振荡器电路的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种振荡器电路，包括：信号发生器，具有补偿频率输出节点，其中，在工作时，所述信号发生器在所述补偿频率输出节点提供补偿频率信号；脉冲发生器，具有脉冲信号输出节点和耦合至所述补偿频率输出节点的脉冲发生器输入节点，其中，在工作时，所述脉冲发生器在所述脉冲信号输出节点处将所述补偿频率信号转换为一串补偿二进制脉冲，所述补偿二进制脉冲具有大致恒定的脉冲持续时间，而不管所述补偿二进制脉冲的占空比的变化；以及振荡器模块，包括至少两电容器、振荡器输出节点和耦合至所述脉冲信号输出节点的脉冲信号输入节点，其中，在工作时，所述振荡器在所述振荡器输出节点提供输出信号，所述输出信号所处在的频率取决于所述电容器的充电速率，并且其中，所述电容器的电特性漂移变化由提供至所述脉冲信号输入节点的所述补偿二进制脉冲的占空比变化所抵消，从而维持所述电容器的充电速率大致恒定。2.如权利要求1所述的振荡器电路，其中，每个电容器的第一电极通过充电电流镜的相应的充电电流镜晶体管耦合至电源电压节点，每个电容器的第二电极耦合至返回电压节点，并且其中，每个电容器的第一电极通过相应的放电晶体管耦合至所述返回电压节点。3.如权利要求2所述的振荡器电路，其中，每个所述电容器的第一电极进一步通过充电电流控制晶体管耦合至所述返回电压节点，所述充电电流控制晶体管的栅极耦合至所述补偿脉冲输入节点。4.如权利要求3所述的振荡器电路，其中，每个充电电流控制晶体管将每个电容器的相应的第一电极通过充电控制电流镜的充电控制镜像晶体管耦合至返回电压节点。5.如权利要求4所述的振荡器电路，其中，通过所述电容器之一的充电电流由下式决定：Icmt-K×Iref×Dcycle其中，Icmt是由所述充电电流镜晶体管提供的电流，K×Iref是可由所述充电控制镜像晶体管供给的不间断电流值，Dcycle是所述补偿二进制脉冲的占空比。6.如权利要求4所述的振荡器电路，其中，所述脉冲发生器包括NMOS和PMOS比较器。7.如权利要求4所述的振荡器电路，其中，所述脉冲发生器被配置为使得所述补偿二进制脉冲的占空比少于20％。8.如权利要求4所述的振荡器电路，其中，所述补偿二进制脉冲的频率为所述振荡器输出节点处的所述输出信号的工作频率的至少4倍。9.如权利要求4所述的振荡器电路，其中，所述信号发生器包括决定补偿频率信号的工作频率的信号发生器电容器，所述工作频率取决于所述信号发生器电容器的充电速率，并且其中，所述信号发生器电容器和所述振荡器模块的电容器紧挨着在公共硅基板上形成，并且具有相同的硅布局方向。10.一种振荡器模块，包括：振荡器输出节点和脉冲信号输入节点；以及至少两电容器，其中，每个电容器的第一电极通过充电电流镜的相应的充电电流镜晶体管耦合至电源电压节点；每个电容器的第二电极耦合至返回电压节点，并且其中，每个电容器的第一电极通过相应的放电晶体管耦合至返回电压节点，以及进一步通过充电电流控制晶体管耦合至返回电压节点，所述充电电流控制晶体管的栅极耦合至补偿脉冲输入节点，其中，在工作时，所述振荡器在所述振荡器输出节点提供输出信号，所述输出信号所处在的频率取决于所述电容器的充电速率，并且其中，所述电容器电子特性的漂移变化由提供至所述脉冲信号输入节点的补偿二进制脉冲的占空比变化所抵消，从而维持所述电容器的充电速率的大致恒定。