一种大功率晶闸管阀串并联装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述装置包括同名端相反的均流电抗器和与所述电抗器连接的晶闸管阀串并联支路；所述晶闸管阀串并联支路包括至少2个晶闸管阀并联支路。本实用新型中的技术方案减少晶闸管阀串并联混合使用时的支路过多问题；通过串联均流电抗器的方式，强迫均流；采用晶闸管阀并联支路共用一个同名端相反的均流电抗器的方式，达到良好的均流效果；通过选配反向恢复电荷相差较小、且通态伏安特性也相差较小的晶闸管，保证均流和均压使用的可靠性。
【专利说明】一种大功率晶闸管阀串并联装置
【技术领域】:
[0001]本实用新型涉及一种晶闸管装置，更具体涉及一种大功率晶闸管阀串并联装置。【背景技术】:
[0002]近年来，随着超高压和特高压技术的不断推广实施，大功率晶闸管的应用范围也越来越广，其所承受的电压应力和电流应力也随需要越来越高。而现有的6英寸大功率晶闸管的通流能力已不能够满足愈发严苛的使用要求，在大功率整流装置中，已有将几只晶闸管并联使用的实例，但对于每个并联支路来说，一般都只设有1-2只晶闸管。而对于高电压等级、大电流的晶闸管阀体来说，由于需要使得所选的晶闸管功率高，且高电压下使用的晶闸管子串联层数也多，使得现有的晶闸管并联使用已不能满足需求；如果将晶闸管串联与并联混合使用，则对均压和均流的要求都很高，不然很容易出现电流偏置或电压分配不均的现象。因此，在大功率电力电子应用领域中，还没有将多层级的晶闸管串并联使用的先例。
实用新型内容:
[0003]本实用新型的目的是提供一种大功率晶闸管阀串并联装置，该装置保证了大功率晶闸管多层级的串并联混合的时均压和均流的可靠性。
[0004]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案:一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述装置包括同名端相反的均流电抗器和与所述电抗器连接的晶闸管阀串并联支路；所述晶闸管阀串并联支路包括至少2个晶闸管阀并联支路。
[0005]本实用新型提供的一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述晶闸管阀串并联支路包括2个晶闸管阀并联支路。
[0006]本实用新型提供的一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述晶闸管阀并联支路包括至少2个晶闸管阀串联支路。
[0007]本实用新型提供的另一优选的一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述晶闸管阀并联支路包括2个晶闸管阀串联支路，所述晶闸管阀串联支路由晶闸管串联而成。
[0008]本实用新型提供的再一优选的一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述每个晶闸管并联I个RC回路，所述RC回路包括串联连接的电容和电阻。
[0009]本实用新型提供的又一优选的一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述2个晶闸管阀串联支路为两个反向晶闸管阀串支路。
[0010]本实用新型提供的又一优选的一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述串联晶闸管的参数为反向恢复电荷相差不大于150 μ As，通态峰值电压相差不大于0.1V，导通门槛电压相差不大于0.05V。
[0011]本实用新型提供的又一优选的一种大功率晶闸管阀串并联装置，所述晶闸管包括管盖、管体、管座、设置在管体内的硅片和设置在所述硅片上下的钥片；所述硅片包括长基区、设置在所述长基区上下的短基区1、短基区2、设置在所述短基区I上的扩磷区和设置所述短基区2下方的浓硼扩散区。
[0012]和最接近的现有技术比，本实用新型提供技术方案具有以下优异效果:
[0013]1、本实用新型中的技术方案解决了在一些特殊的大电流使用条件下，现有晶闸管电流等级不能满足使用要求的问题；
[0014]2、本实用新型中技术方案解决了大功率晶闸管在多层级的串并联混合使用时，均压和均流的问题；
[0015]3、本实用新型中技术方案中减少晶闸管阀串并联混合使用时的支路过多问题；通过串联均流电抗器的方式，强迫均流；
[0016]4、本实用新型中技术方案中将晶闸管阀并联支路共用一个同名端相反的均流电抗器的方式，达到良好的均流效果；
[0017]5、本实用新型中技术方案中通过选配反向恢复电荷相差较小、且通态伏安特性也相差较小的晶闸管，保证均流和均压使用的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1为本实用新型大功率晶闸管阀并联支路结构意图；
[0019]图2为本实用新型大功率晶闸管阀串并联装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合实施例对实用新型作进一步的详细说明。
[0021]实施例1:
[0022]如图1-2所示，本例的实用新型大功率晶闸管阀串并联装置包括同名端相反的均流电抗器和与所述电抗器连接的晶闸管阀串并联支路；所述晶闸管阀串并联支路包括至少2个晶闸管阀并联支路。本实施例中所述晶闸管阀串并联支路包括2个晶闸管阀并联支路。所述晶闸管阀并联支路包括至少2个晶闸管阀串联支路。本实施例中所述晶闸管阀并联支路包括2个晶闸管阀串联支路，所述2个晶闸管阀串联支路为两个反向晶闸管阀串支路，所述晶闸管阀串联支路由晶闸管串联而成。
[0023]所述每个晶闸管并联I个RC回路，所述RC回路包括串联连接的电容和电阻。
[0024]所述串联晶闸管的参数为反向恢复电荷相差不大于150 μ As，通态峰值电压相差不大于0.1V，导通门槛电压相差不大于0.05V,以保证均流和均压使用的可靠性。
[0025]所述晶闸管包括管盖、管体、管座、设置在管体内的硅片和设置在所述硅片上下的钥片；所述硅片包括长基区、设置在所述长基区上下的短基区1、短基区2、设置在所述短基区I上的扩磷区和设置所述短基区2下方的浓硼扩散区。
[0026]最后应该说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本实用新型进行了详细说明，所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本实用新型的【具体实施方式】进行修改或者等同替换，而未脱离本实用新型精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本权利要求范围当中。
【权利要求】
1.一种大功率晶闸管阀串并联装置，其特征在于:所述装置包括同名端相反的均流电抗器和与所述电抗器连接的晶闸管阀串并联支路；所述晶闸管阀串并联支路包括至少2个晶闸管阀并联支路。
2.如权利要求1所述的一种大功率晶闸管阀串并联装置，其特征在于:所述晶闸管阀串并联支路包括2个晶闸管阀并联支路。
3.如权利要求1或2所述的一种大功率晶闸管阀串并联装置，其特征在于:所述晶闸管阀并联支路包括至少2个晶闸管阀串联支路。
4.如权利要求3所述的一种大功率晶闸管阀串并联装置，其特征在于:所述晶闸管阀并联支路包括2个晶闸管阀串联支路，所述晶闸管阀串联支路由晶闸管串联而成。
5.如权利要求4所述的一种大功率晶闸管阀串并联装置，其特征在于:所述每个晶闸管并联I个RC回路，所述RC回路包括串联连接的电容和电阻。
6.如权利要求4所述的一种大功率晶闸管阀串并联装置，其特征在于:所述2个晶闸管阀串联支路为两个反向晶闸管阀串支路。
7.如权利要求4或5所述的一种大功率晶闸管阀串并联装置，其特征在于:所述串联晶闸管的参数为反向恢复电荷相差不大于150yAs，通态峰值电压相差不大于0.1V，导通门滥电压相差不大于0.05V。
8.如权利要求4或5所述的一种大功率晶闸管阀串并联装置，其特征在于:所述晶闸管包括管盖、管体、管座、设置在管体内的硅片和设置在所述硅片上下的钥片；所述硅片包括长基区、设置在所述长基区上下的短基区1、短基区2、设置在所述短基区I上的扩磷区和设置所述短基区2下方的浓硼扩散区。
【文档编号】H03K19/08GK203563049SQ201320699558
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年11月6日 优先权日:2013年11月6日
【发明者】郎平, 袁洪亮, 常忠, 张雷 申请人:国家电网公司, 国网智能电网研究院, 中电普瑞科技有限公司