技术总结
本实用新型涉及一种简易SICMOS驱动电路，包括输入端A，所述输入端A连接电容C1的一端，电容C1的另一端分别连接到三极管Q1和三极管Q2的基极，三极管Q1的集电极连接外接电源Vcc，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的集电极一起连接到电容C2的一端，电容C2的另一端连接MOS管Q3的栅极，MOS管Q3的源极接地，电容C2的一端还与二极管D1的负极连接，所述二极管D1的正极与二极管D2的负极连接，所述二极管D2的正极与三极管D3的负极连接，所述三极管D3的正极连接所述电容C2的另一端，适用于不同的MOS管，可根据需要的关断电压不同进行调整，满足不同的需要。
技术研发人员：刘颖
受保护的技术使用者：苏州超云新能源有限公司
文档号码：201621323052
技术研发日：2016.12.05
技术公布日：2017.06.27