专利名称：静电放电电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子电路，且更具体地说，涉及用于保护免受静电放电(ESD)的电路。
背景技术：
处理电子装置的危害之一是由静电放电(ESD)引起的。ESD是在来自静电场的不同电势处的两点之间的电流的骤增。两点之间的接触可为电场提供放电路径。由于两点之间的电势差可能会非常大，所以由ESD产生的电流也可能会非常大。半导体装置(诸如集成电路)特别容易受到ESD的损坏。在制造过程中，且在产业后期，半导体装置和/或组件的处理可能导致ESD事件。这种ESD事件可能损坏或破坏半导体装置。处理电子装置和组件的人员可采取预防措施，诸如使用接地带或穿着接地鞋，以便防止ESD损坏处理的组件。然而，这些预防措施可能并不总是足够的。因此，许多现代电 子装置被设计为带有内置的ESD保护。一类ESD电路被称为ESD钳位。ESD钳位可包括耦合在电源节点和接地节点之间的RC (电阻-电容)电路，和具有耦合至RC电路的电阻器和电容器的接头的闸极端子的相对大的晶体管。当发生ESD事件时，RC电路的接头处的电压可启动晶体管，从而为来自放电的电流提供放电路径。
发明内容
公开了一种集成电路(1C)。在一个实施例中，IC包括第一全局电压节点和第二全局电压节点。IC还包括其中各耦合至第一全局电压节点的两个或更多个电源域。两个或更多个电源域中的每个电源域都包括功能单元和耦合至功能单元的局部电压节点。所述多个电源域中的每个电源域还包括耦合在局部电压节点和第二全局电压节点之间的晶体管和被配置来检测ESD事件的发生并进一步被配置来响应于检测到ESD事件而使晶体管启动的ESD (静电放电)电路。在一个实施例中，一种方法包括ESD (静电放电)电路检测ESD事件。ESD电路与集成电路(IC)的多个电源域中的一个电源域相关联，其中多个电源域中的每个电源域都与多个ESD电路中的相应一个ESD电路相关联,并稱合在第一全局电压节点和第二全局电压节点之间。所述方法还包括响应于检测到ESD事件在第二全局电压节点和多个电源域中的所述一个电源域的局部电压节点之间提供放电路径。
在阅读了下面的详细描述并参考附图后，本发明的其它方面将变得显而易见，其中图I是示出具有各利用电源门控晶体管来提供ESD放电路径的多个电源域的集成电路(IC)的一个实施例的图；图2是示出IC中的ESD电路的一个实施例的图；图3是示出具有各利用电源门控晶体管来提供ESD放电路径的多个电源域的IC的另一个实施例的图；图4是示出IC中的ESD电路的另一个实施例的图；图5是示出具有各利用电源门控晶体管来提供ESD放电路径的多个电源域的IC的另一个实施例的图；图6是示出用于在IC中提供ESD放电路径的方法的一个实施例的流程图；图7是存储代表IC的实施例的数据结构的载体介质的一个实施例的框图。虽然本发明很容易有各种修改和替代形式，但是其具体实施例在附图中是举例示 出，并且将在本文中详细描述。然而，应理解，附图和对其的描述并不旨在将本发明限制于所公开的特定形式，而正相反，本发明将涵盖落入如所附的权利要求所限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和替换。
具体实施例方式本公开涉及具有出于节省功率的目的而可选择性且独立地通电或断电的多个电源域的集成电路(IC)的ESD (静电放电)保护。在每个电源域中，可实现ESD检测电路，以便检测ESD事件。当检测到ESD事件后，ESD检测电路可产生信号以启动电源门控晶体管，由此可完成ESD事件所产生的电流的放电路径。每个电源域的ESD检测电路也可耦合至IC的电源控制单元。响应于电源控制单元对其各自ESD检测电路提供第一指示而可使所选择的电源域通电，从而启动电源门控晶体管。同样地，可响应于电源控制单元对ESD检测电路提供第二指示而使所选择的电源域断电，其可继而撤销启动电源门控晶体管。因此，除了从相应电源域施加或移除电源的功能之外，电源门控晶体管还可用于ESD保护的目的。这可继而避免需要专门为了 ESD保护的目的而提供额外的晶体管，从而导致IC晶片上的面积节省。现在将进一步详细地讨论这种IC的各种实施例。出于本公开的目的，ESD事件可被定义为由静电场产生的不同电势处的两点之间的电流的任何骤增。当在电子电路中(例如,在IC中)发生这样的ESD事件时，其可能会在没有放电路径的情况下对其中的电路造成损坏。出于本公开的目的，可将全局电压节点定义为任何电压节点(例如，电压供应节点、接地节点)，其耦合至IC或其中的电路可独立于其它电源域中的电路通电或断电的其它类型电子系统的两个或更多个电源域。用于本公开的目的的局部电压节点可被定义为对于特定电源域的电路是局部的并因此不耦合至其它电源域中的电路的电压节点。因此，出于本公开的目的，对特定的电源域施加电源可包括将该电源域的局部电压节点耦合至相应全局电压节点(例如，将局部电压电源节点耦合至全局电压供应节点)。IC和ESD保护电路实施例图I是示出具有各利用电源门控晶体管来提供ESD放电路径的多个电源域的IC的一个实施例的图。在所示的实施例中，IC 10包括第一电源域21和第二电源域22。给定实施例中的电源域的确切数目可能会有所不同，因此这里所示的实例并不旨在限制。所示实施例中的电源域21和22中的每个电源域都被耦合来接收来自全局电压供应节点Vdd的电压。此外，IC 10包括用作全局返回电压节点的第二电压节点Vss。解耦电容27可提供在全局电压供应节点和全局电压返回节点之间。解耦电容27可使用一个或多个电容器来实现，并且可以被分布成跨越IC 10。电源噪声可通过解耦电容27被分流到返回节点，从而使全局电压供应节点和全局电压返回节点之间的电压差保持在基本恒定值下。所示实施例中的电源域21和22中的每个电源域都分别包括局部返回节点，Vss-Local I和Vss-Local 2。由一个或多个电容器组成的局部解I禹电容23可以提供在电源域21和22中的每个电源域中。如将要在下面进一步详细描述，这些电容器可提供与上述全局解耦电容27的功能类似的功能，并且还可以为ESD事件产生的电流提供一部分放电路径。各自电源门控晶体管25耦合在电源域21和22的局部返回节点和全局返回节点Vss之间。电源域21和22中的特定一个电源域可通过启动其相应的电源门控晶体管25来通电，这可将其局部返回节点有效地耦合至全局返回节点Vss。应注意，电源域21和22可彼此独立地通电和断电。IC 10可以是许多不同类型IC中的一种，其包括可彼此独立地通电和断电的多个 电源域。例如，在一个实施例中，IC 10可以是带有包括组成核心的电路的每个功能单元24的多核处理器。在另一个实施例中，IC 10可以是旨在用于其中保存电池电量是关键的便携式装置中的1C，其中每个电源域都包括在不用时可以断电的相应功能单元24。应注意，在IC 10的一些实施例中，功能单元24可以是相同的，而在其它实施例中，功能单元24可以是彼此不同的。一般而言，IC 10可以是任何类型的1C，其包括可独立于其它部分通电或断电的部分(例如，电源域)。同样地，功能单元24可以是任何类型的功能电路，其执行IC 10的一个或多个预期功能。所示的实施例中的电源域21和22中的每个电源域都可通过启动其相应电源门控晶体管25来通电。在所示的实施例中，每个电源门控晶体管25都具有耦合至各自ESD检测电路26的闸极端子。每个ESD检测电路26都被耦合来接收来自电源控制单元28的各自信号。当ESD检测电路26接收到各自通电(power on)信号(例如,对电源域21的PowerOn I、对电源域22的Power On 2)时，这可通过断言在该电源域的电源门控晶体管25的闸极端子上接收的信号(‘Detect/On’)来响应。这些信号可响应由电源控制单元28对信号的各自电源进行撤销断言而由其各自ESD检测电路26撤销断言。因此，电源控制单元28可有效地控制在IC 10的正常操作期间是否将电源提供至电源域21和22。电源门控晶体管25的闸极端子上的‘Detect/On’信号的断言可接着启动该晶体管，从而有效地将其局部返回电压节点耦合至全局返回电压节点。例如，如果电源域21的电源门控晶体管25被启动，那么Vss-Local I可有效地耦合至Vss-Global，由此使得电源能够被提供至功能单元24。相反，撤销断言电源门控晶体管25的闸极端子上的信号可移除其中的电源。例如，如果提供至电源域21中的电源门控晶体管25的闸极端子的信号被撤销断言，那么Vss-Locall被有效地从Vss-Global中解耦，因此可从该电源域中移除电源。除了上述的电源门控功能之外，电源门控晶体管25也可以用于完成在ESD事件期间产生的电流的放电路径。每个ESD检测电路26可被配置来检测否则将可能对电源域21和22中的每个电源域中的电路有潜在性破坏的ESD事件。响应于对ESD事件的检测，ESD检测电路26可断言其相应的‘Detect/On’信号，从而启动其各自电源域的电源门控晶体管25。当电源域21和22的电源门控晶体管25活动时，可提供电流的放电路径通过电容23至局部电压返回节点(例如，Vss-Locall)并通过有源电源门控晶体管25。因此，除了其执行先前描述的电源门控功能之外，所示实施例中的电源门控晶体管25还可提供提供ESD放电路径的功能。使用电源门控晶体管来以所描述的方式提供ESD放电路径可避免对提供单独晶体管来执行此功能的需要。因此，这能够提供诸如IC 10的IC的ESD保护，同时也节省了否则可能会被单独的ESD晶体管(其可以是相对较大)占用的电路面积。图2是示出IC 10的ESD电路26的一个实施例的图。为了便于说明，在图2展示附加元件以充分地说明ESD检测电路26与这些其它元件的关系，此处为了方便起见如图I般对这些元件编号。在所示的实施例中，ESD检测电路26包括串联耦合的电容器32和电阻器33。电容器32和电阻器33的接点，即标记为“事件(Event )”的节点，用作至或门31的输入。所示的实施例中的电容器32耦合在事件节点和全局电源电压节点之间。电阻器33耦合在事件节点和全局返回电压节点之间。在没有ESD事件的情况下，事件节点可通过电容器32从存在于全局电压供应节点Vdd上的电压中解耦。因此，事件节点可通过电阻器33被拉向存在于全局电压返回节点Vss-Global上的电压。此外，如果电源控制单元28不断言PowerOn1，那么在没有ESD事件的情况下，或门31的输出可以是低的。因此当不断言Power On I时，在没有ESD事件的情况下，电源门控晶体管25的闸极端子(其耦合至或门31的输出)是低的。在本实施例中，电源门控晶体管25是NMOS (η-沟道金属氧化物半导体)晶体管，其可响应于它的闸极端子上的逻辑高电压启动。因此，当或门31的输出低时，电源门控晶体管25因此处于非活动状态。当发生ESD事件时,Vdd和Vss-Global之间的电压差可能会迅速增加。由于电容器两端的电压无法瞬时变化，所以响应于ESD事件，流经电阻器33的电流量可能会迅速增加。流经电阻器33的电流的这种骤增因此可增加事件节点和Vss-Global之间的相应电压降。如果电压降足够，那么或门31可将事件节点上出现的电压解译为逻辑I。响应于此，或门31可断言逻辑I (即在这种情况下为逻辑高电压)，从而使电源门控晶体管25启动。如前文所述，启动电源门控晶体管25可有效地将局部电压返回节点(在这个实例中为Vss-Locall)耦合至Vss-Global。因此，响应于对ESD事件的检测而启动电源门控晶体管25可因此通过电源域(在这个实例中为电源域21)而完成Vdd和Vss-Global之间的放电路径。当电源域21以另外方式处于非活动时提供通过电源域21的放电路径因此可防止ESD损坏其中所包含的电路(例如，功能单元24 )。图3是示出具有其中各利用电源门控晶体管来提供ESD放电路径的多个电源域的IC的另一个实施例的图。在这个特定实施例中，IC 40包括电源域41和42。电源域41和42中的每个电源域都包括相应功能单元24、相应局部解耦电容器23、相应电源门控晶体管45和相应ESD检测电路46。所示的实施例中的电源控制单元28和解耦电容27类似于图I和图2中所示的类似编号的元件。在所示的实施例中，IC 40包括全局电压供应节点，Vdd-Global和全局电压返回节点、Vss-Global0电源域41和42各分别包括局部电压供应节点、Vdd-Locall和Vdd-Local20相应电源门控晶体管45耦合在其各自局部电压供应节点和全局供应电压节点Vdd之间。与图I和图2中所示的实施例相反，电源门控晶体管是PMOS (P-沟道金属氧化物半导体)晶体管。此外，参照一下图4，ESD检测电路46利用或非门57，而不是如图I和图2的ESD检测电路26所利用的或门31。因此，当发生ESD事件时，在事件节点上检测到的逻辑I可使或非门57驱动其输出为低，并因此启动耦合于此的相应电源门控晶体管45。当电源门控晶体管45在电源域41和42之一中被启动时，相应局部电压供应节点可有效地耦合至全局电压供应节点。因此，可提供来自ESD事件的电流的放电路径通过有源电源门控晶体管45和相应局部解耦电容器23，该放电路径耦合在该特定电源域的Vss-Global和局部电压供应节点之间。响应于ESD检测电路45接收到来自电源控制单元28的相应信号(例如，对电源域41的ESD检测电路46的通电1)，电源域41和42中的每个电源域的电源门控晶体管45也可被启动。因此，对电源域41的ESD检测电路46提供通电I信号的断言可使或非门57来驱动其输出为低，并因此启动相应电源门控晶体管45。基于接收来自电源控制单元28的断言的通电2信号的ESD电路46的操作可以是相同的。图5是示出具有各利用多个电源门控晶体管来提供ESD放电路径的多个电源域的IC的另一实施例的图。在所示的实施例中的IC 50类似于图I中所示的IC 10，其中类似编号的元件执行相同功能。然而，IC 50中的电源域21和22各包括电源门控晶体管25的·多个实例，而不是IC 10的电源域的单个电源门控晶体管25。在一些实施例中，实施电源门控晶体管的多个实例可允许这些晶体管小于其中仅使用单个电源门控晶体管的实施例中的晶体管。在所示实施例中，电源域21和22各包括与解耦电容器23并联耦合的附加晶体管55。晶体管55的每个实例都包括耦合至其各自ESD电路26的闸极端子。更具体地，每个晶体管55的闸极端子都可耦合至图2的实施例中所示的相应ESD电路26的事件节点。因此，在所示的实施例中的晶体管55被配置为仅响应于ESD事件而被启动，与晶体管25相反，除了响应于ESD事件被启动之外，晶体管25也可被启动来对其各自电源域提供电源。当活动时，晶体管55的给定实例可在Vdd和各自Vss-Local节点之间提供额外放电路径，与相应电容器23并联。一般而言，可按照上面的讨论实现IC的各种实施例，其中电源门控晶体管作为ESD保护装置的功能可增加一倍。这样的电源门控晶体管可耦合在全局电压供应节点和局部电压供应节点、全局地面节点和局部接地节点，和/或其它局部和全局电压节点之间。ESD电路可耦合至这样的电源门控晶体管，并可响应于ESD事件使其启动以提供放电路径，并因此防止对其各自电源域的损坏。电源门控晶体管也可用于独立地对其相应电源域施加电源或从其相应电源域中移除电源。方法流稈图6是示出用于在IC中提供ESD放电路径的方法的一个实施例的流程图。在所示的实施例中，方法60开始于ESD事件的检测(框62)。响应于ESD事件的检测，由一个或多个ESD检测电路生成指示(框64)，其中每个ESD检测电路都可与特定电源域相关联。每个ESD检测电路可耦合至特定电源域的相应电源门控晶体管。对于给定的电源域，如果在检测到ESD事件时其各自电源门控晶体管没有被启动(框66)，那么该电源门控晶体管可被启动(块68)，以便提供由ESD事件产生的电流的放电路径。如果在ESD事件发生(框66，是)时与相应电源域关联的一些或所有电源门控晶体管已经是活动的，那么不需要针对这些电源域采取进一步的动作，因为已经提供了通过有源电源门控晶体管且通过相应解耦电容的放电路径。应注意，由于每个域的电源门控晶体管可独立于与其它电源域相关联的那些电源门控晶体管被启动或去启动，所以可在其它电源门控晶体管非活动的同时在给定的时间启动一些电源门控晶体管。因此，有时，当其它电源门控晶体管已经活动的同时而发生ESD事件时，否则须瞬间启动另外非活动的电源门控晶体管。计算机可访问存储介质:下面转向图7，展示一种包括代表如上面所讨论的IC的10、40或50中任何一个(或所有)的数据库的计算机可访问存储介质300的框图。一般而言，计算机可访问存储介质可包括在使用期间由计算机访问的任何非临时存储介质，用于对计算机提供指令和/或数据。例如，计算机可访问存储介质可包括存储介质，诸如磁或光介质，例如，磁盘(固定的或可抽换的)、磁带、CD-ROM 或 DVD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD-RW 或蓝光光碟(Blu-Ray )。存储介质可进一步包括可通过诸如通用串行总线(USB)接口等的外围接口访问的易失性或非易失性存储介质，诸如RAM (例如，同步动态RAM (SDRAM)、双倍数据速率(DDR、DDR2、DDR3等)SDRAM、低功耗 DDR (LPDDR2 等)SDRAM、Rambus DRAM (RDRAM)、静态 RAM (SRAM)等)、·ROM、闪存、非易失性存储器(例如，闪存)。存储介质可包括微机电系统(MEMS)，以及通过诸如网络和/或无线链路的通信介质访问的存储介质。一般情况下，代表在计算机可访问存储介质300上进行的IC 10、40和/或50的数据库或其它类型的数据结构可以是可通过程序读取和直接或间接地用来制作包括所描述的IC的硬件的数据库。例如，数据库可以是以诸如Verilog或VHDL的高级设计语言(HDL)的硬件功能的行为级描述或寄存器传输级(RTL)描述。该描述可以被综合工具读取，该综合工具可综合描述以产生包括来自综合库的门或其它电路的列表的网络列表。网络列表包括还表示包括所描述的IC的硬件的功能的一组门和其它电路。网络列表然后可以被放置并定路径，以产生描述要应用至掩模的几何形状的数据集。掩模然后可用于各种半导体制造步骤中，以产生对应于半导体电路或所描述的IC的电路。或者，根据需要，计算机可访问存储介质300上的数据库可以是网络列表(带或不带综合库)或数据集。虽然计算机可访问存储介质300进行IC 10、40和/或50中的一个或多个的表示，但是其它实施例可根据需要进行这些IC的任何部分的表示，包括任何组中间电路(例如，ESD电路26、电源控制单元28、功能单元24等)、中间电路的部分(例如，或门31)等等。虽然已经参照特定实施例描述了本发明，但是应理解实施例是说明性的，且本发明范围并不局限于此。对所描述的实施例的任何变化、修改、添加和改进都是可能的。这些变化、修改、增加和改进可落入如以下权利要求书中详述的本发明的范围内。
权利要求
1.一种集成电路，其包括 第一全局电压节点和第二全局电压节点； 各耦合至所述第一全局电压节点的两个或更多个电源域，其中所述两个或更多个电源域中的每个电源域都包括 局部电压节点； 第一晶体管，其耦合在所述局部电压节点和所述第二全局电压节点之间；以及 ESD (静电放电)电路，其被配置来检测ESD事件的发生并进一步被配置来响应于检测到所述ESD事件而使所述第一晶体管启动。
2.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述电源域中的每个电源域都包括耦合在所述第一全局电压节点和其各自局部电压节点之间的功能单元，并且其中所述电源域中的每个电源域的所述ESD电路进一步被配置来响应于接收到来自所述集成电路的电源控制单元的第一指示而通过启动所述第一晶体管来对所述多个电源域中的其各自一个电源域的功能单元提供电源。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，在没有ESD事件的情况下，所述第一晶体管被配置来响应于所述ESD电路接收到来自所述电源控制单元的第二指示而为非活动。
4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述电源控制单元被进一步配置来彼此独立地控制对所述多个电源域的通电和断电，其中对所述多个电源域中的特定一个电源域通电包括对所述多个电源域中的该电源域的ESD电路提供所述第一指示，且其中从所述多个电源域中的所述特定一个电源域中移除电源包括对所述多个电源域中的该电源域的ESD电路提供第二指示。
5.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述ESD电路包括 RC (电阻-电容)电路，其具有串联耦合在所述第一全局电压节点和所述第二全局电压节点之间的电阻器和电容器；以及 逻辑门，其具有耦合至所述电阻器和所述电容器的接点的第一输入。
6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述逻辑门还包括被耦合以接收来自所述电源控制单元的所述第一指示的第二输入。
7.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述第一全局电压节点是电源供应节点，其中所述第二全局电压节点是返回节点。
8.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述第一全局电压节点是返回节点且其中所述第二全局电压节点是电压供应节点。
9.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述多个电源域中的每个电源域都包括耦合在所述第一电压节点和其各自局部电压节点之间的一个或多个解耦电容器。
10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述多个电源域中的每个电源域都包括耦合在所述第一电压节点和其各自局部电压节点之间的第二晶体管，其中所述ESD电路被配置来响应于检测到所述ESD事件而启动所述第二晶体管。
11.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述两个或更多个电源域中的每个电源域都包括耦合在其各自局部电压节点和所述第二全局电压节点之间的两个或更多个晶体管，其中所述两个或更多个晶体管中的每个晶体管都耦合至其各自ESD电路，且其中所述各自ESD电路被配置来响应于检测到所述ESD事件或响应于接收到来自电源控制单元的相应指示而启动所述两个或更多个晶体管。
12.—种方法,其包括 ESD (静电放电)电路检测ESD事件，其中所述ESD电路与集成电路(IC)的多个电源域中的一个电源域相关联，其中所述多个电源域中的每个电源域都与多个ESD电路中的相应一个ESD电路相关联，并耦合在第一全局电压节点和第二全局电压节点之间；以及 响应于检测到所述ESD事件在所述第二全局电压节点和所述多个电源域中的所述一个电源域的局部电压节点之间提供放电路径。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述提供所述放电路径包括所述ESD电路启动耦合在所述局部电压节点和所述第二全局电压节点之间的一个或多个晶体管。
14.根据权利要求13所述的方法，其还包括所述ESD电路响应于接收到来自电源控制单元的第一指示而启动耦合在所述局部电压节点和所述第二全局电压节点之间的所述一个或多个晶体管。
15.根据权利要求14所述的方法，其还包括所述电源控制单元彼此独立地对所述多个电源域中的特定一个电源域通电，且还包括所述电源控制单元通过对所述多个电源域中的所述特定一个电源域提供第二指示彼此独立地对所述多个电源域中的所述特定一个电源域断电。
16.根据权利要求13所述的方法，其中启动所述一个或多个晶体管包括将全局供应电压节点耦合至局部供应电压节点，其中所述第二全局电压节点是所述全局供应电压节点，且其中所述第一全局电压节点是返回电压节点。
17.根据权利要求13所述的方法，其中启动所述一个或多个晶体管包括将全局返回电压节点耦合至局部返回电压节点，其中所述第二全局电压节点是所述全局返回电压节点，且其中所述第一全局电压节点是供应电压节点。
18.一种存储由在计算机系统上可执行的程序操作的数据结构的非瞬时性计算机可读介质，所述程序对所述数据结构进行操作以执行制造包括由所述数据结构描述的电路的集成电路的过程的一部分，在所述数据结构中描述的所述电路包括 集成电路(1C)，其具有第一全局电压节点和第二全局电压节点； 各耦合至所述第一全局电压节点的两个或更多个电源域，其中所述两个或更多个电源域中的每个电源域都包括 局部电压节点； 晶体管，其耦合在所述局部电压节点和所述第二全局电压节点之间；以及 ESD (静电放电)电路，其被配置来检测ESD事件的发生并进一步被配置来响应于检测到所述ESD事件而使所述晶体管启动。
19.根据权利要求18所述的计算机可读介质，其中在所述数据结构中描述的所述ESD电路进一步被配置来响应于接收到来自所述集成电路的电源控制单元的第一指示而通过启动所述晶体管来对所述多个电源域中的其各自一个电源域的功能单元提供电源，其中所述电源域中的每个电源域的所述功能单元耦合在所述第一全局电压节点和其各自局部电压节点之间。
20.根据权利要求19所述的计算机可读介质，其中在所述数据结构中描述的所述电源控制单元进一步被配置来彼此独立地对所述多个电源域中的每个电源域通电，其中对所述多个电源域中的特定一个电源域通电包括对所述多个电源域中的该电源域的ESD电路提供所述第一指示，且其中从所述多个电源域中的所述特定一个电源域中移除电源包括对所述多个电源域中的该电源域的ESD电路提供第二指示。
21.根据权利要求18所述的计算机可读介质，其中在所述数据结构中描述的所述IC的所述两个或更多个电源域中的每个电源域都包括耦合在其各自局部电压节点和所述第二全局电压节点之间的两个或更多个晶体管，其中所述两个或更多个晶体管中的每个晶体管都耦合至其各自ESD电路，且其中所述各自ESD电路被配置来响应于检测到所述ESD事件或响应于接收到来自电源控制单元的相应指示而启动所述两 个或更多个晶体管。
22.根据权利要求18所述的计算机可读介质，其中所述数据结构包括以下类型数据中的一个或多个 HDL (高级设计语言)数据； RTL (寄存器传输级)数据； 图形数据系统(⑶S) II数据。
全文摘要
公开了一种集成电路(IC)。所述IC包括第一全局电压节点和第二全局电压节点。所述IC还包括各耦合至所述第一全局电压节点的两个或更多个电源域(21、22)。所述两个或更多个电源域(21、22)中的每个电源域都包括功能单元(24)和耦合至所述功能单元(24)的局部电压节点。所述多个电源域(21、22)中的每个电源域还包括耦合在所述局部电压节点和所述第二全局电压节点之间的电源门控晶体管(25)和被配置来检测ESD事件的发生并进一步被配置来响应于检测到所述ESD事件而使所述晶体管(25)启动的ESD(静电放电)电路(26)。
文档编号H03K19/003GK102959865SQ201180032659
公开日2013年3月6日 申请日期2011年6月29日 优先权日2010年6月30日
发明者斯蒂芬·V·科索诺奇, 沃伦·R·安德森 申请人:超威半导体公司