无线通信装置的制作方法

专利名称：：无线通信装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及无线通信装置，并且更特别地涉及可应用于能够校正发射功率特性的无线通信装置的有效技术。
背景技术：
：例如在日本未经审查的专利公开N0.2003-198294中描述的技术提供了功率放大器装置中的发送信号功率电平变化的全系统范围的校正。更具体地，用作基带电路的控制装置识别由检测器电路检测的发送信号功率电平，并且通过D/A转换器改变功率放大器装置的偏置直到达到预定的发送信号功率电平。然后将结果得到的D/A转换器的输出电压存储在存储器中以便校正变化。例如在日本未经审查的专利公开N0.2009-177240中描述的配置包括，例如，检测功率放大双极晶体管的基极电流和集电极电流的多个电流检测电路、输入检测的结果并且计算预定的参数的计算器以及根据由计算器计算的参数选择预定义的偏置条件的关联表(correlationtable)。
发明内容近年来，要求由移动电话典型地代表的无线通信系统的发送部减少例如它的功率消耗和发送功率特性方面的变化。确定功率消耗和发送功率特性的主要因素会是高频功率放大器的偏置方面的变化。高频功率放大器的偏置方面的变化可以例如减小功率附加效率并且增大失真。例如根据来自基带部的指令来确定偏置的值。然而，事实上，由多个电路执行用于接收指令并且实际产生发送功率的处理。因此，通过各种变化因素的组合的结果确定指示的偏置值与实际发送功率电平之间的关系。当以个体差异因素为基础观察时，以或多或少规则的方式发生变化。然而，当结合各种变化因素时，总体上可能发生更不规则的变化。在上述情形之下，可以例如通过根据实际发送功率电平的实际测量产生表示指示的偏置值与发送功率电平之间的关系的关联表，并且利用该关联表进行校正来精确地确定指示的偏置值与实际发送功率电平之间的关系。图14是示出已经被研究作为构成本发明的基础的前提的无线通信系统的示例性配置的示意性框图。图14中示出的无线通信系统包括高频功率放大器ΗΡΑ、偏置产生电路BSGEN、定向耦合器CPL、功率检测电路TOETC、数模转换电路DAC、模数转换电路ADC以及基带单元BBU。在上述的配置中，基带单元BBU通过数模转换电路DAC发出表示预定的发送功率电平的指令值给偏置产生电路BSGEN，并且偏置产生电路BSGEN将与指令值对应的偏置供应给高频功率放大器ΗΡΑ。同时，来自高频功率放大器HPA的发送功率电平(Pout)由定向耦合器CPL和功率检测电路PDETC检测，并且通过模数转换电路ADC传递给基带单元BBU。然后基带单元BBU将检测的发送功率电平与指令值进行比较。如果检测的发送功率电平不同于指令值，则基带单元BBU通过数模转换电路DAC指示偏置产生电路BSGEN改变偏置。基带单元BBU重复上述处理以便获得检测的发送功率电平与指令值之间的误差，产生描述例如相对于表示发送功率电平的每个指令值的误差的关联表，并且将关联表存储在非易失性存储器ROM中。随后，基带单元BBU能够通过参考关联表并且发出表示发送功率电平的指令来进行误差校正。然而，当使用图14中描绘的校正方法时，由于在基带单元BBU发出表示发送功率电平的指令的时刻与获得结果的时刻之间使用的路径中存在各种变化因素，因此如前所述总体上可能发生不规则变化。因此，需要不断地产生关联表并且使用大量校正资源，例如，大量的表创建时间以及大量的存储器。因此，事实上，通过使用有限数量的资源来产生关联表。在这种情况中，相反，难以获得最佳的关联表设定(校正参数)。这使得难以提高发送功率特性相对于指示的偏置值的精度。换句话说，由于图14中描绘的校正方法共同地且平均地校正系统的整个变化，因此可能发生上述情形。鉴于以上情形并且出于例如提高无线通信装置的发送功率特性或者减少为提高发送功率特性所需的资源的目的，执行稍后描述的实施例。根据以下详细描述以及附图，本发明的这些和其它益处以及新颖的特征将变得清晰。下面将简要地概述通过本发明提供的用于解决先前描述的问题的代表性的手段。根据本发明的一个方面，提供了一种无线通信装置，该无线通信装置包括功率放大晶体管、偏置产生电路、数模转换电路、校正电路块、正常操作模式以及校正操作模式。数模转换电路产生第一输入电平。偏置产生电路根据第一输入电平产生偏置并且将产生的偏置供应给功率放大晶体管。在校正操作模式中，校正电路块将测试输入电平施加到偏置产生电路作为第一输入电平，搜索使包括在偏置产生电路中的第一节点的电平与预定的基准电平一致的测试输入电平的变化量，并且保持变化量作为校正值。在正常操作模式中，数模转换电路产生反映校正值的第一输入电平。本发明的上述的方面使得可以提高发送功率特性或者减少为提高发送功率特性所需的资源。图1是示出根据本发明第一实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图；图2是详细地示出均被包括在图1中示出的无线通信装置内的偏置产生电路和高频功率放大器的示例性配置的电路图；图3是详细地示出被包括在图1和图2中示出的无线通信装置内的偏置检测电路的示例性配置的电路图；图4是示出在图1中示出的无线通信装置内盛行(prevail)的发送功率电平和偏置设立(setup)电压之间的示例性的关系的图；图5A和图5B是示出当图1和图4中示出的无线通信装置中存在偏置变化时进行的校正的图，其中图5A是示出在偏置产生电路中存在元件变化的情况的图，并且图5B是示出偏置设立电压变化的情况的图；图6是示出图1中示出的无线通信装置的主要部件的示例性制造处理的流程图；图7是示出根据本发明第二实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图；图8是详细地示出被包括在图7中示出的无线通信装置内的偏置检测电路及其相邻电路的示例性配置的电路图；图9是示出图7所示出的无线通信装置中的被执行用于偏置校正的示例性操作的图；图10是示出根据本发明第三实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图；图11是示出根据本发明第四实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图；图12是示出根据本发明第五实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图；图13是示出根据本发明第六实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图；以及图14是示出已经被研究作为构成本发明的基础的前提的无线通信系统的示例性配置的示意性框图。具体实施例方式在稍后描述的实施例中，如果为了方便起见必要的话，通过将本发明分割成多个部分或者实施例来说明本发明。然而，除非明确地陈述，否则这些部分或者实施例不是彼此不相干的。存在这种关系使得例如，一个部分或者实施例是其它部分或者实施例的部分或者整个的变型、详细描述或者互补说明。此外，在稍后描述的实施例中，在提及元件等的数字(包括例如个数、数值、量、以及范围)时，除非另有特别地指定或者原则上该数字显然限于指定的数字，否则该数字不限于指定的数字并且可以被设定为比指定的数字高或低的值。此外，在稍后描述的实施例中，除非另有明确地陈述或除原则上结构元件显然不可缺少的情况之外，显然结构元件(包括元素步骤)不一定是不可缺少的。类似地，在稍后描述的实施例中，在提及例如结构元件的形状以及结构元件之间的位置关系时，除非另有明确地陈述或除可以设想原则上它们显然被排除的情况之外，基本接近或者类似的形状等被包括在其中。同样适用于上述数值和范围。此外，包括在实施例的每个功能块中的电路元件不被特别地限制，而是通过使用用于CMOS晶体管(互补MOS晶体管)等的已知的集成电路技术来在单晶硅等的半导体衬底之上形成。虽然在实施例中使用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)(简写为MOS晶体管)作为MISFET(金属绝缘体半导体场效应晶体管)的示例，但是不排除非氧化物膜作为栅极绝缘膜。在附图中，P沟道MOS晶体管(PM0S晶体管)的栅极用箭头标记，以便将其与N沟道MOS晶体管(NM0S晶体管)区分开。在附图中，没有特别地指出MOS晶体管的衬底电位的耦接。只要MOS晶体管在正常工作的范围之内，不具体地约束其耦接的方法。现在将参考附图详细描述本发明的实施例。在描绘实施例的所有附图中，相似的元件通常由相似的附图标记指示。不会多余地描述这种相似的元件。第一实施例<无线通信装置的主要部件的概述>图1是示出根据本发明第一实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图。图1中示出的无线通信装置包括基带单元BBU和高频系统部RFSYS。基带单元BBU执行基带处理。高频系统部RFSYS执行高频带处理。高频系统部RFSYS包括偏置控制部BSCTL和功率放大器部HPABK。功率放大器部HPABK包括偏置产生电路BSGEN、高频功率放大器HPA和偏置检测电路SENS。偏置产生电路BSGEN根据偏置设立电压Vb产生偏置并且将产生的偏置供应给高频功率放大器ΗΡΑ。高频功率放大器HPA通过使用偏置作为工作点来将输入功率信号Pin功率放大并且将输出功率信号Pout输出。偏置检测电路SENS检测偏置的电平。偏置控制部BSCTL包括误差放大器EAb、校正电路CC、数模转换电路DAC和存储器MEM。误差放大器EAb将由偏置检测电路SENS检测的结果与预定的基准电压Vref进行比较，并且放大通过比较检测的任何误差。校正电路CC根据误差放大器EAb的输出来产生预定义的比特校正值ABC。数模转换电路DAC从基带单元BBU接收用于指定发送功率的电平的偏置指令码VB⑶，并且将通过将比特校正值ABC反映在偏置指令码VB⑶中获得的数字码转换为它的模拟对等物(equivalent)以便输出上述偏置设立电压Vb。在上述的示例性配置中，例如，数模转换电路DAC中的偏置指令码VB⑶与偏置设立电压Vb之间的关系以及偏置产生电路BSGEN中的偏置设立电压Vb与实际产生的偏置之间的关系可能由于例如高频系统部RFSYS的各个单元之间的制造变化而变化。鉴于这种情形，图1中示出的无线通信装置具有校正操作模式与正常操作模式，并且使用校正操作模式来校正这种变化。在校正操作模式中，从基带单元BBU输入用于测试的偏置指令码VB⑶，并且将根据偏置指令码VB⑶预定的基准电压Vref输入到误差放大器EAb中。偏置指令码VB⑶不限于被从基带单元BBU输入。它可以可替代地被从外部检查装置等输入。优选的是基准电压Vref被从外部检查装置或者能够设定精确的电压值的其它装置输入。在例如初始状态中的比特校正值ΛBC为零的假设下，数模转换电路DAC将偏置指令码VBCD转换为它的模拟对等物，以便产生偏置设立电压Vb。偏置产生电路BSGEN根据偏置设立电压Vb产生偏置(偏置电流或者偏置电压)，并且偏置检测电路SENS检测产生的偏置的电平。误差放大器EAb放大由偏置检测电路SENS检测的电平与基准电压Vref之间的误差。校正电路CC改变比特校正值ABC以便减少由误差放大器EAb放大的误差。这使得数模转换电路DAC通过将通过在上述用于测试的偏置指令码VBCD中反映比特校正值ΛBC获得的数字码转换为它的模拟对等物来更新偏置设立电压Vb。随后，自动重复偏置校正循环上的上述处理来产生使误差放大器EAb放大的误差最小化的比特校正值ABC。校正电路CC将产生的比特校正值ΛBC存储在存储器MEM中。存储器MEM不被具体地限定，但是能够例如由非易失性存储器实现。然而，如果偏置指令码VB⑶与比特校正值ABC之间的关系是固定的或者由线性函数给出，则存储器MEM能够例如由熔丝或者多个接合导线(用于通过使用电源电压或者接地电源电压作为耦接目的地来保持信息)实现。另一方面，在正常操作模式中，数模转换电路DAC在从基带单元BBU收到用于正常操作的偏置指令码VBCD时将校正值请求信号REQ发给校正电路CC。响应于校正值请求信号REQ,校正电路CC返回比特校正值ΛBC。数模转换电路DAC通过将通过在偏置指令码VB⑶中反映比特校正值ABC获得的数字码转换为它的模拟对等物来输出偏置设立电压Vb。这使得可以进行校正，以使得偏置指令码VB⑶与实际供应给高频功率放大器HPA的偏置之间的关系在每个无线通信装置中是固定的。如上所述，根据第一实施例的无线通信装置逐个地去除各种变化因素，也就是说，以与图14中描绘的方法不同的方式，来简化变化的规则性，提高偏置指令码VBCD与输出功率信号Pout之间的关系的精度，并且减少为校正变化所需的资源。首先，根据本实施例的无线通信装置特别注意极大地影响发送功率特性的偏置，并且通过使用上述高频系统部RFSYS内构建的偏置校正循环来观察和自动校正偏置本身。如上所述，当预先构建校正了偏置的高频系统部RFSYS时，当它通过将基带单元BBU等与高频系统部RFSYS结合来构建无线通信系统时，能够减少例如施加在组装制造者上的负担。换句话说，即使在例如要通过例如与图14中描绘的方法类似的方法校正包括基带单元BBU的整个系统中的变化时，已经减少了变化元件。因此，能够通过使用有限资源(关联表创建时间、关联表保存存储器等)容易地获得最佳的校正参数。当容易获得最佳的校正参数时，指示的偏置值和实际发送功率电平之间的关系的精度能够被提高来提高发送功率特性(例如，提供高频功率放大器HPA中的功率附加效率提高和失真减少)。此外，当方法在没有检测例如高频功率放大器HPA的发送功率的情况下观察和校正偏置本身时，根据图1明显的是，能够减少为进行校正所需的资源(例如，电路规模、电路设计时间、用于校正的处理时间)。因此，可以抑制施加于高频系统部RFSYS的部件制造者上的负担的增大。因此，总体上，能够在抑制为变化校正所需的资源的量增大的同时提高发送功率特性。当注意力集中在精确的偏置校正上时，可以设想可以采用例如在日本未经审查的专利公开N0.2009-177240中描述的技术。然而，这一技术或者使用例如多个电流检测电路、计算器和关联表的其它类似技术的使用可能过度地增大需要的资源的量。因此，虽然施加于组装制造者的负担在一些情况下能够被减少，但是施加于部件制造者的负担可能显著地增大。在不同的观点中，在图1中描绘的方法的使用使得可以增大例如功率放大器部HPABK的制造成品率。换句话说，当例如通过单个半导体芯片来形成功率放大器部HPABK时，高频功率放大器HPA的制造变化被添加到偏置产生电路BSGEN的变化使得发送功率特性极大地改变。这在半导体芯片被检查时可能减少成品率。因此，如果假定图1中描绘的方法能够抑制偏置产生电路BSGEN的变化，则在功率放大器部HPABK的检查期间可以仅仅检查高频功率放大器HPA的制造变化。因此，能够预期的是制造成品率将增大。更具体地，即使在预定的偏置设立电压Vb不产生预定的发送功率特性的情形中，只要通过在一定程度上改变预定的偏置设立电压Vb来获得预定的发送功率特性，半导体芯片就可以变为合格品。<高频功率放大器和偏置产生电路的细节>图2是详细地示出均被包括在图1中示出的无线通信装置内的偏置产生电路和高频功率放大器的示例性配置的电路图。基于例如W-CDMA(宽带码分多址)和LTE(长期演进)的无线通信装置可以使用图2中示出的电路。在图2中，高频功率放大器HPA包括例如功率放大双极晶体管Qout、偏置双极晶体管Qbs、电阻器Rl和耦合电容器Cin。功率放大双极晶体管Qout是发射极接地的。偏置双极晶体管Qbs是射极跟随器。电阻器Rl被布置在偏置双极晶体管Qbs的发射极和功率放大双极晶体管Qout的基极之间。耦合电容器Cin将输入功率信号Pin耦接到功率放大双极晶体管Qout的基极。功率放大双极晶体管Qout是例如HBT(异质结双极晶体管)。电阻器Rl用于例如防止输入功率信号Pin泄漏到偏置产生电路BSGEN中。偏置产生电路BSGEN包括偏置电阻器Rb、二极管Dbl和二极管Db2，如从朝向偏置设立电压Vb—侧观看的，偏置电阻器Rb、二极管Dbl和二极管Db2被顺序地串联耦接在用于偏置设立电压Vb的供应节点与接地电源电压GND之间。二极管Dbl、Db2的阴极被放置为朝向接地电源电压GND，并且从偏置电阻器Rb和二极管Dbl的阳极的公共耦接节点朝向偏置双极晶体管Qbs的基极施加信号。二极管Dbl、Db2例如通过二极管式耦接的双极晶体管来实现。二极管Dbl、Db2和偏置双极晶体管Qbs用于例如补偿功率放大双极晶体管Qout的温度依赖性。偏置双极晶体管Qbs还用于例如防止当来自功率放大双极晶体管Qout的发送功率的电平高时偏置到功率放大双极晶体管Qout的供应变得不够。当在利用上述的示例性配置的同时施加偏置设立电压Vb时，主要取决于电阻器Rb的偏置设立电流Ib流动，使得反映偏置设立电流Ib的幅度的偏置电流Iq在功率放大双极晶体管Qout中被设定。然而，事实上，偏置设立电流Ib的幅度可能由于例如偏置设立电压Vb的变化以及电阻器Rb和二极管Dbl、Db2的制造变化而偏离它的设计值，由此使得偏置电流Iq改变。于是，设置例如图3中示出的偏置检测电路SENS。<偏置检测电路的细节>图3是详细地示出被包括在图1和图2中示出的无线通信装置内的偏置检测电路的示例性配置的电路图。图3中示出的偏置检测电路SENS包括开关SWb和电阻器Rsmd。开关SWb在一个端部处被耦接到偏置产生电路BSGEN中的二极管Dbl的阴极(二极管Db2的阳极)，并且在另一个端部处耦接到误差放大器EAb的两个输入中的一个输入。电阻器Rsmd被耦接在误差放大器EAb的两个输入中的一个输入与接地电源电压GND之间。优选的是高精度电阻元件被用作电阻器Rsmd。根据该观点，使用在半导体芯片外部的SMD(表面安装器件)。此外，假定偏置控制部BSCTL和偏置产生电路BSGEN由其它半导体芯片实现。因此，在用于偏置控制部BSCTL的半导体芯片之上形成开关SWb。因此，二极管Dbl的阴极通过偏置产生电路BSGEN的外部端子PNo以及通过偏置控制部BSCTL的外部端子PNi耦接到开关SWb的一个端部，并且开关SWb的另一个端部通过偏置控制部BSCTL的外部端子PNr率禹接到电阻器Rsmd。如果二极管Dbl、Db2的正向电压为VF，则电阻器Rsmd的电阻值被设定为使得当开关SWb被驱动为接通时在电阻器Rsmd的一个端部(PNr)处产生比VF低的电压。因此，当在开关SWb被驱动为接通的同时偏置设立电压Vb被施加到偏置产生电路BSGEN时，二极管Db2变为非活性的(被置于基本上断开的状态中)，使得反映二极管Dbl和电阻器Rb(以及电阻器Rsmd)的电学特性的电流lb’在以叙述的顺序布置电阻器Rb、二极管Dbl、开关SWb和电阻器Rsmd的路径中流动。在精确地预设电阻器Rsmd的电阻值时，获得具有反映电阻器Rb和二极管Dbl的制造变化的值的电流Ib’，使得电流lb’的值接近于图2中示出的偏置设立电流Ib的值。因此，当电流Ib’通过电阻器Rsmd被转换为电压(lb’XRsmd)并且由误差放大器EAb与基准电压Vref进行比较时能够进行变化校正。换句话说，能够通过预先计算在施加用于测试的预定的偏置设立电压Vb时在电阻器Rsmd的一端处显现的理想电压并且通过在早先描述的校正操作模式中施加计算的电压作为基准电压Vref，来进行变化校正。还应该注意，在正常操作模式中开关SWb被驱动为断开。偏置检测电路SENS的配置不限于图3中示出的示例并且能够在需要时被改变。例如，替代方案是使具有偏置产生电路BSGEN的半导体芯片设置有其中反映了偏置产生电路的电路配置和处理结构的复制品(replica)电路并且出于检测目的使用复制品电路。然而，考虑到电路规模以及在复制品电路和偏置产生电路之间实际发生的微小误差，图3中示出的配置的使用是优选的。此外，在一些情况下，能够通过检测电压(例如，二极管Dbl的阳极电压)而不是检测电流在没有设置电阻器Rsmd的情况下进行变化校正。然而，出于变化校正精度增强的观点，图3中描绘的电流检测方法的使用是优选的。此外，很明显偏置产生电路和高频功率放大器的配置不限于图2和图3中示出的示例。可以根据每个电路的配置在需要时设置偏置检测电路。<偏置校正操作的概述>图4是示出在图1中示出的无线通信装置内盛行的发送功率电平和偏置设立电压之间的示例性的关系的图。图5A和图5B是示出当图1和图4中示出的无线通信装置中存在偏置变化时进行的校正的图，其中图5A是示出在偏置产生电路中存在元件变化的情况的图，并且图5B是示出偏置设立电压变化的情况的图。如例如图4中所示出的，假设在偏置设立电压Vb和输出功率信号Pout中的发送功率电平之间理想地存在线性关系。如图5A所示，如果在偏置产生电路BSGEN中的元件(图2中示出的示例中的电阻器Rb和二极管Dbl、Db2)中存在制造变化，则在施加预定的偏置设立电压(VO)时功率放大双极晶体管Qout的工作点改变。结果，发送功率电平(Pout)改变。如果使用图1中描绘的变化校正方法，则误差放大器EAb检测变化作为例如图3中示出的示例中的偏置设立电流Ib’的改变，使得AV的偏移通过校正电路CC(图1)被添加到预定的偏置设立电压VO以便抵消改变的量，如图5A所示。因此，功率放大双极晶体管Qout的工作点变为固定的，使得发送功率电平(Pout)也变为固定的(PO)。此外，如图5B所示，如果偏置设立电压Vb本身从VO变化了AV，则功率放大双极晶体管Qout的工作点改变从而改变发送功率电平(Pout)。如果在该情况下使用图1中描绘的变化校正方法，则误差放大器EAb检测变化作为例如图3中示出的示例中的偏置设立电流Ib’的改变，使得通过校正电路CC(图1)添加AV的偏移以便抵消改变的量，如图5B所示。结果，偏置设立电压Vb回复到V0。因此，功率放大双极晶体管Qout的工作点变为固定的，使得发送功率电平(Pout)也变为固定的(PO)。<无线通信装置制造流程>图6是示出图1中示出的无线通信装置的主要部件的示例性制造处理的流程图。参考图6，在先前的处理(未示出)期间图1中示出的偏置控制部BSCTL和功率放大器部HPABK被形成在半导体圆片(rafer)之上。偏置控制部BSCTL和功率放大器部HPABK被形成在不同的半导体圆片之上，但是不一定必须利用这种形成方案。随后，半导体圆片经受例如切块(dicing)处理并且被分离成独立的半导体芯片。接下来，在图6中示出的步骤Sll中，半导体芯片(偏置控制部BSCTL和功率放大器部HPABK)被安装在模块布线板(典型地，陶瓷布线板)之上。然后，在步骤S12中，执行偏置校正处理。在步骤S12中，校正系统开启(步骤S121)以便搜索校正量(步骤S122)。然后校正系统关断(步骤S123)以便存储校正的结果(步骤S124)。更具体地，如参考图1所描述的，高频系统部RFSYS被置于校正操作模式中，以便构建偏置校正循环(步骤S121)，并且随后例如从外部检查装置给出用于测试的预定的偏置指令码VBCD和关联的基准电压Vref。因此，搜索最佳的比特校正值ABC(步骤S122)以便锁存搜索的结果。随后，如果例如偏置控制部BSCTL包括非易失性存储器作为存储器MEM，则锁存的信息被存储在存储器MEM中(步骤S124)。另一方面，如果偏置控制部BSCTL包括不同的装置(例如，熔丝或者接合导线)作为存储器MEM，则锁存的信息首先由外部检查装置等读取并且随后反映在后续的熔丝切断处理或者接合导线处理中。在完成上述的偏置校正处理(步骤S12)之后，对校正了偏置的高频系统部RFSYS检查包括发送功率特性的预定的电学特性(步骤S13)。作为检查的结果被认为是合格品的产品被发货(步骤S14)。在这种情况下，在进行偏置校正时，能够期望的是高频系统部RFSYS的成品率被增大。随后，如早先描述的，由组装制造者例如将高频系统部RFSYS与基带单元BBU结合，并且以图14中描绘的方式进行校正。在这种情况下，由于高频系统部RFSYS被进行了偏置校正，因此能够减少施加于组装制造者的负担。如上所述，使用根据第一实施例的无线通信装置典型地使得可以提高发送功率特性并且减少为提高发送功率特性所需的资源。第二实施例<无线通信装置的主要部件的概述(第一变型示例)>图7是示出根据本发明第二实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图。图7所示出的无线通信装置的配置与图1中示出的示例性配置的不同之处在于，高频功率放大器HPA包括两个级联(cascade)耦合的电路，并且相应地设置两个偏置检测电路SENS[1]、SENS[2]，并且还在于数模转换电路DAC输出两个不同的偏置设立电压Vb[I],Vb[2]ο分别与偏置设立电压Vb[l]、Vb[2]对应的两个不同的偏置指令码VBCD被输入到数模转换电路DAC中。高频功率放大器HPA包括驱动器电路DRV和功率放大器电路PA。驱动器电路DRV接收输入功率信号Pin。功率放大器电路PA被布置在驱动器电路DRV的下游以便将输出功率信号Pout输出。偏置产生电路BSGEN根据偏置设立电压Vb[l]向驱动器电路DRV供应偏置，并且根据偏置设立电压Vb[2]向功率放大器电路PA供应偏置。偏置检测电路SENS[I]检测驱动器电路DRV的偏置，而偏置检测电路SENS[2]检测功率放大器电路PA的偏置。<偏置检测电路的细节(第一变型示例)>图8是详细地示出被包括在图7中示出的无线通信装置内的偏置检测电路及其相邻电路的示例性配置的电路图。通过扩展图3中示出的示例性配置来获得图8中示出的示例性配置。偏置产生电路BSGEN包括两个偏置产生电路BSGEN[I],BSGEN[2]，其中每一个具有图3中示出的电路。偏置产生电路BSGEN[1]在收到偏置设立电压Vb[l]时工作。偏置产生电路BSGEN[2]在收到偏置设立电压Vb[2]时工作。图8中示出的偏置检测电路SENS被配置为使得两个开关SWb[I],Sffb[2]的一个端部公共地耦接到电阻器Rsmd的一个端部(外部端子PNr)，其已经参考图3被描述。开关SWb[l]的另一个端部通过偏置控制部BSCTL的外部端子PNi[l]并且通过偏置产生电路BSGEN[1]的外部端子PNo[l]耦接到上述二极管的一个端部。开关SWb[2]的另一个端部通过偏置控制部BSCTL的外部端子PNi[2]并且通过偏置产生电路BSGEN[2]的外部端子PNo[2]耦接到上述二极管的一个端部。当在施加用于测试的预定偏置设立电压Vb[l]和关联的基准电压Vref的同时上述的示例性配置被用来驱动开关SWb[I]/SWb[2]在上述校正操作模式中接通/断开时，能够根据在偏置产生电路BSGEN[1]中流动的电流Ib’[I]来校正驱动器电路DRV的偏置。类似地，当在施加用于测试的预定偏置设立电压Vb[2]和关联的基准电压Vref的同时开关Sffb[I]/Sffb[2]被驱动为接通/断开时，能够根据在偏置产生电路BSGEN[2]中流动的电流Ib’[2]来校正功率放大器电路PA的偏置。在这种情况下，能够通过在开关SWb[I]、SWb[2]之间进行选择来共用电阻器Rsmd。因此，能够抑制电路规模(资源)的增大。图9是示出图7所示出的无线通信装置中的被执行用于偏置校正的示例性操作的图。当例如对于每个偏置设立电压Vb(Vb[l]，Vb[2])存在一个校正观察点时，相对于偏置设立电压Vb的改变的实际偏置改变的量可以根据例如偏置产生电路BSGEN中的独立元件的特性的平衡方面的差异或者根据数模转换电路DAC的线性特性方面的差异而变化。例如，图8中的偏置设立电压Vb[l]和电流Ib’[I]之间的关系表达式可以偏离期望的特性。于是，为每个偏置设立电压Vb提供多个校正观察点。这使得可以校正偏置设立电压Vb和实际偏置之间的关系表达式。在图9中示出的示例中，偏置设立电压Vb[l]被校正为使得，在偏置设立电压Vb[l]的值被设定在校正观察点Vl_l处时获得的实际偏置(它的反映值(图8中的Ib’[I]))以及在偏置设立电压Vb[l]的值被设定在校正观察点Vl_2处时获得的实际偏置(它的反映值)分别与预定值一致。类似地，偏置设立电压Vb[2]被校正为使得，在偏置设立电压Vb[2]的值被设定在校正观察点V2_l处时获得的实际偏置(它的反映值(图8中的Ib’[2]))以及在偏置设立电压Vb[2]的值被设定在校正观察点V2_2处时获得的实际偏置(它的反映值)分别与预定值一致。事实上，关联表被产生以便指定将被应用于每个偏置设立电压Vb(偏置指令码VB⑶)的设定的校正量，并且随后关联表的值通过上述校正来确定并且存储在存储器MEM中以便校正上述关系表达式。在通过实际偏置明确地(unambiguously)确定发送功率电平(Pout)的假设下来描绘图9中示出的示例。如上所述，使用根据第二实施例的无线通信装置使得可以不仅提供和第一实施例一起描述的各种益处，而且即使在高频功率放大器HPA包括多个电路时也通过使例如偏置检测电路(电阻器Rsmd)和误差放大器EAb通用化(commonalize)来抑制为发送功率特性的提高所需的资源的增加。此外，能够通过采用多个校正观察点来提高偏置指令码VBCD与发送功率电平之间的关系的精确性。第三实施例<无线通信装置的主要部件的概述(第二变型示例)>图10是示出根据本发明第三实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图。图10中示出的无线通信装置包括核心(core)功率放大器部HPABK_CR以及附加功率放大器部HPABK_AD1、HPABK_AD2。功率放大器部由不同的半导体芯片实现并且安装在同一个系统布线板(典型地陶瓷布线板)之上。核心功率放大器部HPABK_CR包括适用于频繁使用的国际频带以及通信方法(诸如GSM(注册商标)(全球移动通信系统)(所谓的2G)、W-CDMA(所谓的3G)和LTE)的多模、多带高频功率放大器的集合。同时，附加功率放大器部HPABK_AD1、HPABK_AD2各包括适用于不适用核心功率放大器部HPABK_CR的频带和通信方法的高频功率放大器，并且被设置为例如处理地区专用的频带。核心功率放大器部HPABK_CR包括数模转换电路DAC、校正电路CC、存储器MEM以及误差放大器EAb，其被和图1中示出的偏置控制部BSCTL—起描述。另外，核心功率放大器部HPABK_CR还包括选择电路SEL、偏置产生电路BSGEN_C、高频功率放大器HPA_C1、HPA_C2、偏置检测子电路SSEN_C1、SSEN_C2、控制逻辑电路LOG以及开关SWb_Cl、SWb_C2、Sffb_Al、SWb_A2。选择电路SEL从数模转换电路DAC接收输出信号(偏置设立电压Vb)，并且将所接收的信号输出到偏置产生电路BSGEN_C或者附加功率放大器部HPABK_AD1、HPABK_AD2。偏置产生电路BSGEN_C将偏置供应给高频功率放大器HPA_C1以及高频功率放大器HPA_C2。偏置检测子电路SSEN_C1检测供应给高频功率放大器HPA_C1的偏置，并且偏置检测子电路SSEN_C2检测供应给高频功率放大器HPA_C2的偏置。偏置检测子电路SSEN_C1检测的结果(例如，电流)通过开关SWb_Cl被供应给外部耦接的共用的电阻器Rsmd，并且供应的检测结果的电压对等物被输入到误差放大器EAb中。类似地，偏置检测子电路SSEN_C2检测的结果(例如，电流)通过开关SWb_C2被供应给共用的电阻器Rsmd，并且供应的检测结果的电压对等物被输入到误差放大器EAb中。控制逻辑电路LOG执行例如选择要使用的高频功率放大器(并且确定由选择电路SEL进行的选择)并且根据来自基带单元(未示出)的指令去激活未被选择的高频功率放大器的处理。此外，控制逻辑电路LOG在校正操作模式中实行控制以便使开关SWb_Cl、Sffb_C2、SWb_Al、Sffb_A2中的一个导通，并且在正常操作模式中实行控制以便使所有开关SWb_Cl、SWb_C2、SWb_Al、SWb_A2断开。在例如图3中示出的示例中，偏置检测子电路SSEN_C1、SSEN_C2各对应于开关SWb的一个端部和二极管的一个端部之间的布线。如上所述，核心功率放大器部HPABK_CR被配置为执行图1中示出的功率放大器部HPABK和偏置控制部BSCTL两者的功能，并且以与和第一或者第二实施例一起描述的方式相同的方式操作以便分别校正高频功率放大器HPA_C1、HPA_C2的偏置。附加功率放大器部HPABK_AD1包括偏置产生电路BSGEN_A1、高频功率放大器HPA_Al以及偏置检测子电路SSEN_A1。偏置检测子电路SSEN_A1检测的结果(例如，电流)被输入到核心功率放大器部HPABK_CR中并且通过核心功率放大器部HPABK_CR中的开关SWb_Al供应给共用的电阻器Rsmd，使得它的电压对等物被输入到误差放大器EAb中。类似地，附加功率放大器部HPABK_AD2包括偏置产生电路BSGEN_A2、高频功率放大器HPA_A2以及偏置检测子电路SSEN_A2。偏置检测子电路SSEN_A2检测的结果(例如，电流)被输入到核心功率放大器部HPABK_CR中并且通过核心功率放大器部HPABK_CR中的开关SWb_A2供应给共用的电阻器Rsmd，使得它的电压对等物被输入到误差放大器EAb中。当如上所述，核心功率放大器部HPABK_CR并入图1中示出的偏置控制部BSCTL使得偏置控制部BSCTL由核心功率放大器部HPABK_CR中的高频功率放大器和附加功率放大器部HPABK_AD1、HPABK_AD2中的高频功率放大器共同使用时，每个高频功率放大器的偏置能够利用少量的资源(电路规模等)被校正。此外，核心功率放大器部HPABK_CR在一些情况下初始包括非易失性存储器。在这种情况下，当由这种非易失性存储器实现存储器MEM时能够抑制资源的量的增加。第四实施例<无线通信装置的主要部件的概述(第三变型示例)>图11是示出根据本发明第四实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图。图11中示出的无线通信装置的配置与图1中示出的示例性配置的不同之处在于，功率放大器部HPABK由图11中示出的高频功率放大器模块HPAMD实现，并且图1中示出的偏置控制部BSCTL由图11中示出的高频信号处理器RFIC实现。高频功率放大器模块HPAMD由模块布线板实现。其中形成有高频功率放大器ΗΡΑ、偏置产生电路BSGEN和偏置检测电路SENS的半导体芯片以及布置在高频功率放大器HPA的输出路径中的各种部件(未示出)被安装在模块布线板之上。各种部件典型地包括输出匹配电路、用于检测高频功率放大器HPA的发送功率电平的定向耦合器以及用于根据频带将输出信号与输入信号分离的双工器。高频信号处理器RFIC由例如半导体芯片实现，并且除了来自图1中示出的偏置控制部BSCTL的各种电路之外还包括例如低噪声放大器电路LNA、发送/接收混合器电路MIX、锁相环电路PLL、正交调制器/正交解调器IQM0D。低噪声放大器电路LNA放大来自天线(未示出)的输入信号。正交解调器IQMOD例如由两个接收混合器电路MIX实现。更具体地，当每个混合器电路使用由锁相环电路PLL产生并且相位相差90度的局部振荡器信号以便将低噪声放大器电路LNA的输出信号向下转换(频率转换)为基带信号时，它被实现。类似地，正交调制器IQMOD例如由两个发送混合器电路MIX实现。更具体地，当每个混合器电路使用由锁相环电路PLL产生并且相位相差90度的局部振荡器信号以便将正交的基带信号(I信号和Q信号)进行向上转换(频率转换)并且向量合成转换的结果时，它被实现。近年来已经使得上述的高频信号处理器RFIC高功能化。在一些情况下，它并入非易失性存储器。在这种情况下，当由非易失性存储器实现存储器MEM时能够抑制资源的量的增加。第五实施例<无线通信装置的主要部件的概述(第四变型示例)>图12是示出根据本发明第五实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图。图12中示出的无线通信装置的配置与图7所示出的示例性配置的不同之处在于，功率放大器部HPABK另外包括定向耦合器CPL和功率检测电路H)ETC，并且偏置控制部BSCTL另外包括选择器开关SWS1、误差放大器EAapc和偏置校正电路BCC。定向耦合器CPL检测功率放大器电路PA的输出功率，而功率检测电路PDETC检测由定向耦合器CPL检测的输出功率的幅度并且输出具有与检测的幅度成比例的电压值的检测的电压信号VDET。误差放大器EAapc放大检测的电压信号VDET与来自基带单元BBU的功率指令信号Vramp之间的误差，并且偏置校正电路BCC自动调节偏置设立电压Vb[I]、Vb[2]以便减少误差。如上所述，在偏置校正电路BCC处开始、继续通过偏置产生电路BSGEN、高频功率放大器ΗΡΑ、耦合器CPL、功率检测电路PDETC和误差放大器EAapc、并且回到偏置校正电路BCC的循环被称为例如APC(自动功率控制)循环，并且被广泛地使用在例如GSM(注册商标)移动电话中。选择器开关SWSl选择，到误差放大器EAb中的输入是要从参考图7描述的偏置检测电路SENS[1]、SENS[2]接收还是为检测的电压信号VDET。当选择指示检测的电压信号VDET要被输入到误差放大器EAb中时，形成功率校正循环，该功率校正循环在数模转换电路DAC处开始，继续通过偏置产生电路BSGEN、高频功率放大器ΗΡΑ、耦合器CPL、功率检测电路H)ETC、误差放大器EAb和校正电路CC，并且回到数模转换电路DAC。在上述的示例性配置中，首先，选择器开关SWSl被放置在偏置检测电路位置中，以便利用到此为止描述的偏置校正循环来校正偏置。然后选择器开关SWSl被移到检测的电压信号VDET位置，以便利用功率校正循环校正功率。更具体地，首先，偏置校正循环确定要被施加到从数模转换电路DAC输出的偏置设立电压的第一校正量，使得在到数模转换电路DAC的偏置指令码VBCD和实际供应的偏置(例如，图3中的Ib’)之间盛行预定的关系。然后获得第一关联表，该第一关联表表示偏置指令码VB⑶、偏置设立电压和要被施加到偏置设立电压的第一校正量之间的关系。当在正常操作模式中接收一定的偏置指令码VB⑶时，参考第一关联表使得可以获取第一校正后的偏置电压(=Vl+ΛVl)，该第一校正后的偏置电压通过将第一校正量(AVl)与预定的偏置设立电压(Vl)相加而获得。第一校正量(ΛVI)代表数模转换电路DAC和偏置产生电路BSGEN的变化。在功率校正循环中，例如，在其中输入固定功率电平处的输入功率信号Pin的状态中改变校正偏置的偏置设立电压(第一校正后的偏置设立电压)的同时观察检测的电压信号VDET的改变的量。在这种情况下，适合用于第一校正后的偏置设立电压的改变的基准电压Vref根据第一校正后的偏置设立电压和检测的电压信号VDET之间的理想关系被施力口，使得校正电路CC确定第二校正量，该第二校正量要被施加到数模转换电路DAC以便消除基准电压Vref和检测的电压信号VDET之间的误差。因此，获得表示第一校正后的偏置电压和要被施加到第一校正后的偏置电压的第二校正量之间的关系的第二关联表。当在正常操作模式中接收一定的第一校正后的偏置设立电压(=V1+AV1)时，参考第二关联表使得获取第二校正后的偏置设立电压(=V1+AV1+AV2)，该第二校正后的偏置设立电压通过将第二校正量(AV2)与第一校正后的偏置设立电压相加而获得。然后第二校正后的偏置设立电压被输出作为最后的偏置设立电压Vb。在这种情况下，第二校正量(ΛV2)代表高频功率放大器ΗΡΑ、耦合器CPL和功率检测电路I3DETC的变化。图12中示出的校正电路CC包括计算部CALC，以便在参考上述第一关联表和第二关联表的同时执行校正处理。当要创建第二关联表时，能够通过使用有限资源容易地获得最佳的校正参数，因为已经通过偏置变化校正减少了变化因素。当如上所述除了偏置变化校正之外还校正发送功率和关联的检测的功率的变化时，除了参考图1描述的各种益处之外还获得例如以下益处。首先，因为当整个系统要通过早先描述的例如图14中描绘的方法被校正时变化因素被进一步减少，所以施加于组装制造者的负担被减少。此外，因为发送功率电平的变化能够在一定程度上被校正，所以功率放大器部(半导体芯片)的成品率能够被进一步增大，但是施加于部件制造者的校正负担稍微增大。当使用例如W-CDMA或者LTE时，检测的电压信号VDET被反映在例如布置在高频功率放大器HPA的上游的输出输入功率信号Pin的可变增益放大器电路(未示出)的增益中。然而，当使用例如GSM(注册商标)时，检测的电压信号VDET被反映在APC循环中，APC循环被形成在功率校正循环内，如图12所示。在APC循环中，上述的第一和第二校正可以不被反映，因为偏置校正电路BCC自动调节偏置电压以便确保功率指令信号Vramp与检测的电压信号VDET—致。在上述情况中，例如，偏置校正电路BCC应该根据上述的第一和第二校正相对于误差放大器EAapc的输出与偏置设立电压Vb[l]、Vb[2]之间的关系偏移。第六实施例<无线通信装置的主要部件的概述(第五变型示例)>图13是示出根据本发明第六实施例的无线通信装置的主要部件的示例性配置的示意性框图。图13中示出的无线通信装置的配置与图1中示出的示例性配置的不同之处在于，消除了功率放大器部HPABK中的偏置检测电路，并且电流源IBS和选择器开关SWS2被添加到偏置控制部BSCTL以便补偿偏置检测电路的消除。选择器开关SWS2选择偏置产生电路BSGEN是接收数模转换电路DAC的输出还是电流源IBS的输出。当例如在使用偏置产生电路BSGEN的情形中，来自电流源IBS的预定电流被施加到向其施加偏置设立电压Vb的节点时，反映电阻器Rb和二极管Dbl、Db2的制造变化的电压在该节点(Vb)处显现。因此，当误差放大器EAb被用来检测在节点(Vb)处显现的电压和预先计算、预定的基准电压Vref之间的误差时，在正常操作模式中要被反映在数模转换电路DAC中的比特校正值ABC能够或多或少根据检测的误差的幅度被估计。当使用上述的示例性配置时，虽然难以校正从数模转换电路DAC输出的偏置设立电压Vb的变化，但是偏置产生电路BSGEN中的制造变化能够在一定程度上校正。在这种情况中，不必使用图1中示出的偏置检测电路SENS以及用于从偏置检测电路SENS回到偏置控制部BSCTL的路径。因此，能够通过使用简单的配置(少量的资源)进行校正。虽然已经根据优选实施例详细描述了发明人设想的本发明，但是应当理解，本发明不限于那些优选实施例，而是延伸到仍然落入所附权利要求的范围内的各种变型。例如，图7和图10中示出的示例性配置包括多个偏置检测电路。然而，可替代地，假设在同一个半导体芯片中的偏置产生电路中存在类似制造变化，一个代表性的偏置检测电路可以被并入半导体芯片中。此外，例如图1中示出的示例性配置使用差分放大器电路作为误差放大器EAb。然而，在一些情况下，这种差分放大器电路可以被例如模数转换电路和根据模数转换电路的输出计算比特校正值的运算电路替代。权利要求1.一种无线通信装置，包括:放大功率的第一晶体管；第一偏置产生电路，接收第一输入电压电平，根据第一输入电压电平产生第一电流，并且将基于第一电流的偏置设定为第一晶体管的工作点；数模转换电路，通过将在第一校正数字码被反映在第一输入数字码中时获得的数字码转换为模拟码来产生第一输入电压电平；第一偏置检测电路，检测第一电流并且产生具有与第一电流成比例的电压值的第一偏置检测电压；误差检测电路，检测第一偏置检测电压与预定的第一基准电压之间的误差；校正电路，改变第一校正数字码以便搜索适合用于减少误差检测电路中检测的误差的第一校正数字码；校正操作模式；以及正常操作模式，其中，校正操作模式使得校正电路在其中第一测试码被供应作为第一输入数字码以及第一测试基准电压被供应作为第一基准电压的情况下进行搜索，并且保持作为搜索的结果获得的第一校正数字码，第一测试基准电压是根据第一测试码预先确定的，以及其中，正常操作模式使得数模转换电路将在第一校正数字码被反映在第一输入数字码中时获得的数字码转换为模拟码。2.根据权利要求1所述的无线通信装置，其中，数模转换电路、误差检测电路和校正电路被形成在第一半导体芯片之上，以及其中，第一偏置检测电路包括作为第一半导体芯片外部的元件的第一电阻器，并且通过使得第一电流流到第一电阻器来产生第一偏置检测电压。3.根据权利要求2所述的无线通信装置，其中第一偏置产生电路包括:第一节点，向第一节点施加第一输入电压电平；第二电阻器，第二电阻器的一端耦接到第一节点；以及多个二极管，顺序地串联耦接在第二电阻器的另一端与接地电源电压之间，朝向接地电源电压的一侧被用作阴极，其中，第一偏置检测电路包括第一开关，第一开关被耦接在第一电阻器的一端与第一二极管的阳极之间，第一二极管比其它二极管更接近接地电源电压，其中，校正操作模式通过将第一开关驱动为接通来从第一电阻器的一端产生第一偏置检测电压，以及其中，正常操作模式将第一开关驱动为断开，并且设定第一电阻器的电阻值使得第一偏置检测电压比第一二极管的正向电压低。4.根据权利要求1所述的无线通信装置，其中，校正操作模式使得校正电路在其中多条第一测试码被供应作为第一输入数字码以及多个第一测试基准电压被供应作为第一基准电压的情况下进行搜索，并且保持关于第一输入数字码和第一校正数字码的关联表，第一测试基准电压是根据第一测试码预先确定的，以及其中，正常操作模式使得数模转换电路将在参考关联表时获得的数字码转换为模拟码。5.根据权利要求2所述的无线通信装置，其中，第一晶体管和第一偏置产生电路被形成在第二半导体芯片之上，以及其中，频率转换电路也被形成在第一半导体芯片之上，频率转换电路用来执行基带信号与预定的高频信号之间的频率转换。6.根据权利要求1所述的无线通信装置，还包括:耦合器，检测第一晶体管的输出功率；功率检测电路，将耦合器检测的功率转换为电压；以及选择电路，在第一偏置检测电压与从功率检测电路输出的电压之间进行选择，其中，误差检测电路除了检测第一偏置检测电压与第一基准电压之间的误差之外，还检测预定的功率基准电压与从功率检测电路输出的电压之间的误差。7.一种无线通信装置，包括:放大功率的第一晶体管；放大功率的第二晶体管；第一偏置产生电路，接收第一输入电压电平，根据第一输入电压电平产生第一电流，并且将基于第一电流的偏置设定为第一晶体管的工作点；第二偏置产生电路，接收第二输入电压电平，根据第二输入电压电平产生第二电流，并且将基于第二电流的偏置设定为第二晶体管的工作点；数模转换电路，通过将在第一校正数字码被反映在第一输入数字码中时获得的数字码转换为模拟码来产生第一输入电压电平，并且通过将在第二校正数字码被反映在第二输入数字码中时获得的数字码转换为模拟码来产生第二输入电压电平；第一偏置检测电路，检测第一电流并且产生具有与第一电流成比例的电压值的第一偏置检测电压；第二偏置检测电路，检测第二电流并且产生具有与第二电流成比例的电压值的第二偏置检测电压；第一开关，将第一偏置检测电压耦接到比较节点；第二开关，将第二偏置检测电压耦接到比较节点；误差检测电路，在第一开关接通时检测第一偏置检测电压与预定的第一基准电压之间的误差，并且在第二开关接通时检测第二偏置检测电压与预定的第二基准电压之间的误差;校正电路，改变第一校正数字码以便搜索适合用于减少误差检测电路中检测的误差的第一校正数字码，并且改变第二校正数字码以便搜索适合用于减少误差检测电路中检测的误差的第二校正数字码；第一校正操作模式；第二校正操作模式；以及正常操作模式，其中，在第一开关接通而第二开关断开时，第一校正操作模式使得校正电路在其中第一测试码被供应作为第一输入数字码并且根据第一测试码预先确定的第一测试基准电压被供应作为第一基准电压的情况下进行搜索，并且保持作为搜索的结果获得的第一校正数字码，其中，在第二开关接通而第一开关断开时，第二校正操作模式使得校正电路在其中第二测试码被供应作为第二输入数字码并且根据第二测试码预先确定的第二测试基准电压被供应作为第二基准电压的情况下进行搜索，并且保持作为搜索的结果获得的第二校正数字码，以及其中，在第一开关和第二开关都断开时，正常操作模式使得数模转换电路将在第一校正数字码被反映在第一输入数字码中时获得的数字码转换为模拟码，并且将在第二校正数字码被反映在第二输入数字码中时获得的数字码转换为模拟码。8.根据权利要求7所述的无线通信装置，其中，数模转换电路、误差检测电路和校正电路被形成在第一半导体芯片之上，其中，第一偏置检测电路包括作为第一半导体芯片外部的元件的第一电阻器，并且通过使得第一电流流到第一电阻器来产生第一偏置检测电压，以及其中，第二偏置检测电路同第一偏置检测电路共用第一电阻器，并且通过使得第二电流流到第一电阻器来产生第二偏置检测电压。9.根据权利要求8所述的无线通信装置，其中，第一晶体管被级联耦接到第二晶体管，以及其中，第一和第二晶体管、第一和第二偏置产生电路以及第一和第二偏置检测电路被形成在第二半导体芯片之上。10.根据权利要求8所述的无线通`信装置，其中，第一晶体管、第一偏置产生电路和第一偏置检测电路被形成在第一半导体芯片之上，以及其中，第二晶体管、第二偏置产生电路和第二偏置检测电路被形成在第三半导体芯片之上。11.一种无线通信装置，包括:放大功率的第一晶体管；第一偏置产生电路，根据第一输入电平产生偏置，并且将产生的偏置供应给第一晶体管；数模转换电路，产生第一输入电平；校正电路块；正常操作模式；以及校正操作模式，其中，校正操作模式使得校正电路块将第一测试输入电平施加到第一偏置产生电路作为第一输入电平，搜索使包括在第一偏置产生电路中的第一节点的电平与预定的第一基准电平匹配的第一测试输入电平的第一变化量，并且保持第一变化量作为第一校正值，以及其中，正常操作模式使得数模转换电路产生反映第一校正值的第一输入电平。12.根据权利要求11所述的无线通信装置，其中，第一测试输入电平是通过数模转换电路产生的，以及其中，校正电路块包括:误差放大器，放大第一节点的电平与第一基准电平之间的误差；以及校正电路，指示数模转换电路改变第一测试输入电平并且搜索减少误差放大器放大的误差的第一变化量。13.根据权利要求12所述的无线通信装置，其中，校正操作模式使得校正电路在其中多个输入电平被产生作为第一测试输入电平以及与所述输入电平对应的多个基准电平被供应作为第一基准电平的情况下进行搜索，并且保持关于作为搜索的结果获得的第一校正值和第一输入电平的关联表，以及其中，正常操作模式使得数模转换电路参考关联表来产生在其中反映第一校正值的第一输入电平。14.根据权利要求12所述的无线通信装置，还包括:耦合器，检测第一晶体管的输出功率；功率检测电路，将耦合器检测的功率转换为电压；以及选择电路，在第一节点的电平与从功率检测电路输出的电压之间进行选择；其中，误差放大器除了检测第一基准电平与第一节点的电平之间的误差之外，还检测预定的功率基准电平与从功率检测电路输出的电压之间的误差。15.根据权利要求11所述的无线通信装置，还包括:放大功率的第二晶体管；以及第二偏置产生电路，根据第二输入电平产生偏置，并且将产生的偏置供应给第二晶体管，其中，校正操作模式使得校正电路块还将第二测试输入电平施加到第二偏置产生电路作为第二输入电平，搜索使包括在第二偏置产生电路中的第二节点的电平与预定的第二基准电平匹配的第二测试输入电平的第二变化量，并且保持第二变化量作为第二校正值，以及其中，正常操作模式使得数模转换电路产生反映第二校正值的第二输入电平。16.根据权利要求15所述的无线通信装置，其中，第一和第二测试输入电平是通过数模转换电路产生的，以及其中，校正电路块包括:第一开关，将第一节点的电平耦接到比较节点；第二开关，将第二节点的电平耦接到比较节点；误差放大器，允许误差放大器的两个输入端中的一个输入端耦接到比较节点，允许第一或第二基准电平被施加到所述两个输入端中的另一个输入端，并且放大所述两个输入端之间的误差；以及校正电路，指示数模转换电路改变第一测试输入电平并且搜索适合用于减少误差放大器放大的误差的第一变化量，以及改变第二测试输入电平并且搜索适合用于减少误差放大器放大的误差的第二变化量。全文摘要本发明涉及无线通信装置。本发明提高无线通信装置的发送功率特性或者减少为提高发送功率特性所需的资源。无线通信装置包括例如偏置检测电路、误差放大器和校正电路。偏置检测电路检测被供应给高频功率放大器的偏置。误差放大器放大检测的偏置与预定的基准电压之间的误差。校正电路搜索使误差放大器中检测的误差最小的比特校正值。在正常操作期间，数模转换电路从基带单元接收偏置指令码并且输出在比特校正值被反映在偏置指令码中时获得的偏置设立电压。然后将与偏置设立电压对应的偏置供应给高频功率放大器。文档编号H03F3/20GK103178792SQ201210562608公开日2013年6月26日申请日期2012年12月21日优先权日2011年12月22日发明者萩沢弘,樱井智申请人:瑞萨电子株式会社