专利名称：晶体生长控制器电容式触摸按键面板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体生长控制器电容式触摸按键面板，应用于太阳能硅单晶炉晶体生长控制器。
背景技术：
目前，硅单晶炉晶体生长控制器一直采用传统的机械式按键，需要控制器主控板提供电源才能正常工作，且沿用古老的机械式按键设计模式，每个按键接入控制器的一个输入端口，需要对按键提供上拉电阻和加入必要的消抖电路和软件防抖判断程序才能让按键稳定的工作，增加电路本身的复杂程度，同时也增加了软件的冗余度，且在实际应用中机械按键电路极易损坏，对产品的稳定性和客户生产都造成了一定的困扰，如图I所示。而现有的触摸按键装置存在只检测电容值变化量的缺点，电容值检测困难，受外界干扰比较大， 且电容基值很难确定。对电路稳定性造成了一定的困扰。
实用新型内容为了克服传统机械式按键和现有电容触摸按键存在的上述缺点，从而改善晶体生长控制器的性能，本实用新型提供了一种晶体生长控制器电容式触摸按键面板，具有电路简单，工作稳定，不易老化，制作成本低的优点。本实用新型采用如下技术方案电容式触摸按键面板主要包括触摸按键、电阻和单片机端口。触摸按键和单片机端口相连，每两个触摸按键和两个单片机端口之间有一个共用电阻，电容式触摸按键面板共有8个触摸按键、8个单片机端口和4个电阻。触摸按键电路板表面采用覆铜印刷，经久耐用，触摸按键与铺地层形成一个电容， 作为触摸按键的检测电容。对于电容的检测方式，采用RC充放电模式来测量电容内充放电时间的变化。每个触摸按键接到有中断能力的单片机端口上，单片机端口给电容进行充电和放电，并记录充电和放电的时间。当手指接触到触摸按键时，触摸按键和铺地层间形成的电容发生变化，电容的充电和放电时间也随之改变，单片机对检测到的变化进行识别，判断按键被按下时触发相应的事件，从而实现按键功能。本实用新型的有益效果是I、电路结构极大的简化，减少电路整体负担，提高稳定性。2、减少了机械式按键本身具有的容易老化的危险，同时也减少了软件在机械式按键上所采用的软件防抖负担。3、采用充放电形式检测触摸按键电容的形式，增加了按键电路的可靠性，制作简单，制作成较低。
以下结合附图
和实例对本实用新型进一步说明。[0012]图I是机械式按键示意图。图2是电容式触摸按键原理示意图。图3是电容式触摸按键硬件电路图。图中I.上拉电阻，2.电源，3.机械式按键，4.防抖电容，5.机械式按键单片机端口，6.单片机端口，7.电阻，8.触摸按键
具体实施方式
下面将结合本实用新型附图进行更详尽的描述。参照附图2和附图3，电容式触摸按键面板主要包括触摸按键⑶、电阻(7)和单片机端口 ￠)。触摸按键(8)和单片机端口(6)相连，每两个触摸按键(8)和两个单片机端口(6)之间有一个电阻(7)，电容式触摸按键面板共有8个触摸按键(8)、8个单片机端口
(6)和4个电阻(7)。触摸按键电路板表面采用覆铜印刷，经久耐用，触摸按键(8)与铺地层形成一个电容，作为触摸按键(8)的检测电容。对于电容的检测方式，采用RC充放电模式来测量电容内充放电时间的变化。每个触摸按键(8)接到有中断能力的单片机端口(6)上，单片机端口(6)给电容进行充电和放电，并记录充电和放电的时间。当手指接触到触摸按键(8) 时，触摸按键(8)和铺地层间形成的电容发生变化，电容的充电和放电时间也随之改变，单片机对检测到的变化进行识别，判断触摸按键(8)被按下时触发相应的事件，从而实现按键功能。
权利要求1.一种晶体生长控制器电容式触摸按键面板，其特征是结构包括触摸按键、电阻和单片机端口，触摸按键和单片机端口相连，每两个触摸按键和两个单片机端口之间有一个共用电阻，电容式触摸按键面板共有8个触摸按键、8个单片机端口和4个电阻。
2.根据权利要求I所述的一种晶体生长控制器电容式触摸按键面板，其特征是触摸按键电路板表面采用覆铜印刷。
专利摘要本实用新型公开了一种新式的晶体生长控制器电容式触摸按键面板，主要包括触摸按键、电阻和单片机端口。触摸按键为电路板表面印刷覆铜焊盘形成，电阻为桥路电阻，单片机端口为单片机输入端口，每两个触摸按键共用一个电阻，同时电阻两端接入单片机端口，四个电阻，八个触摸按键和八个单片机端口构成了整个面板硬件电路，整个电路及其简单可靠，不需要任何赘余电路，保证灵敏度的同时极大的减少系统负担和降低制作成本，具有制作简单，使用方便，不易损坏，低成本的特点。
文档编号H03K17/96GK202353543SQ20112044497
公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月11日 优先权日2011年11月11日
发明者何茂栋, 冯兴涛, 李海霞, 罗焱 申请人:北京京仪世纪电子股份有限公司