一种简易SICMOS驱动电路的制作方法

文档序号:12717587阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种简易SICMOS驱动电路,其特征在于,包括输入端A,所述输入端A连接电容C1的一端,所述电容C1的另一端分别连接到三极管Q1和三极管Q2的基极,所述三极管Q1的集电极连接外接电源Vcc,所述三极管Q2的发射极接地,所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的集电极一起连接到电容C2的一端,所述电容C2的另一端连接MOS管Q3的栅极,所述MOS管Q3的源极接地,所述电容C2的一端还与二极管D1的负极连接,所述二极管D1的正极与二极管D2的负极连接,所述二极管D2的正极与三极管D3的负极连接,所述三极管D3的正极连接所述电容C2的另一端。

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