信号放大器的制造方法
【专利摘要】本发明公开一种信号放大器，包括有一第一晶体管，包括有一第一端、一第二端以及一控制端；一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的该第一端，另一端耦接于该第一晶体管的该控制端，以及一电容，其一端耦接于该第一晶体管的该控制端，另一端耦接于一特定电压。
【专利说明】信号放大器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种信号放大器，尤指一种可产生零点补偿信号衰减，以增加高频增益的信号放大器。
【背景技术】
[0002]一般来说，信号放大器在高频段应用下，会因为通道低通(low pass)效应及放大器内部寄生电容而有信号衰减现象发生。为了补偿信号衰减量，通常在信号路径上加入零点(zero)，以提高信号增益进行补偿。在公知技术中，常用来加入零点的方式为使用电容退化(capacitive degeneration)或使用电感性负载等。
[0003]举例来说，请参考图1A及图1B，图1A为公知一差动信号放大器10的示意图，而图1B为图1A所示的差动信号放大器10的部分小信号等效电路示意图。如图1A及图1B所示，公知差动信号放大器10在晶体管Mp M2的源极加入一电阻Rs及一电容Cs形成源极电容退化的架构，以产生一零点Z1=IziRsCs。
[0004]另一方面，请参考图2，图2为公知一单端信号放大器20的示意图。如图2所示，公知单端信号放大器20在将一负载Rd串联一电感Ld形成电感性负载，以产生一零点Z2=Rd/Ld0
[0005]上述差动信号放大器10及单端信号放大器20的架构及零点推导方式为本领域普通技术人员所熟知。然而，仅以使用电容退化或使用电感性负载加入零点在应用上较缺乏弹性。有鉴于此，实有必要增加其它加入零点的方式。
【发明内容】
[0006]因此，本发明的主要目的即在于提供一种可产生零点补偿信号衰减以增加高频增益的信号放大器。
[0007]本发明公开一种信号放大器。该信号放大器包括有一第一晶体管，包括有一第一端、一第二端以及一控制端；一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的该第一端，另一端耦接于该第一晶体管的该控制端，以及一电容，其一端耦接于该第一晶体管的该控制端，另一端耦接于一特定电压。
[0008]本发明还公开一种信号放大器。该信号放大器包括有一第一晶体管，包括有一第一端、一第二端以及一控制端；一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的该控制端，另一端耦接于一特定电压，以及一电容，其一端耦接于该第一晶体管的该第二端，另一端耦接于该第一晶体管的该控制端。
[0009]在此配合下列图示、实施例的详细说明及权利要求书，将上述及本发明的其它目的与优点详述于后。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1A为公知一差动信号放大器的示意图。[0011]图1B为图1A所示的差动信号放大器的部分小信号等效电路示意图。
[0012]图2为公知一单端信号放大器的示意图。
[0013]图3A为本发明实施例一单端信号放大器的示意图。
[0014]图3B为图3A所示的单端信号放大器的下半部分小信号等效电路示意图。
[0015]图4至图6为本发明实施例其它单端信号放大器的示意图。
[0016]其中，附图标记说明如下:
[0017]
【权利要求】
1.一种信号放大器，其特征在于，包括有: 一第一晶体管，包括有一第一端、一第二端以及一控制端； 一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的该第一端，另一端耦接于该第一晶体管的该控制端，以及 一电容，其一端耦接于该第一晶体管的该控制端，另一端耦接于一特定电压。
2.如权利要求1所述的信号放大器，其特征在于，该第一晶体管为一金氧半晶体管，该第一端、该第二端以及该控制端分别为一汲极、一源极以及一闸极。
3.如权利要求1所述的信号放大器，其特征在于，还包括: 一第二晶体管，包括有一第一端、一第二端以及一控制端，其第一端耦接于该第一晶体管的该第一端，其控制端用来接收一输入电压。
4.如权利要求3所述的信号放大器，其特征在于，该第一晶体管为一N型金氧半晶体管，该第二晶体管为一 P型金氧半晶体管，而该特定电压为一接地电压。
5.如权利要求3所述的信号放大器，其特征在于，该第一晶体管为一P型金氧半晶体管，该第二晶体管为一 N型金氧半晶体管,而该特定电压为一系统电压。
6.如权利要求1所述的信号放大器，其特征在于，该特定电压由一电压源或一电流源所提供。
7.如权利要求1所 述的信号放大器，其特征在于，该电容为该第一晶体管的一寄生电容。
8.如权利要求1所述的信号放大器，其特征在于，该第一晶体管为双极性接面晶体管，该第一端、该第二端以及该控制端分别为一集极、一射极以及一基极。
9.一种信号放大器，其特征在于，包括有: 一第一晶体管，包括有一第一端、一第二端以及一控制端； 一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的该控制端，另一端耦接于一特定电压，以及一电容，其一端耦接于该第一晶体管的该第二端，另一端耦接于该第一晶体管的该控制端。
10.如权利要求9所述的信号放大器，其特征在于，该第一晶体管为一金氧半晶体管，该第一端、该第二端以及该控制端分别为一汲极、一源极以及一闸极。
11.如权利要求9所述的信号放大器，其特征在于，还包括: 一第二晶体管，包括有一第一端、一第二端以及一控制端，其第一端耦接于该第一晶体管的该第二端，其控制端用来接收一输入电压。
12.如权利要求11所述的信号放大器，其特征在于，该第一晶体管为一P型金氧半晶体管，该第二晶体管为一 P型金氧半晶体管，而该特定电压为一接地电压。
13.如权利要求11所述的信号放大器，其特征在于，该第一晶体管为一N型金氧半晶体管，该第二晶体管为一 N型金氧半晶体管,而该特定电压为一系统电压。
14.如权利要求9所述的信号放大器，其特征在于，该特定电压由一电压源或一电流源所提供。
15.如权利要求9所述的信号放大器，其特征在于，该电容为该第一晶体管的一寄生电容。
16.如权利要求9所述的信号放大器，其特征在于，该第一晶体管为双极性接面晶体管，该第一端、 该第二端以及该控制端分别为一集极、一射极以及一基极。
【文档编号】H03F3/16GK103580622SQ201210271570
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年8月1日 优先权日:2012年8月1日
【发明者】林家弘, 林直庆 申请人:联咏科技股份有限公司