UT3输入到上述LNA161及混频器162，在温度上升时使这些LNA161及混频器 162的驱动电流增加来修正特性，对其性能进行补偿，从而抑制性能偏差。(产业上的可利用性)如以上说明，本发明对于如从具有温度依存性的由电压产生电路产生的模拟电压这种恒定且变化慢的模拟电压的变化，在利用AD变换器进行温度检测时，暂时使AD变换器动作而进行了温度测量之后，切断输入了夹着模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器以外的比较器的电源供给，只检测输入了夹着模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化，所以能够降低消耗电力、缩短信号处理时间。特别是，利用到如传感器网络领域那样由纽扣电池等动作而期望低消耗电力的半导体集成电路领域中，是非常有用的。符号说明1逐次比较型AD变换器
2电力控制电路BGRO基准电压电路BGRl电压产生电路SELl SEL7 选择器10 13比较器20 23电源开关30 33、101 105、152 156 FF 电路40,41,121 检测电路42、106 109、148 150 OR 门电路43、130、131 AND 门电路110、120、142、151 反相器电路90延迟电路91 EX-OR 电路II、12 恒流源110放大电路140、141 RS-锁存器电路143、144复合门电路145减法电路146加法电路147数据锁存电路160具备AD变换器的温度检测电路161 LNA (高频电路)162混频器(高频电路)
权利要求
1.一种具备AD变换器的温度检测电路，由电压产生电路、逐次比较型AD变换器和电力控制电路构成，所述电压产生电路产生依存于温度特性的模拟电压；所述逐次比较型AD变换器从所述电压产生电路接受所述模拟电压，并具有将该模拟电压与不同的多个基准电压进行比较的多个比较器；所述电力控制电路对所述AD变换器的动作进行控制，其中，所述电力控制电路使所述AD变换器所具备的全部比较器动作来进行温度测量，在确定了所述AD变换器的数字信号的全部比特的值之后，将输入了夹着从所述电压产生电路输出的模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器以外的比较器的电源供给切断，检测输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化。
2.根据权利要求1所述的具备AD变换器的温度检测电路，其中，所述电力控制电路在检测到输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化时，向所述AD变换器的全部比较器供给电源来使各比较器再次动作， 确定所述数字信号的全部比特的值。
3.根据权利要求1所述的具备AD变换器的温度检测电路，其中，所述电力控制电路，在检测到输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压之中较高的基准电压的比较器的输出变化时，使所述数字信号的值增大1，而在检测到输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压之中较低的基准电压的比较器的输出变化时，使所述数字信号的值减小1。
4.一种半导体集成电路，包括权利要求1所述的具备AD变换器的温度检测电路，其中，所述半导体集成电路具有高频电路；所述高频电路接受来自所述具备AD变换器的温度检测电路的温度检测信号。
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中，所述高频电路是低噪声放大器或混频器。
全文摘要
本发明提供一种具备AD变换器的温度检测电路及半导体集成电路。在具备AD变换器的温度检测电路中，在动作开始时暂时使逐次比较型AD变换器(1)动作，由所述AD变换器(1)对来自电压产生电路(BGR1)的具有温度依存性的模拟电压进行AD变换，来确定该数字信号的全部比特。然后，电力控制电路(2)只检测输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器的输出变化，切断输入了夹着所述模拟电压的电位的上下相邻的基准电压的比较器以外的比较器的电源供给。因此，即便在利用所述AD变换器来检测如具有温度依存性的模拟电压那样恒定且变化慢的信号的情况下，也能使AD变换器的分辨率不劣化、降低消耗电力且缩短信号处理时间。
文档编号H03M1/42GK102474263SQ20108003631
公开日2012年5月23日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年7月13日
发明者伊藤稔, 渡边学 申请人:松下电器产业株式会社