一种用于门极保护的栅极保护板的制作方法

文档序号:12553577阅读:来源:国知局

技术特征:

1. 一种用于门极保护的栅极保护板,其特征在于:包括

连接驱动板输出驱动脉冲信号的端口D-Gon 与端口D-E,连接IGBT 栅极的端口IGBT-G 及连接IGBT 射级的端口IGBT-E;以及

连接在端口D-Gon 与端口IGBT-G之间的栅极驱动电阻,连接在端口D-E与端口IGBT-E之间的源极驱动电阻;

连接在端口IGBT-G 与端口IGBT-E之间的IGBT导通泄压电路(10)和IGBT关断泄压电路(20)。

2.根据权利要求1所述的一种用于门极保护的栅极保护板,其特征在于:所述IGBT导通泄压电路(10)包括NPN型三极管Q4、稳压二极管D5、吸收电容C10、泄压电阻R25以及二极管D8,该三极管Q4的集电极与端口IGBT-G连接,稳压二极管D5连接在三极管Q4的集电极与基极之间,该吸收电容C10连接在三极管Q4的发射级与端口IGBT-E之间,该泄压电阻R25、二极管D8依次串联在三极管Q4的发射级与端口D-Gon之间。

3.根据权利要求2所述的一种用于门极保护的栅极保护板,其特征在于:所述三极管Q4的基极与端口IGBT-E之间连接有并联着的电容C8和电阻R18。

4.根据权利要求1所述的一种用于门极保护的栅极保护板,其特征在于:所述IGBT关断泄压电路(20)包括PNP型三极管Q3、二极管D10、吸收电容C9、泄压电阻R21以及二极管D7,该三极管Q3的发射极与端口IGBT-G连接,二极管D10连接在三极管Q3的基极与端口D-Gon之间,该吸收电容C9连接在三极管Q3的集电极与端口IGBT-E之间,该泄压电阻R21、二极管D7依次串联在三极管Q3的集电极与端口D-Gon之间。

5.根据权利要求4所述的一种用于门极保护的栅极保护板,其特征在于:所述三极管Q3的基极与端口IGBT-E之间连接有并联着的电容C7和电阻R19。

6.根据权利要求1所述的一种用于门极保护的栅极保护板,其特征在于:所述栅极驱动电阻由电阻R14和电阻R15并联而成,源极驱动电阻由电阻R24和电阻R20并联而成。

7.根据权利要求1所述的一种用于门极保护的栅极保护板,其特征在于:所述端口IGBT-G 与端口IGBT-E之间连接有电阻R17。

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