板的制作方法

本发明的实施例涉及板。

背景技术：

本发明总体上涉及板。

在不同的制造工业中，板实际用作分隔壁以将不同的机器或设备彼此隔离。这样，一个机器或设备的操作将不影响其他机械或设备的操作。因此，可以保持彼此隔离的机器或设备的效率和性能。

技术实现要素：

本发明的实施例提供了一种板，包括：第一导磁板，具有第一导磁方向；以及第二导磁板，与所述第一导磁板重叠，所述第二导磁板具有第二导磁方向，其中，所述第一导磁方向和所述第二导磁方向交叉。

本发明的另一实施例提供了一种半导体制造工厂(fab)，包括：外壳结构；至少一个磁敏感工具，设置在所述外壳结构中；以及至少一个磁屏蔽板，至少部分地设置在所述外壳结构中的所述磁敏感工具周围。

本发明的又一实施例提供了一种制造设施，包括：至少一个磁敏感工具，存在于空间中；以及至少一个板，设置在所述空间的至少一侧上，所述板包括在其中的第一导磁板和第二导磁板，所述第一导磁板具有第一导磁方向，所述第二导磁板具有第二导磁方向，以及所述第一导磁方向不同于所述第二导磁方向。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1是根据本发明一些实施例的板的示意性分解图。

图2是根据本发明的一些实施例的半导体制造工厂(fab)中的制造设施的示意图。

图3是图1的板的另一应用的示意图。

图4至图7是根据本发明的一些其它实施例的板的示意性分解图。

图8至图10是根据本发明的一些其它实施例的板的截面图。

图11是一系列测试下的分隔壁和电子束工具的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

本文中所使用的术语是仅用于描述特定实施例的目的，而不是为了限制本发明。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式。应当进一步理解，当在本发明中使用术语“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”时，指定阐述的部件、区域、整数、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，但不排除附加的一个或多个其他部件、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

除非另有规定，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应该理解，除非本文清楚地限定，否则，诸如常用的字典中限定的那些的术语应该被理解为具有与其在相关领域和本发明的内容中的意思一致的意思，并且不应该以理想化和过于正式的形式来解释。

参考图1。图1是根据本发明一些实施例的板100的示意性分解图。在一些实施例中，如图1中所示，板100包括第一导磁板110和第二导磁板120。第一导磁板110具有第一导磁方向d1。第二导磁板120与第一导磁板110重叠。第二导磁板120具有第二导磁方向d2。第一导磁方向d1和第二导磁方向d2交叉。

技术上而言，第一导磁板110沿着第一导磁方向d1集聚和引导磁场，同时在不同于第一导磁方向d1的至少一个方向上减弱磁场，例如，穿过板100的方向d3。另一方面，第二导磁板120沿着第二导磁方向d2集聚和引导磁场，同时在不同于第二导磁方向d2的至少一个方向上减弱磁场，例如，穿过板100的方向d3。这样，当从源(图1中未示出)发射的磁场到达板100时，磁场减弱且因此被板100屏蔽。

具体来说，当从源发射的磁场到达第一导磁板110时，磁场将沿着第一导磁方向d1被集聚和引导。在同一时期，磁场将在不同于第一导磁方向d1的至少一个方向上减弱，例如，穿过板100的方向d3。当磁场到达第二导磁板120时，磁场将沿着第二导磁方向d2被集聚和引导。在同一时期，磁场将在不同于第二导磁方向d2的至少一个方向上减弱，例如，穿过板100的方向d3。结果，从源发射的磁场减弱且因此被板100屏蔽。

此外，在一些实施例中，第一导磁方向d1和第二导磁方向d2基本上相互垂直。结果，在一些实施例中，当从源发射的磁场到达板100的第一导磁板110时，磁场将沿着第一导磁方向d1集聚和引导。在同一时期，磁场将在不同于第一导磁方向d1的至少一个方向上减弱，例如，穿过板100的方向d3。如上所述，第一导磁方向d1和第二导磁方向d2基本上相互垂直。当从源发射的磁场到达板100的第二导磁板120时，磁场将沿着基本上垂直于第一导磁方向d1的第二导磁方向d2集聚和引导。在同一时期，磁场将在不同于第二导磁方向d2的至少一个方向上减弱，例如，穿过板100的方向d3。结果，磁场被集聚且被引导至由第一导磁方向d1和第二导磁方向d2决定的平面中。在同一时期，磁场将在穿过由第一导磁方向d1和第二导磁方向d2决定的平面的方向d3上减弱。换言之，方向d3与第一导磁方向d1和第二导磁方向d2均不同。因此，假设第一导磁方向d1和第二导磁方向d2被相互基本上成90度设置，从源发射的磁场将基本上由板100减弱。这样，从源发射的磁场减弱且因此被板100屏蔽。

此外，在一些实施例中，板100还包括磁屏蔽结构130。如图1所示，在一些实施例中，第一导磁板110存在于磁屏蔽结构130和第二导磁板120之间。在一些其它实施例中，第二导磁板120存在于磁屏蔽结构130和第一导磁板110之间。磁屏蔽结构130能够至少部分地屏蔽在穿过磁屏蔽结构130的至少方向d3上的磁场。从理论上说，磁屏蔽结构130通过将磁场的能量吸收和改变为稍后将以热的形式消散的涡电流来减弱磁场。在实际应用中，磁屏蔽结构130是由诸如铝的具有从约3mm至约6mm的范围内的厚度的金属制成的。这样，从结构的角度，磁屏蔽结构130还向第一导磁板110和第二导磁板120提供机械保护。因此，板100在结构上变得更牢固。

更具体地，如图1所示，第一导磁板110与磁屏蔽结构130重叠。同时，第一导磁板110的第一导磁方向d1不同于穿过磁屏蔽结构130的方向d3。这样，磁屏蔽结构130和第一导磁板110均在方向d3上减弱磁场。结果，磁场被减弱且因此被板100屏蔽。

在一些实施例中，穿过磁屏蔽结构130的方向d3基本上垂直于第一导磁板110的第一导磁方向d1。这样，在基本上垂直于第一导磁板110的方向d3上的磁场基本上被磁屏蔽结构130减弱。

如上所述，第二导磁板120与第一导磁板110重叠。因此，与第一导磁板110重叠的磁屏蔽结构130也意味着第二导磁板120与磁屏蔽结构130重叠。第二导磁板120的第二导磁方向d2不同于穿过磁屏蔽结构130的方向d3。这样，相似地，磁屏蔽结构130和第二导磁板120均在方向d3上减弱磁场。结果，磁场被减弱且因此被板100屏蔽。

从结构上讲，在一些实施例中，第一导磁板110基本上平行于第二导磁板120。更具体地，如图1所示，穿过磁屏蔽结构130的方向d3与第一导磁板110基本上垂直也意味着方向d3基本上垂直于第二导磁板120。这样，在方向d3上的磁场基本上被磁屏蔽结构130和第二导磁板120减弱。

从技术上而言，第一导磁板110和第二导磁板120中的至少一个能够集聚和引导磁场，因为第一导磁板110和第二导磁板120中的至少一个具有晶粒取向。晶粒取向分别限定第一导磁板110的晶粒的取向和第二导磁板120的晶粒的取向。如上所述，第一导磁方向d1和第二导磁方向d2交叉。这意味着第一导磁板110的晶粒取向不同于第二导磁板120的晶粒取向。在一些实施例中，如上所述，第一导磁方向d1和第二导磁方向d2基本上相互垂直。这意味着第一导磁板110的晶粒取向基本上垂直于第二导磁板120的晶粒取向。

在实例应用中，第一导磁板110和第二导磁板120可以是由具有从约0.2mm至约0.5mm的范围内的厚度的硅钢(si钢)制成的。硅钢的材料允许第一导磁板110和第二导磁板120能够集聚和引导磁场。然而，在一些实施例中，根据实际情况，材料的其它选择可以用于第一导磁板110和第二导磁板120。

另一方面，在一些实施例中，磁屏蔽结构130是磁屏蔽板。换言之，磁屏蔽结构130具有板形状。通过板形状的磁屏蔽结构130，第一导磁板110和第二导磁板120一起能够便利地允许板100为如图1中所示的层压结构。

参考图2。图2是根据本发明的一些实施例的半导体制造工厂(fab)900中的制造设施800的示意图。在一些实施例中，如图2所示，半导体制造工厂900包括外壳结构910和制造设施800。半导体制造工厂900中的制造设施800包括至少一个磁敏感工具200和板100。磁敏感工具200设置在外壳结构910中。板100至少部分地设置在外壳结构910中的磁敏感工具200周围。更具体地，磁敏感工具200存在于空间s中。板100设置在空间s的至少一侧上。板100包括其中的第一导磁板110和第二导磁板120。第一导磁板110具有第一导磁方向d1。第二导磁板120具有第二导磁方向d2。第一导磁方向d1不同于第二导磁方向d2。板100从磁场至少部分地屏蔽空间s。

换言之，以层压结构形式的板100可以应用于屏蔽磁敏感工具200免受半导体制造工厂900中的磁场的至少一个源(在图2中未示出)的影响。磁敏感工具200用于执行至少一个磁敏感操作。磁敏感操作是对来自周围的源的磁场敏感的操作。因此，磁敏感操作的结果可能受到磁场的影响。在一些实施例中，磁敏感工具200可以是电子束(e束)工具，诸如电子束写入器、临界尺寸-扫描式电子显微镜(cdsem)、透射电子显微镜(tem)等。另一方面，在半导体制造工厂900中，磁场的源可以是电力线缆托盘、自动化材料处理系统(amhs)等。

此外，如图2所示，制造设施800还包括至少一个框架300。框架300装配有板100以变成用于空间s的分隔壁。换言之，以层压结构形式的板100可以装配有框架300以形成用于空间s的分隔壁的结构。板100和框架300作为分隔壁屏蔽空间s中的磁敏感工具200以防止磁敏感工具200受到来自周围的源的磁场的影响。此外，装配有多个板100的多个框架300可以连接在一起从而使得作为分隔壁的结构的板100直立且围绕磁敏感工具200。这样，作为分隔壁的结构的板100可至少部分地屏蔽由围绕半导体制造工厂900中的磁敏感工具200的源发射的磁场。因此，作为分隔壁的结构的板100能够有效地保护磁敏感工具200免受来自周围的源的磁场的影响。

参考图3。图3是图1的板100的另一种应用的示意图。在一些实施例中，制造设施800包括至少一个柱400。柱400装配有板100以变成用于空间s的屏幕。此外，如图3中所示，板100装配有两个柱400以形成屏幕，其中，板100位于柱400之间。在实际应用中，柱400可以安装至顶700，从而使得板100可便于设置为屏幕以防范来自周围的源的磁场。在一些其它实施例中，柱400取而代之地安装至地面。

参考图4。图4是根据本发明的一些其他的实施例的板100的示意性分解图。在一些实施例中，如图4中所示，根据实际情况，磁屏蔽结构130存在于第一导磁板110和第二导磁板120之间。总之，相对于如上所述的实施例，具有第一导磁板110、第二导磁板120和磁屏蔽结构130的三种不同的布置方式。第一，第一导磁板110存在于第二导磁板120和磁屏蔽结构130之间。第二，第二导磁板120存在于第一导磁板110和磁屏蔽结构130之间。第三，如图4所示，磁屏蔽结构130存在于第一导磁板110和第二导磁板120之间。

参考图5。图5是根据本发明的一些其他的实施例的板100的示意性分解图。在一些实施例中，如图5所示，板100包括第一导磁板110和第二导磁板120的两个组，从而使得磁屏蔽结构130存在于第一导磁板110和第二导磁板120的两个组的一侧。这样，板100屏蔽方向d3上的磁场的有效性增加。

参考图6。图6是根据本发明的一些其他的实施例的板100的示意性分解图。在一些实施例中，如图6所示，两个板100重叠在一起，从而使得板100中的一个的磁屏蔽结构130面向另一个板100的第二导磁板120。这样，板100屏蔽方向d3上的磁场的有效性增加。

参考图7。图7是根据本发明的一些其他的实施例的板100的示意性分解图。在一些实施例中，如图7所示，板100包括第一导磁板110和第二导磁板120的两个组，从而使得磁屏蔽结构130存在于第一导磁板110和第二导磁板120的两个组之间。更具体地，在磁屏蔽结构130的每侧处具有一个第一导磁板110和一个第二导磁板120。这样，板100屏蔽方向d3上的磁场的有效性增加。

参考图8。图8是根据本发明的一些其他的实施例的板100的截面图。在一些实施例中，如图8所示，板100包括磁屏蔽结构135。磁屏蔽结构135是多孔磁屏蔽结构。在实际应用中，磁屏蔽结构135可具有蜂窝形状。

更具体地，如图8所示，磁屏蔽结构135包括两个结构板131和一个核心结构132。该核心结构132夹在结构板131之间。核心结构132具有蜂窝形状。在一些实施例中，核心结构132是由能够吸收磁场的能量的材料制成的。例如，核心结构132可以是由铝制成的。结果，具有夹在结构板131之间的核心结构132的磁屏蔽结构135可屏蔽方向d3上的磁场。在一些实施例中，核心结构132具有从约0.2mm至约0.8mm的范围内的厚度。同时，在一些实施例中，结构板131可以是铁板。结构板131的至少一个具有从约0.2mm至约0.5mm的范围的厚度。

在实际应用中，具有夹在结构板131之间的核心结构132的磁屏蔽结构135可根据实际情况用作分隔壁。

如上所述，在一些实施例中，板100的磁屏蔽结构130可具有板形状。如图8中所示，磁屏蔽结构130可以附接在磁屏蔽结构135上。换言之，磁屏蔽结构130与磁屏蔽结构135重叠。同时，第一导磁板110和第二导磁板120位于磁屏蔽结构130的与磁屏蔽结构135相对的一侧处。这样，板100屏蔽方向d3上的磁场的有效性增加。

参考图9。图9是根据本发明的一些其他的实施例的板100的截面图。在一些实施例中，如图9所示，第一导磁板110和第二导磁板120可以附接在具有夹在结构板131之间的核心结构132的磁屏蔽结构135上。换言之，第一导磁板110和第二导磁板120与磁屏蔽结构135重叠。这样，方向d3上的磁场可由第一导磁板110、第二导磁板120和/或核心结构132屏蔽。

参考图10。图10是根据本发明的一些其他的实施例的板100的截面图。在一些实施例中，如图10所示，可省略结构板131，且核心结构132可以夹在第一导磁板110和第二导磁板120之间。这样，方向d3上的磁场也可由第一导磁板110、第二导磁板120和/或核心结构132屏蔽。

运行一系列的测试以确定前述的板可屏蔽磁场。图1的板直立在磁场传感器的三侧上。板的磁屏蔽结构是具有厚度为3mm的铝板，板的第一导磁板是具有厚度为0.3mm的硅钢板，以及板的第二导磁板是具有厚度为0.3mm的硅钢板。泵和交流磁场发生器位于由磁场传感器所在的板限定的空间的外部。泵在60hz生成5.0mg的磁场，以及交流磁场发生器在9khz生成2.7mg的磁场。磁场传感器的读数在60hz处是2.0mg且在9khz处是0.7mg。

参考图11。图11是一系列测试下的分隔壁500和电子束工具200的示意图。如图11所示，分隔壁500直立且围绕电子束工具200。分隔壁500具有铝蜂窝核心结构。板的磁屏蔽结构是具有厚度为3mm的铝板，板的第一导磁板是具有厚度为0.3mm的硅钢板，以及板的第二导磁板是具有厚度为0.3mm的硅钢板。板分别地嵌入在分隔壁500的内部。测量紧挨着电子束工具200的测试点t1、t2、t3、t4、t5和t6处的磁场的强度。测试点t1、t2、t3、t4、t5和t6处的读数分别为在60hz处的0.8mg、在60hz处的0.8mg、60hz处的0.7mg、60hz处的0.6mg、60hz处的0.5mg、和60hz处的0.6mg。

参照如上所述的板100，本发明的实施例还提供了一种磁屏蔽方法。磁屏蔽方法包括以下步骤(应该理解，除非明确说明，可以根据实际要求来调整如以下所述的步骤和子步骤的顺序，或者甚至同时执行或同时部分地执行以下所述的步骤和子步骤)：

(1)形成在其中具有第一导磁板110和第二导磁板120的板100。第一导磁板110具有第一导磁方向d1。第二导磁板120具有第二导磁方向d2。第一导磁方向d1不同于第二导磁方向d2。

(2)在空间s的至少一侧上设置板100以至少部分地屏蔽空间s免受来自周围的源的磁场的影响。

更具体地，第一导磁板110沿着第一导磁方向d1集聚和引导磁场，同时在不同于第一导磁方向d1的至少一个方向上减弱磁场，例如，穿过板100的方向d3。另一方面，第二导磁板120沿着第二导磁方向d2集聚和引导磁场，同时在不同于第二导磁方向d2的至少一个方向上减弱磁场，例如，穿过板100的方向d3。这样，当来自周围的源的磁场到达板100时，磁场被至少部分地减弱并且因此由板100屏蔽。

为了允许板100直立且屏蔽空间s免受来自周围的源的磁场影响，磁屏蔽方法还包括：

(3)板100装配有至少一个框架300作为用于空间s的分隔壁。

在一些实施例中，磁屏蔽方法还包括：

(4)板100装配有至少一个柱400作为用于空间s的屏幕。

另一方面，为了提高磁屏蔽方法的重要性，磁屏蔽方法还包括：

(5)在空间s中操作磁敏感操作。

根据本发明的各个实施例，由于第一导磁板110具有第一导磁方向d1且第二导磁板120具有第二导磁方向d2，第一导磁板110沿着第一导磁方向d1集聚和引导磁场，而第二导磁板120沿着第二导磁方向d2集聚和引导磁场。与此相反，第一导磁板110在不同于第一导磁方向d1的至少一个方向上，例如，穿过板100的方向d3，减弱磁场，而第二导磁板120在不同于第二导磁方向d2的至少一个方向上，例如，穿过板100的方向d3，减弱磁场。这样，当从源发射的磁场到达板100时，磁场减弱且因此被板100屏蔽。

根据本发明的各个实施例，板包括第一导磁板和第二导磁板。第一导磁板具有第一导磁方向。第二导磁板与第一导磁板重叠。第二导磁板具有第二导磁方向。第一导磁方向和第二导磁方向交叉。

在上述板中，其中，所述第一导磁板由硅钢制成。

在上述板中，其中，所述第一导磁板的晶粒取向不同于所述第二导磁板的晶粒取向。

在上述板中，还包括：磁屏蔽结构，与所述第一导磁板重叠。

在上述板中，还包括：磁屏蔽结构，与所述第一导磁板重叠，其中，所述磁屏蔽结构是磁屏蔽板。

在上述板中，还包括：磁屏蔽结构，与所述第一导磁板重叠，其中，所述磁屏蔽结构是多孔磁屏蔽结构。

在上述板中，还包括：磁屏蔽结构，与所述第一导磁板重叠，其中，所述磁屏蔽结构由金属制成。

在上述板中，还包括：磁屏蔽结构，与所述第一导磁板重叠，其中，所述第一导磁板存在于所述磁屏蔽结构和所述第二导磁板之间。

在上述板中，还包括：磁屏蔽结构，与所述第一导磁板重叠，其中，所述磁屏蔽结构存在于所述第一导磁板和所述第二导磁板之间。

根据本发明的各个实施例，半导体制造工厂包括外壳结构、至少一个磁敏感工具和至少一个磁屏蔽板。磁敏感工具设置在外壳结构中。磁屏蔽板至少部分地设置在外壳结构中的磁敏感工具周围。

在上述半导体制造工厂中，其中，所述磁屏蔽板包括：能够至少部分地屏蔽在穿过所述磁屏蔽结构的方向上的磁场的磁屏蔽结构；以及与所述磁屏蔽结构重叠的第一导磁板，所述第一导磁板具有第一导磁方向，其中，所述第一导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向。

在上述半导体制造工厂中，其中，所述磁屏蔽板包括：能够至少部分地屏蔽在穿过所述磁屏蔽结构的方向上的磁场的磁屏蔽结构；以及与所述磁屏蔽结构重叠的第一导磁板，所述第一导磁板具有第一导磁方向，其中，所述第一导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向，其中，所述磁屏蔽板还包括：与所述磁屏蔽结构重叠的第二导磁板，所述第二导磁板具有第二导磁方向，其中，所述第二导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向。

在上述半导体制造工厂中，其中，所述磁屏蔽板包括：能够至少部分地屏蔽在穿过所述磁屏蔽结构的方向上的磁场的磁屏蔽结构；以及与所述磁屏蔽结构重叠的第一导磁板，所述第一导磁板具有第一导磁方向，其中，所述第一导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向，其中，所述磁屏蔽板还包括：与所述磁屏蔽结构重叠的第二导磁板，所述第二导磁板具有第二导磁方向，其中，所述第二导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向，所述第一导磁板的晶粒取向不同于所述第二导磁板的晶粒取向。

在上述半导体制造工厂中，其中，所述磁屏蔽板包括：能够至少部分地屏蔽在穿过所述磁屏蔽结构的方向上的磁场的磁屏蔽结构；以及与所述磁屏蔽结构重叠的第一导磁板，所述第一导磁板具有第一导磁方向，其中，所述第一导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向，其中，所述磁屏蔽板还包括：与所述磁屏蔽结构重叠的第二导磁板，所述第二导磁板具有第二导磁方向，其中，所述第二导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向，所述第一导磁板存在于所述磁屏蔽结构和所述第二导磁板之间。

在上述半导体制造工厂中，其中，所述磁屏蔽板包括：能够至少部分地屏蔽在穿过所述磁屏蔽结构的方向上的磁场的磁屏蔽结构；以及与所述磁屏蔽结构重叠的第一导磁板，所述第一导磁板具有第一导磁方向，其中，所述第一导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向，所述磁屏蔽板具有板形状。

在上述半导体制造工厂中，其中，所述磁屏蔽板包括：能够至少部分地屏蔽在穿过所述磁屏蔽结构的方向上的磁场的磁屏蔽结构；以及与所述磁屏蔽结构重叠的第一导磁板，所述第一导磁板具有第一导磁方向，其中，所述第一导磁方向不同于穿过所述磁屏蔽结构的所述方向，所述磁屏蔽板具有蜂窝形状。

根据本发明的各个实施例，制造设施包括至少一个磁敏感工具和至少一个板。磁敏感工具存在于空间中。板设置在空间的至少一侧上。板包括其中的第一导磁板和第二导磁板。第一导磁板具有第一导磁方向。第二导磁板具有第二导磁方向。第一导磁方向不同于第二导磁方向。

在上述制造设施中，还包括：装配有所述板以变成用于所述空间的分隔壁的至少一个框架。

在上述制造设施中，还包括：装配有所述板以变成用于所述空间的屏幕的至少一个柱。

在上述制造设施中，其中，所述磁敏感工具是电子束工具。

上面概述了若干实施例的部件、使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围、并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。