一种过渡型窄带晶体滤波器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种过渡型窄带晶体滤波器，解决了现有晶体滤波器频率选择性低和群时延波动较大的问题。该晶体滤波器包括过渡型窄带滤波电路，分别与过渡型窄带滤波电路连接的输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路，所述过渡型窄带滤波电路包括与输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路连接的差接桥型电路，与差接桥型电路连接的频率调整电路。本实用新型改变差接桥型电路元件参数值，可以改善本实用新型的相频特性，通过频率调整电路可以改善本实用新型的幅频特性，从而使晶体滤波器成为兼有相频函数和幅频函数特性的过渡型晶体滤波器，降低差接变量器的非线性特性，就可以改善本实用新型在大动态输入功率条件下的相频特性畸变的问题。
【专利说明】一种过渡型窄带晶体滤波器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶体滤波器，具体涉及一种过渡型窄带晶体滤波器。
【背景技术】
[0002]在晶体滤波器设计中，为了得到较高的频率选择性，我们通常采用具有频域函数-契比雪夫滤波函数的晶体滤波器来实现其较高的频率选择性；如果要得到具有较小群时延波动的滤波电路，就需要选择具有时域函数-贝塞尔函数或等纹波线性相移函数的晶体滤波器来实现；如果需要同时具有一定的频域和时域特性的滤波器，则没有相应的晶体滤波器来实现。
[0003]而现在整机电路一般都是模拟电路和数字电路的混合电路，因此对于中频滤波的晶体滤波器，要求其具有较高频率选择性同时还要有较小的群时延波动，这是单纯频域滤波函数或时域滤波函数所不能实现的，这就急需一种兼顾二者特性的过渡型晶体滤波器。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的在于提供一种过渡型窄带晶体滤波器，解决了现有晶体滤波器频率选择性低和群时延波动较大的问题。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下:
[0006]一种过渡型窄带晶体滤波器，包括过渡型窄带滤波电路，分别与过渡型窄带滤波电路连接的输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路，所述过渡型窄带滤波电路包括与输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路连接的差接桥型电路，与差接桥型电路连接的频率调整电路。
[0007]具体地，所述差接桥型电路包括与输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路连接的差接变量器，与差接变量器连接的晶体谐振器，所述晶体谐振器与频率调整电路连接。
[0008]进一步地，所述差接变量器与晶体谐振器之间还连接有微调电容。
[0009]更进一步地，所述频率调整电路包括与晶体谐振器连接的贴片电容和线电容。
[0010]再进一步地，所述差接桥型电路包括与输入端阻抗变换电路连接的第一差接桥型电路和与输出端阻抗变换电路连接的第二差接桥型电路，所述第一差接桥型电路与第二差接桥型电路连接，所述第一差接桥型电路包括差接变量器Tl，与差接变量器Tl双绕线圈端串联的晶体谐振器B1、晶体谐振器B4，与差接变量器Tl双绕线圈端并联的微调电容Cl ;所述第二差接桥型电路包括与差接变量器T2，与差接变量器T2双绕线圈端串联的晶体谐振器B2、晶体谐振器B3，与差接变量器T2双绕线圈端并联的微调电容C2，所述晶体谐振器BI与晶体谐振器B2连接，所述晶体谐振器B3与晶体谐振器B4连接。
[0011]再进一步地，所述输入端阻抗变换电路由差接变量器Tl的单绕线圈构成，输出端阻抗变换电路由差接变量器T2的单绕线圈构成，所述输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路分别与差接变量器Tl和差接变量器T2磁耦合连接。
[0012]另外，所述频率调整电路包括与晶体谐振器BI并联的线电容C3，与晶体谐振器B2并联的线电容C4，与晶体谐振器B4串联的贴片电容C5，与晶体谐振器B3串联的贴片电容C6。
[0013]本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0014](I)本实用新型的过渡型窄带滤波电路包括差接桥型电路，与差接桥型电路连接的频率调整电路，通过将每节差接桥型电路设计成不同的频率，就可以使信号的非线性失真得到很大的改善；
[0015](2)本实用新型同时为了克服晶体滤波器的频率选择性变差，又在每节差接桥型电路并联或串联有频率调整电路来改善恶化的幅频特性，从而起到折中频域滤波函数特性和时域滤波函数特性的目的；
[0016](3)本实用新型频率调整电路包括与晶体谐振器串联或并联的线电容或贴片电容，起调节晶体谐振器频率的作用，从而改变晶体滤波器的矩形系数；
[0017](4)本实用新型改变差接桥型电路元件参数值，可以改善本实用新型的相频特性，通过频率调整电路可以改善本实用新型的幅频特性,从而使晶体滤波器成为兼有相频函数和幅频函数特性的过渡型晶体滤波器，差接变量器兼有两种功能，降低它的非线性特性，就可以改善本实用新型在大动态输入功率条件下的相频特性畸变的问题；
[0018](5)本实用新型结构简单，电路原理简单，同时具有一定的频域和时域特性，非常适合大规模推广使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1为本实用新型的系统框图。
[0020]图2为本实用新型的电路原理图。
[0021]其中，图中附图标记对应的零部件名称为:
[0022]11-输入端阻抗变换电路，12-过渡型窄带滤波电路，13-输出端阻抗变换电路，20-差接桥型电路，21-差接变量器，22-微调电容，23-晶体谐振器，30-频率调整电路，31-贴片电容，32-线电容。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例
[0024]如图1和图2所示，一种过渡型窄带晶体滤波器，包括过渡型窄带滤波电路12，分别与过渡型窄带滤波电路连接的输入端阻抗变换电路11和输出端阻抗变换电路13，所述过渡型窄带滤波电路包括与输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路连接的差接桥型电路20，与差接桥型电路连接的频率调整电路30。所述差接桥型电路包括与输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路连接的差接变量器21，与差接变量器连接的微调电容22，与微调电容连接的晶体谐振器23，频率调整电路包括与晶体谐振器连接的贴片电容31和线电容32。
[0025]在本实用新型中，差接桥型电路可设置多个与输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路连接，与之对应地，频率调整电路也为多个，在本实施例中，所述差接桥型电路包括与输入端阻抗变换电路连接的第一差接桥型电路和与输出端阻抗变换电路连接的第二差接桥型电路，所述第一差接桥型电路与第二差接桥型电路连接，所述第一差接桥型电路包括差接变量器Tl，与差接变量器Tl双绕线圈端串联的晶体谐振器B1、晶体谐振器B4，与差接变量器Tl双绕线圈端并联的微调电容Cl，微调电容Cl和差接变量器Tl双绕线圈公共端头的另一端接地；所述第二差接桥型电路包括与差接变量器T2，与差接变量器T2双绕线圈端串联的晶体谐振器B2、晶体谐振器B3，与差接变量器T2双绕线圈端并联的微调电容C2，微调电容C2和差接变量器T2双绕线圈公共端头的另一端接地，所述晶体谐振器BI与晶体谐振器B2连接，晶体谐振器B3与晶体谐振器B4连接。晶体谐振器BI和晶体谐振器B4连接在一起，差接变量器Tl和差接变量器T2的公共端均为接地端，构成两节差接桥型电路。
[0026]所述输入端阻抗变换电路由差接变量器Tl的单绕线圈构成，输入端阻抗变换电路的一端接地，输出端阻抗变换电路由差接变量器T2的单绕线圈构成，输出端阻抗变换电路的一端接地，所述输入端阻抗变换电路与差接变量器Tl磁耦合连接成为过渡型晶体滤波器的信号输入端；输出端阻抗变换电路与差接变量器T2磁耦合连接，成为过渡型晶体滤波器的信号输出端，通过输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路，实现将过渡型窄带晶体滤波电路的高阻抗变换为50 Ω标准的低阻抗。差接变量器Tl和差接变量器T2在同一个磁环上绕制三个线圈，一个线圈起阻抗变换作用，微调电容Cl和微调电容C2起调谐频率作用。
[0027]另外，所述频率调整电路包括与晶体谐振器BI并联的线电容C3，与晶体谐振器B2并联的线电容C4，与晶体谐振器B4串联的贴片电容C5，与晶体谐振器B3串联的贴片电容C6。线电容C3和线电容C4主要起调节晶体谐振器BI和晶体谐振器B2频率作用，从而改变过渡型窄带晶体滤波器高频端的矩形系数。贴片电容C5和贴片电容C6主要起调节晶体谐振器B3和晶体谐振器B4频率作用，从而改变过渡型窄带晶体滤波器低频端的矩形系数。
[0028]由于该类型产品既不完全属于频域函数滤波器也不完全属于时域函数滤波器，主要应用于窄带选频电路，故称为过渡型窄带晶体滤波器。在上述实施例中，差接变量器Tl、差接变量器T2和微调电容Cl、微调电容C2构成LC回路，承担着差接桥型电路的两个臂，另两个臂分别由两个晶体谐振器构成，改变差接桥型电路元件参数值，可以改善本实用新型的相频特性，通过频率调整电路可以改善本实用新型的幅频特性,从而使晶体滤波器成为兼有相频函数和幅频函数特性的过渡型晶体滤波器。差接变量器兼有两种功能，降低它的非线性特性，就可以改善本实用新型在大动态输入功率条件下的相频特性畸变的问题。
[0029]本实用新型提供的过渡型窄带晶体滤波器，信号通过差接桥型电路滤波后，信号的相位会发生非线性失真，通过将差接桥型电路中的晶体谐振器设计成不同的频率，就可以使信号的非线性失真得到很大的改善，但是晶体滤波器的频率选择性又会因为这种设计而变差，因此我们通过频率调整电路来改善恶化的幅频特性，从而起到折中频域滤波函数特性和时域滤波函数特性的作用，得到过渡型窄带晶体滤波电路，使得晶体滤波器应用范围得到拓展，更加满足现代模拟信号和数字信号混合应用的情况。
[0030]按照上述实施例，便可很好地实现本实用新型。值得说明的是，基于上述结构设计的前提下，为解决同样的技术问题，即使在本实用新型上做出的一些无实质性的改动或润色，所采用的技术方案的实质仍然与本实用新型一样，故其也应当在本实用新型的保护范围内。
【权利要求】
1.一种过渡型窄带晶体滤波器，其特征在于，包括过渡型窄带滤波电路，分别与过渡型窄带滤波电路连接的输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路，所述过渡型窄带滤波电路包括与输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路连接的差接桥型电路，与差接桥型电路连接的频率调整电路。
2.根据权利要求1所述的一种过渡型窄带晶体滤波器，其特征在于，所述差接桥型电路包括与输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路连接的差接变量器，与差接变量器连接的晶体谐振器，所述晶体谐振器与频率调整电路连接。
3.根据权利要求2所述的一种过渡型窄带晶体滤波器，其特征在于，所述差接变量器与晶体谐振器之间还连接有微调电容。
4.根据权利要求3所述的一种过渡型窄带晶体滤波器，其特征在于，所述频率调整电路包括与晶体谐振器连接的贴片电容和线电容。
5.根据权利要求4所述的一种过渡型窄带晶体滤波器，其特征在于，所述差接桥型电路包括与输入端阻抗变换电路连接的第一差接桥型电路和与输出端阻抗变换电路连接的第二差接桥型电路，所述第一差接桥型电路与第二差接桥型电路连接，所述第一差接桥型电路包括差接变量器Tl，与差接变量器Tl双绕线圈端串联的晶体谐振器B1、晶体谐振器B4,与差接变量器Tl双绕线圈端并联的微调电容Cl ;所述第二差接桥型电路包括差接变量器T2，与差接变量器T2双绕线圈端串联的晶体谐振器B2、晶体谐振器B3，与差接变量器T2双绕线圈端并联的微调电容C2，所述晶体谐振器BI与晶体谐振器B2连接，所述晶体谐振器B3与晶体谐振器B4连接。
6.根据权利要求5所述的一种过渡型窄带晶体滤波器，其特征在于，所述输入端阻抗变换电路由差接变量器Tl的单绕线圈构成，输出端阻抗变换电路由差接变量器T2的单绕线圈构成，所述输入端阻抗变换电路和输出端阻抗变换电路分别与差接变量器Tl和差接变量器T2磁耦合连接。
7.根据权利要求6所述的一种过渡型窄带晶体滤波器，其特征在于，所述频率调整电路包括与晶体谐振器BI并联的线电容C3，与晶体谐振器B2并联的线电容C4，与晶体谐振器B4串联的贴片电容C5，与晶体谐振器B3串联的贴片电容C6。
【文档编号】H03H9/56GK204013441SQ201420501649
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年9月2日 优先权日:2014年9月2日
【发明者】江山, 邓辉, 韦敏 申请人:成都天奥电子股份有限公司