压电振动片的制造方法、压电振动片及压电振动器与流程

本发明涉及压电振动片的制造方法、压电振动片及压电振动器。

背景技术：

例如，在便携电话、便携信息终端设备等的电子设备中，作为用于时刻源、控制信号等的定时源、参考信号源等的器件，使用利用了石英（水晶）等的压电振动器。作为这种压电振动器，已知在形成有空腔的封装件内气密密封压电振动片的压电振动器。

上述的压电振动片具备基部和从基部互相平行地延伸设置的一对振动臂部。压电振动片中，各振动臂部以基端部（与基部的连结部分）为起点沿着互相接近/分离的方向以既定谐振频率进行振动。

在此，作为压电振动片（振动臂部）的频率的调整方法，有预先在振动臂部的前端部形成重锤金属膜，局部除去（修整：trimming）该重锤金属膜而调整振动臂部的质量，从而以使振动臂部的频率成为目标值的方式进行调整的方法。例如在下述专利文献1中，公开了对重锤金属膜照射激光束而局部除去重锤金属膜，从而进行谐振频率的粗调后，对重锤金属膜照射离子束而进行谐振频率的微调的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-118652号公报。

技术实现要素：

发明要解决的课题

然而，如上述专利文献1那样，如果用激光束来进行修整，就有因修整而形成的重锤金属膜的凹部产生毛刺，或者因修整而飞散的重锤金属膜的粒子再附着到振动臂部上的担忧。而且，有当上述的毛刺或粒子在微调后脱落时，经修整而调整的频率会变动这一课题。

另外，最近随着电子设备的小型化等，对搭载于该电子设备的压电振动器及压电振动片越来越要求小型化。然而，在将压电振动片小型化之后若缩短振动臂部的长度，则频率的偏差会变大。相对于此，若为了抑制频率的偏差而将重锤金属膜厚膜化，则难以用激光束进行修整。

本发明考虑这样的情况而构思，其目的在于提供抑制频率调整后的频率的变动并且振动特性优异的高质量的压电振动片的制造方法、压电振动片及压电振动器。

用于解决课题的方案

本发明为了解决上述课题而提供以下方案。

本发明所涉及的压电振动片的制造方法，其特征在于具有：第1频率调整工序，对于一对振动臂部中形成在前端部的表面的频率调整用的重锤金属膜进行离子研磨（ion milling）；以及第2频率调整工序，在所述第1频率调整工序后，以比所述第1频率调整工序小的蚀刻速率对所述重锤金属膜进行离子研磨。

另外，本发明所涉及的压电振动片，其特征在于：在利用上述本发明的压电振动片的制造方法来制造的压电振动片中，具有所述重锤金属膜通过离子研磨被局部除去而成的凹部。

依据该构成，由于以离子研磨进行各频率调整工序，与以往那样通过激光进行修整的情况不同，能够抑制修整后的毛刺的发生。另外，通过以离子研磨对重锤金属膜进行修整，与利用激光来进行修整的情况相比能够减少从重锤金属膜之中修整的区域（修整区域）飞散的重锤金属膜的粒子。因此，假设重锤金属膜的粒子再附着到压电振动片上，也能抑制再附着的粒子从压电振动片脱落。

因而，能够提供抑制频率调整后振动臂部的频率的变动并且振动特性优异的高质量的压电振动片。

进而，通过以离子研磨进行各频率调整工序，无论重锤金属膜的厚度如何，都能对重锤金属膜进行修整，因此能够应对伴随压电振动片的小型化的重锤金属膜的厚膜化。

再者，将第2频率调整工序的蚀刻速率设定为比第1频率调整工序小，因此能够以使振动臂部的频率更加接近目标频率的方式进行微调。由此，能够谋求更进一步的高质量化。

在本发明所涉及的压电振动片的制造方法中，所述第1频率调整工序也可以在对封装件的安装前进行。

依据该构成，通过在对封装件的安装前进行第1频率调整工序，能够在利用夹具将压电振动片（圆片）保持在稳定的姿态的状态下进行重锤金属膜的修整。由此，能够可靠地对重锤金属膜之中期望的区域进行修整。

在本发明所涉及的压电振动片的制造方法中，所述第2频率调整工序也可以在对封装件的安装后进行。

依据该构成，通过在对封装件的安装后进行第2频率调整工序，能够以更接近制品（压电振动器）的状态调整振动臂部的频率。由此，能够谋求更进一步的高质量化。

在本发明所涉及的压电振动片的制造方法中，所述第1频率调整工序及所述第2频率调整工序也可以分别具有掩模设置工序和修整工序，所述掩模设置工序在所述振动臂部上设置具有开口部的掩模，所述修整工序通过离子研磨除去所述重锤金属膜之中通过所述开口部而露出的部分，在所述掩模设置工序中，以覆盖所述重锤金属膜的基端部的方式设置所述掩模。

依据该构成，在各频率调整工序中，通过以掩模覆盖重锤金属膜的基端部，通过抑制振动臂部中比重锤金属膜更靠基端侧形成的激振电极等与重锤金属膜一起被修整。由此，抑制激振电极等的断线，从而能够提高成品率。

在本发明所涉及的压电振动片的制造方法中，也可以在所述第1频率调整工序及所述第2频率调整工序中，以不贯通所述重锤金属膜的深度进行离子研磨。

依据该构成，在各频率调整工序中，以不贯通重锤金属膜的深度进行修整，从而可以使各频率调整工序中的修整量（深度）具有幅度。因此，通过修整量的调整容易吸收各压电振动片中的频率的偏差。

本发明所涉及的压电振动器，其特征在于具备：上述本发明的压电振动片；以及气密密封所述压电振动片的封装件。

依据该构成，由于上述本发明的压电振动片被气密密封在封装件，所以能够提供振动特性优异的高质量的压电振动器。

发明效果

依据本发明，能够提供抑制频率调整后的频率的变动并且振动特性优异的高质量的压电振动片及压电振动器。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的压电振动器的外观立体图。

图2是示出取下封口板后的状态的压电振动器的平面图。

图3是相当于图2的III-III线的截面图。

图4是本发明的实施方式所涉及的压电振动器的分解立体图。

图5是压电振动片的平面图。

图6是沿着图5的VI-VI线的截面图。

图7是用于说明第1频率调整工序的工序图，并且是形成有压电振动片的圆片的局部平面图。

图8是相当于图7的VIII-VIII线的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明所涉及的实施方式进行说明。

＜压电振动器＞

图1是本发明的实施方式所涉及的压电振动器1的外观立体图。图2是示出取下封口板6后的状态的压电振动器1的平面图。图3是相当于图2的III-III线的截面图。图4是实施方式所涉及的压电振动器1的分解立体图。

如图1～图4所示，压电振动器1是所谓的陶瓷封装类型的表面安装型振动器，具备：具有在内部气密密封的空腔C的封装件2；以及容纳于空腔C内的压电振动片3。此外，压电振动器1呈长方体状。因而，在本实施方式中俯视下将压电振动器1的长边方向称为长边方向L、短边方向称为宽度方向W、对这些长边方向L及宽度方向W的正交的方向称为厚度方向T。

封装件2具备：封装件主体5；以及与封装件主体5接合并且在与封装件主体5之间形成空腔C的封口板6。

封装件主体5具备：以互相叠合的状态接合的第1基底基板10及第2基底基板11；以及接合在第2基底基板11上的密封环12。

第1基底基板10为从厚度方向T观看的俯视下呈长方形状的陶瓷制的基板，其上表面构成空腔C的底部。在第1基底基板10的下表面，沿长边方向L隔开间隔而形成有一对外部电极21A、21B。外部电极21A、21B例如为以蒸镀、溅射等形成的单一金属的单层膜，或者由层叠不同金属的层叠膜构成。

第2基底基板11为俯视外形呈与第1基底基板10相同形状的陶瓷制的基板，以重叠在第1基底基板10上的状态通过烧结等而整体地接合。此外，作为用于各基底基板10、11的陶瓷材料，例如可以使用氧化铝制的HTCC（高温共烧陶瓷：High Temperature Co-Fired Ceramic）、玻璃陶瓷制的LTCC（低温共烧陶瓷：Low Temperature Co-Fired Ceramic）等。

如图2～图4所示，在第2基底基板11形成有沿厚度方向T贯通第2基底基板11的贯通部11a。贯通部11a在俯视下呈长方形状，其四角发圆。在贯通部11a的内侧面位于宽度方向W的两侧的部分，分别形成有向宽度方向W的内侧突出的安装部14A、14B。此外，安装部14A、14B位于第2基底基板11中的长边方向L的中央部分。

在安装部14A、14B上，形成有作为与压电振动片3的连接电极的一对电极焊盘20A、20B。电极焊盘20A、20B与上述的外部电极21A、21B同样，例如由以蒸镀、溅射等形成的单一金属的单层膜、或者层叠不同金属的层叠膜构成。电极焊盘20A、20B及外部电极21A、21B经由以厚度方向T贯通各基底基板10、11的未图示的贯通布线而互相分别导通。

在各基底基板10、11的四角，遍及两基底基板10、11的整个厚度方向T而形成有俯视为1/4圆弧状的切口部15。各基底基板10、11是这样制作的：例如圆片状的陶瓷基板重叠2块并加以接合后，以矩阵状形成贯通两陶瓷基板的多个通孔，以各通孔为基准并以格子状切断两陶瓷基板。此时，通孔被分割成4部分，从而构成上述的切口部15。

密封环12是比各基底基板10、11的外形小一圈的导电性框状部件，接合到第2基底基板11的上表面。具体而言，密封环12通过利用银焊料等的焊料材料、焊锡材料等进行的烧焊来接合到第2基底基板11上，或者通过对形成在第2基底基板11上的金属接合层的熔敷等来接合。密封环12与第2基底基板11（贯通部11a）的内侧面一起构成空腔C的侧壁。此外，在图示的例子中，密封环12的内侧面以与第2基底基板11的内侧面共面的方式配置。

作为密封环12的材料，例如能举出镍基合金等，具体而言从科瓦合金、埃林瓦尔合金、因瓦合金、42-合金等中选择即可。特别是，作为密封环12的材料，优选选择热膨胀系数对于陶瓷制的各基底基板10、11接近的材料。例如，在作为基底基板10、11使用热膨胀系数6.8×10-6/℃的氧化铝的情况下，作为密封环12优选使用热膨胀系数5.2×10-6/℃的科瓦合金或热膨胀系数4.5～6.5×10-6/℃的42-合金。

封口板6由导电性基板构成，接合在密封环12上而将封装件主体5内气密密封。而且，由密封环12、封口板6、及各基底基板10、11划成的空间构成气密密封的空腔C。

＜压电振动片＞

图5是压电振动片3的平面图。

如图5所示，压电振动片3是由石英或钽酸锂、铌酸锂等的压电材料形成的振动片，当被施加既定电压时振动。此外，压电振动器1的长边方向L、宽度方向W及厚度方向T分别与压电振动片3的长边方向、宽度方向及厚度方向一致。

压电振动片3具备：基部30；从基部30沿长边方向L延伸设置的一对振动臂部（第1振动臂部31及第2振动臂部32）；以及相对于基部30位于宽度方向W的两侧的一对支撑臂部（第1支撑臂部33及第2支撑臂部34）。

各振动臂部31、32以悬臂状从基部30延伸设置，并且沿宽度方向W并排地配置。各振动臂部31、32以基端部为固定端、前端部为自由端而沿互相接近/分离的方向（宽度方向W）振动。各振动臂部31、32具有位于基端部的主体部31A、32A和位于前端部的锤部31B、32B。

在主体部31A、32A中的厚度方向T的两面，形成有沿厚度方向T凹陷并且沿长边方向L延伸的槽部37。此外，在主体部31A、32A的外表面上，形成有使各振动臂部31、32沿宽度方向W振动的2个系统的激振电极（未图示）。各激振电极例如为Cr-Au的层叠膜，以互相电绝缘的状态构图。

图6是沿着图5的VI-VI线的截面图。

如图5、图6所示，锤部31B、32B分别从主体部31A、32A的前端部沿长边方向L延伸设置。锤部31B、32B在宽度方向W上的宽度宽于主体部31A、32A。由此，能够增大各振动臂部31、32的前端部的质量及振动时的惯性力矩，与不具有锤部31B、32B的压电振动片相比，能够缩短各振动臂部31、32的长度。

在锤部31B、32B的表面（厚度方向T上的一侧的主面）形成有重锤金属膜40。重锤金属膜40增加各振动臂部31、32的前端部中的质量，抑制伴随各振动臂部31、32的长度缩短的频率上升。此外，重锤金属膜40例如由Au、Ag等构成，厚度成为1～10μm左右。

在此，在各重锤金属膜40的前端部，形成有沿厚度方向T凹陷的凹部41。该凹部41在后述的频率调整工序中，通过以离子研磨局部地除去（修整）重锤金属膜40而形成。本实施方式的凹部41使重锤金属膜40朝着宽度方向W的两侧及长边方向L的前端侧开放，另一方面在厚度方向T不贯通。此外，在图6所示的例子中，沿着长边方向L的纵截面来看，凹部41前端部成为沿着长边方向L延伸的直线状，基端部成为深度越向振动臂部31、32的基端侧就越浅的曲线状。

如图5所示，基部30将各振动臂部31、32的基端部连结成一体。基部30中的宽度方向W的两端面比振动臂部31、32（主体部31A、32A）位于更外侧。

各支撑臂部33、34俯视下呈L字状，从宽度方向W的外侧包围基部30及振动臂部31、32（主体部31A、32A）。具体而言，各支撑臂部33、34在从基部30中的宽度方向W的两端面向宽度方向W的外侧突出设置后，沿着长边方向L与各振动臂部31、32平行地延伸。在各支撑臂部33、34的背面（厚度方向T上的另一侧的主面），作为将压电振动片3安装于封装件2时的装配部，分别设有未图示的装配电极。各装配电极形成在各支撑臂部33、34的前端部。

各装配电极经由未图示的迂回电极分别与上述各激振电极之中对应的激振电极连接。迂回电极形成在从各支撑臂部33、34的每一个经由基部30到各振动臂部31、32的路径。

如图2～图4所示，上述压电振动片3容纳于气密密封的封装件2的空腔C内。具体而言，压电振动片3在空腔C内分别经由导电性粘接剂使支撑臂部33、34的各装配电极安装到封装件2的形成在安装部14A、14B的各电极焊盘20A、20B上。由此，在空腔C内，压电振动片3以从基底基板10、11浮起的状态被支撑，并且经由导电性粘接剂连接装配电极及电极焊盘20A、20B间。此外，作为上述导电性接合材料，可以使用金属凸点来取代导电性粘接剂。导电性粘接剂和金属凸点的共同点为是具有在接合初期的阶段具有流动性、在接合后期的阶段固化而显现接合强度的性质的导电性接合材料。

在使这样构成的压电振动器1工作时，对外部电极21A、21B（参照图3）施加既定电压。这样，在各激振电极中流过电流，在各激振电极间产生电场。各振动臂部31、32因为在各激振电极间产生的电场的逆压电效应而例如以既定谐振频率沿互相接近/分离的方向（宽度方向W）振动。而且，各振动臂部31、32的振动用于时刻源、控制信号的定时源或参考信号源等。

＜压电振动器的制造方法＞

接着，对本实施方式的压电振动器1的制造方法进行说明。

首先，作为压电振动片3。具体而言，利用光刻技术在圆片50（参照图7）的两面形成压电振动片3的未图示的外形图案。此时，在圆片50上形成多个外形图案（外形形成工序）。接着，以外形图案为掩模，对圆片50的两面分别进行蚀刻加工。由此，选择性地除去未被外形图案掩蔽的区域，从而形成压电振动片3的外形形状。此外，在该状态下各压电振动片3成为经由连结部51（参照图7）而与圆片50连结的状态。

接着，对各振动臂部31、32实施蚀刻加工，从而在各振动臂部31、32的两主面形成槽部37（槽部形成工序）。

接着，在多个压电振动片3的外表面上对电极膜进行构图，从而分别形成激振电极、引出电极及装配电极（电极形成工序）。具体而言，在多个压电振动片3的外表面，通过蒸镀、溅射等来成膜电极膜，然后对电极膜实施蚀刻加工而形成。

再者，在振动臂部31、32中的锤部31B、32B的表面形成频率调整用的重锤金属膜40（重锤金属膜形成工序）。

图7、图8是用于说明第1频率调整工序的工序图，图7是形成有压电振动片3的圆片50的局部平面图，图8是相当于图7的VIII-VIII线的截面图。

接着，如图7、图8所示，对于形成在圆片50的各压电振动片3进行粗调谐振频率的第1频率调整工序。本实施方式的第1频率调整工序中，通过离子研磨局部除去（修整）重锤金属膜40。具体而言，首先对未图示的腔内的夹具设置圆片50。接着，在圆片50上设置掩模62（掩模设置工序），该掩模62在重锤金属膜40之中应修整的区域（以下，称为修整区域R）形成有开口部61。掩模62覆盖整个圆片50，并且具有使圆片50上沿宽度方向W并排的各压电振动片3之中两重锤金属膜40的与修整区域R对应的部分统一露出的开口部61。在本实施方式中，重锤金属膜40之中，基端部被掩模62覆盖，前端部作为修整区域R而通过开口部61露出。

接着，对设置在腔内的圆片进行离子研磨（修整工序）。具体而言，使腔内减压，并且向腔内引入氩等的工艺气体。若在该状态下施加加速电压，则离子化的工艺气体通过掩模62的开口部61撞上重锤金属膜40的修整区域R。由此，修整区域R的重锤金属膜40从表层部分弹飞，在重锤金属膜40形成上述凹部41。然后，重锤金属膜40得到修整，振动臂部31、32的质量发生变化，从而振动臂部31、32的频率发生变化。此外，在第1频率调整工序中的修整量是统一测定形成在圆片50的全部振动臂部31、32的频率、并根据所测定的频率和预定的目标频率之差来决定。在该情况下，修整量被设定为在厚度方向T不贯通重锤金属膜40的深度。另外，从修整区域R弹飞的重锤金属膜40的粒子，主要通过掩模62的开口部61而从圆片脱离。

在第1频率调整工序之后，进行切断圆片50的连结部51而将各压电振动片3从圆片50切开的单片化工序。由此，能够从1块圆片50一次制造多个压电振动片3。

接着，在封装件主体5的电极焊盘20A、20B上涂敷导电性粘接剂后，在各导电性粘接剂承载压电振动片3的对应的支撑臂部33、34。然后，烘烤承载压电振动片3的封装件主体5，使导电性粘接剂干燥。由此，压电振动片3安装到封装件主体5。

接着，对于安装在封装件主体5的压电振动片3进行微调谐振频率的第2频率调整工序。本实施方式的第2频率调整工序与上述第1频率调整工序同样，通过离子研磨来对修整区域R的重锤金属膜40进行修整。即，使离子化的工艺气体通过掩模62的开口部61撞上重锤金属膜40的修整区域R，使修整区域R从表层部分弹飞。此时，在第2频率调整工序中，与第1频率调整工序相比例如降低加速电压，从而将蚀刻速率设定为比第1频率调整工序小（例如，一半以下程度）。由此，能够以使压电振动片3的频率收敛于标称频率的既定范围内的方式进行修整。另外，关于第2频率调整工序中的修整量，对外部电极21A、21B（参照图1）施加电压而使压电振动片3振动，根据所测定的频率和预定的目标频率之差来决定。在该情况下，修整量设定为在厚度方向T不贯通重锤金属膜40的深度。

在第2频率调整工序结束后，对封装件主体5的密封环12接合封口板6，密封封装件主体5，从而作成封装件2。此外，作为封口板6的接合方法，可举出例如使辊电极接触而进行的缝焊或激光焊接、超声波焊接等。另外，为了使封口板6与密封环12的焊接更加可靠，优选至少在封口板6的下表面和密封环12的上表面分别形成彼此适应良好的镍或金等的接合层。

由此，完成本实施方式的压电振动器1。

这样，在本实施方式中，采用以离子研磨进行各频率调整工序的构成。

依据该构成，通过以离子研磨进行各频率调整工序，与以往那样用激光进行修整的情况不同，能够抑制修整后的毛刺发生。另外，通过以离子研磨修整重锤金属膜40，能够比用激光进行修整时减少从修整区域R飞散的重锤金属膜40的粒子。因此，即便重锤金属膜40的粒子再附着到压电振动片3上，也能抑制再附着的粒子从压电振动片3脱落。

因而，能够提供抑制频率调整后振动臂部31、32的频率的变动并且振动特性优异的高质量的压电振动片3。

而且，在本实施方式中，通过以离子研磨进行各频率调整工序，能够与重锤金属膜40的厚度无关地修整重锤金属膜40，因此能够应对伴随压电振动片3的小型化的重锤金属膜40的厚膜化。

进而，在本实施方式中，将第2频率调整工序的蚀刻速率设定为比第1频率调整工序小，因此能够以使振动臂部31、32的频率更加接近目标频率的方式进行修整。由此，能够谋求更进一步的高质量化。

另外，在本实施方式中，通过在对封装件主体5安装前进行第1频率调整工序，能够在利用夹具以稳定压电振动片3（圆片50）的姿态保持的状态下进行重锤金属膜40的修整。由此，能够可靠地修整重锤金属膜40之中期望的区域（修整区域R）。

进而，在本实施方式中，在圆片50连结多个压电振动片3的状态下进行第1频率调整工序，因此能够对多个压电振动片3的重锤金属膜40成批地进行修整，从而能够谋求提高制造效率。

而且，在本实施方式中，通过在对封装件主体5安装后进行第2频率调整工序，能够更加接近制品（压电振动器1）的状态下调整振动臂部31、32的频率。由此，能够谋求更进一步的高质量化。

另外，在本实施方式中，在各频率调整工序中，以掩模62覆盖重锤金属膜40的基端部，从而能够抑制振动臂部31、32中比重锤金属膜40更靠基端侧形成的激振电极等与重锤金属膜40一起被修整。由此，抑制激振电极等的断线，从而能够提高成品率。

另外，在各频率调整工序中，以不贯通重锤金属膜40的深度进行修整，从而能够使修整量带有幅度，容易通过修整量的调整来吸收各压电振动片3中的频率的偏差。

而且，在本实施方式的压电振动器1中，上述压电振动片3被气密密封在封装件2，因此能够提供振动特性优异的高质量的压电振动器1。

此外，本发明的技术范围不局限于上述的实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内可加入各种变更。

例如，在上述实施方式中，对于在对封装件主体5安装前进行第1频率调整工序、在对封装件主体5安装后进行第2频率调整工序的构成进行了说明，但不限于此，进行各频率调整工序的时机可以适当变更。另外，在上述实施方式中，对于在圆片50连结压电振动片3的状态下进行第1频率调整工序的构成进行了说明，但是在单片化后，对安装前的压电振动片3进行第1频率调整工序也无妨。

在上述实施方式中，对于按各振动臂部31、32每一个而逐个形成修整导致的凹部41的构成进行了说明，但不限于此，在各振动臂部31、32各形成多个凹部也无妨。

在上述实施方式中，对于在各频率调整工序中修整同一修整区域R的构成进行了说明，但不限于此，在各频率调整工序中修整不同的修整区域也无妨。

另外，在上述实施方式中，对于进行2次蚀刻速率不同的第1频率调整工序及第2频率调整工序这频率调整工序的构成进行了说明，但不限于此，将蚀刻速率不同的频率调整工序进行3次以上也无妨。

另外，各频率调整工序的蚀刻速率可以适当设计变更。

进而，在圆片50连结多个压电振动片3的状态下进行第1频率调整工序的情况下，例如利用搭载到腔的闸门（shutter）等来个别或各多个调整各压电振动片3的修整量也无妨。

在上述实施方式中，对于以不贯通重锤金属膜40的深度进行离子研磨的构成进行了说明，但不限于此，贯通重锤金属膜40也无妨。在该情况下，采用例如在第1频率调整工序以不贯通重锤金属膜40的深度进行离子研磨，在第2频率调整工序中将离子研磨进行至贯通重锤金属膜40的深度为止的构成等也无妨。

另外，关于重锤金属膜40的厚度或形成范围等，可以适当设计变更。

进而，在上述实施方式中，对于在各支撑臂部33、34相对于各振动臂部31、32配置在宽度方向W的外侧的、所谓的侧臂型的压电振动片3采用本发明的情况进行了说明，但不限于此。即，压电振动片3具有一对振动臂部31、32既可，例如也可为1个支撑臂部配置在一对振动臂部之间的、所谓的中心臂型的压电振动片；或不具备支撑臂部的、所谓的音叉型的振动片。

另外，在上述实施方式中，作为使用压电振动片3的压电振动器1，对陶瓷封装类型的表面安装型振动器进行了说明，但不限于此。例如，也可以对由玻璃构成的基底基板及盖基板通过阳极接合来接合的玻璃封装类型的压电振动器1适用本发明。

此外，在不脱离本发明的宗旨的范围内，可以将上述实施方式中的构成要素适当地置换为众所周知的构成要素，另外，将上述的各变形例适当组合也无妨。

标号说明

1 压电振动器；2 封装件；3 压电振动片；31、32 振动臂部；40 重锤金属膜；41 凹部；61 开口部；62 掩模。