专利名称：一种无极性电子开关的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子控制、电源变换和电源管理领域，具体是ー种无极性电子开关。
背景技术：
无极性电源即外接电源连接时无需考虑正负极连接关系，可以做任意正反接线。目前，无极性电源的导通方式主要采用继电器来实现的，但继电器体积大、可靠性低，满足不了可靠性要求高或开关频度高的场合。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供ー种无极性电子开关，其可实现电源回路双向导通和阻断的目的。本发明的技术方案为
ー种无极性电子开关，包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管，两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路I引脚连接，两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。所述的两个MOSFET管选用两个N型MOSFET管或两个P型MOSFET管。所述的无极性电子开关还包括有放电电阻，放电电阻的两端并联连接于驱动电路1、2引脚上。本发明的优点
(1)、本发明的漏极分别与电源回路3、4引脚连接，电源回路3、4引脚可分别作为电源回路的正极或负极连接端，无需区分本发明连接时的正负极，不受极性限制可随便对接，安装连接简单方便；
(2)、本发明的导通和阻断依据驱动电路正负极电压的大小，当驱动电路正负极电压大于本发明MOSFET管的导通电压时，开关即导通，当驱动电路正负极电压小于本发明MOSFET管的截止电压时，开关即阻断，从而实现无极性开关的作用，解决了如DC/DC、BMS电池管理系统和其它エ业控制电路内要求电子开关可以双向导通和阻断的场合。
图I是本发明的结构示意图。图2是本发明实施例I的连接结构示意图。图3是本发明实施例2的连接结构示意图。图4是本发明实施例3的连接结构示意图。图5是本发明实施例4的连接结构示意图。
具体实施方式
见图I, ー种无极性电子开关,包括有壳体I、壳体I上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路I、2引脚，壳体I内设置有两个相互连接的MOSFET管Ql、Q2，两个MOSFET管Ql、Q2的门极相互连接后与驱动电路I引脚连接，两个MOSFET管Ql、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个MOSFET管Ql、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接，驱动电路1、2引脚上并联连接有放电电阻Rl。实施例I
见图2，一种为无极性电子开关，包括有壳体I、壳体I上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体I内设置有两个相互连接的N型MOSFET管Ql、Q2，两个N型MOSFET管Q1、Q2的门极相互连接后与驱动电路I引脚连接，两个N型MOSFET管Q1、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个N型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接；驱动电路I引脚与MOSFET驱动电路2正极连接，驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2负极连接，电源回路3引脚与电源回路的正极(高端)连接，电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的负极(接地端)连接，当驱动电路I引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于N型 MOSFET管Q1、Q2的导通电压时，N型MOSFET管Ql正向导通，Q2反向低阻导通，即无极性电子开关开启；反之，当驱动电路I引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于N型MOSFET管的截止电压时，Ql截止，从而Ql、Q2两N型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态，即无极性电子开关关闭。实施例2
见图3，一种为无极性电子开关，包括有壳体I、壳体I上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体I内设置有两个相互连接的N型MOSFET管Ql、Q2，两个N型MOSFET管Ql、Q2的门极相互连接后与驱动电路I引脚连接，两个N型MOSFET管Ql、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个N型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接；驱动电路I引脚与MOSFET驱动电路2正极连接，驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2负极连接，电源回路3引脚与电源回路的负极(接地端)连接，电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的正极(高端)连接，当驱动电路I引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于N型MOSFET管的导通电压时，N型MOSFET管Q2正向导通，Ql反向低阻导通，即无极性电子开关开启；反之，当驱动电路I引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于N型MOSFET管的截止电压时，Q2截止，从而QI、Q2两N型MOSFET管连接的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态，即无极性电子开关关闭。实施例3
见图4，一种为无极性电子开关，包括有壳体I、壳体I上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体I内设置有两个相互连接的P型MOSFET管Ql、Q2，两个P型MOSFET管Ql、Q2的门极相互连接后与驱动电路I引脚连接，两个P型MOSFET管Ql、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个P型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接；驱动电路I引脚与MOSFET驱动电路2负极连接，驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2正极连接，电源回路3引脚与电源回路的正极(高端)连接，电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的负极(接地端)连接，当驱动电路I引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于P型MOSFET管的导通电压时，P型MOSFET管Ql正向导通，Q2反向低阻导通，即无极性电子开关开启；反之，当驱动电路I引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于P型MOSFET管的截止电压时，Ql截止，从而Q1、Q2两P型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态，即无极性电子开关关闭。实施例4
见图5，一种为无极性电子开关，包括有壳体I、壳体I上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体I内设置有两个相互连接的P型MOSFET管Ql、Q2，两个P型MOSFET管Ql、Q2的门极相互连接后与驱 动电路I引脚连接，两个P型MOSFET管Ql、Q2的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个P型MOSFET管Q1、Q2的漏极分别与电源回路3、4引脚连接；驱动电路I引脚与MOSFET驱动电路2负极连接，驱动电路2引脚与MOSFET驱动电路2正极连接，电源回路3引脚与电源回路的负极(接地端)连接，电源回路4引脚通过负载RL与电源回路的正极(高端)连接，当驱动电路I引脚和驱动电路2引脚之间的电压大于P型MOSFET管的导通电压时，P型MOSFET管Q2正向导通，Ql反向低阻导通，即无极性电子开关开启；反之，当驱动电路I引脚和驱动电路2引脚之间的电压小于P型MOSFET管的截止电压时，Q2截止，从而Q1、Q2两P型MOSFET管组成的电源回路3、4引脚处于电源的截止状态，即无极性电子开关关闭。
权利要求
1.一种无极性电子开关，其特征在于包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管，两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路I引脚连接，两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。
2.根据权利要求I所述的一种无极性电子开关，其特征在于所述的两个MOSFET管选用两个N型MOSFET管或两个P型MOSFET管。
3.根据权利要求I所述的一种无极性电子开关，其特征在于所述的无极性电子开关还包括有放电电阻，放电电阻的两端并联连接于驱动电路1、2引脚上。
全文摘要
本发明公开了一种无极性电子开关，包括有壳体、壳体上设置有电源回路3、4引脚和驱动电路1、2引脚，壳体内设置有两个相互连接的MOSFET管，两个MOSFET管的门极相互连接后与驱动电路1引脚连接，两个MOSFET管的源极相互连接后与驱动电路2引脚连接，两个MOSFET管的漏极分别与电源回路3、4引脚连接。本发明的漏极分别与电源回路3、4引脚连接，电源回路3、4引脚可分别作为电源回路的正极或负极连接端，无需区分本发明连接时的正负极，不受极性限制可随便对接，安装连接简单方便。
文档编号H03K17/687GK102957408SQ20121047266
公开日2013年3月6日 申请日期2012年11月21日 优先权日2012年11月21日
发明者袁廷华, 袁旭, 秦彦超, 施东仁 申请人:合肥创源车辆控制技术有限公司