一种复合开关的制作方法

文档序号:12739072阅读:184来源:国知局
一种复合开关的制作方法与工艺

本发明涉及一种开关,特别是指一种复合开关。



背景技术:

复合开关具有无冲击、低功耗、高寿命等显著优点,可替代接触器或晶闸管开关,被广泛应用于低压无功补偿领域,现有的复合开关结构复杂,操作繁琐,给使用带来极大的不便。



技术实现要素:

本发明提出一种复合开关,通过使用改进结构,使得复合开关结构更加简单,质量更好,使用时操作简便,提高了复合开关的质量及使用效率。

本发明的技术方案是这样实现的:

一种复合开关,包括:自上而下设置的微加热电极、上包层、波导芯层、下包层及衬底,所述复合开关的横向包括依次设置的波导输入区、第一分支区、热光调制区、第二分支区和波导输出区;所述波导输入区长度为3~5mm,所述第一分支区及第二分支区长度均为2~3mm,所述第一分支区及第二分支区的分支角度均为0.1°,所述热光调制区的长度为10~12mm。

进一步,所述上包层与波导芯层之间设有掩膜层。

进一步,所述波导芯层为马赫-曾德尔干涉仪型结构,所述波导芯层包括光信号输入区、3-dB Y分支分束器、波导互作用区、3-dB Y分支耦合器及光信号输出区组成。

进一步,所述上包层与下包层的厚度均为8~10μm,所述掩膜层厚度为2μm,所述波导芯层的横截面直径为5~6μm。

更进一步,所述微加热电极的长度为10~12mm、微加热电极电阻为50~60Ω,微加热电极厚度为400~500nm。

本发明通过使用改进结构,使得复合开关结构更加简单,质量更好,使用时操作简便,提高了复合开关的质量及使用效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明具体实施例中一种复合开关的纵向结构示意图;

图2为图1所示的复合开关的横向结构示意图;

图3为图1所示的波导芯层的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

在本发明的具体实施例中,见图1~图3,一种复合开关,包括自上而下设置的微加热电极1、上包层2、波导芯层4、下包层5及衬底6,复合开关的横向包括依次设置的波导输入区7、第一分支区8、热光调制区9、第二分支区10和波导输出区11;波导输入区7的长度为3~5mm,第一分支区8及第二分支区10长度均为2~3mm,第一分支区8及第二分支区10的分支角度均为0.1°,热光调制区9的长度为10~12mm,波导输出区11长度为8~10mm。

在本发明的具体实施例中,见图1~图3,上包层2与波导芯层4之间设有掩膜层3。

在本发明的具体实施例中,见图1~图3,波导芯层4为马赫-曾德尔干涉仪型结构,波导芯层4包括光信号输入区41、3-dB Y分支分束器42、波导互作用区43、3-dB Y分支耦合器44及光信号输出区45组成。

在本发明的具体实施例中,见图1~图3,上包层2与下包层5的厚度均为8~10μm,掩膜层3厚度为2μm,波导芯层4的横截面直径为5~6μm。

在本发明的具体实施例中,见图1~图3,微加热电极1的长度为10~12mm、微加热电极1的电阻为50~60Ω,微加热电极1的厚度为400~500nm。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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