1.一种用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，包括：放大器100和逐次逼近模数转换器110，其中，
所述放大器100用于将生理电势信号放大，所述逐次逼近模数转换器110用于将放大后的生理电势信号转换为数字码，输出给一数字信号处理平台；
其中，所述放大器100包括跨导放大器、输入电容Cin1、输入电容Cin2、共模通路1001a、共模通路1001b、输通路1002、输出通路1003、反馈通路1004，其中，输入信号通过输入通路1002与输入电容Cin1的一个极板相连，输入电容Cin1的另一个极板与跨导放大器的正相输入端连接；共模通路1001a的一端外接电源，另一端通过输入电容Cin2与跨导放大器的反相输入端连接；共模通路1001b并联在输入电容Cin2的两端；输出通路1003连接在跨导放大器的输出端，反馈通路1004的一端与跨导放大器的正相输入端连接，另一端与输出通路1003连接。
2.根据权利要求1所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述共模通路1001a包括：电阻R1、R2和R3，其中，电阻R1和R2串联在电源和地之间；电阻R3的一端连接在电阻R1和R2之间，另一端与输入电容Cin2连接。
3.根据权利要求2所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述电阻R1、R2和R3的阻值相等。
4.根据权利要求1所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述共模通路1001b包括：共模输入电容Cb、场效应管M1和M2，其中，场效应管M1和M2串联，串联后的电路与共模输入电容Cb并联。
5.根据权利要求1所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述反馈通路1004包括：反馈电容Cf、场效应管M3和M4，其中，场效应管M3和M4串联，串联后的电路与反馈电容Cf并联。
6.根据权利要求1～5任一项所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述跨导放大器包括：NMOS晶体管NM1、NM2、NM3、NM4和NM5，PMOS晶体管PM1、PM2、PM3、PM4和PM5，其中，
NMOS晶体管NM5的栅极和漏极相连后外接偏置电流Iin，源极接地；NMOS晶体管NM4的栅极与NMOS晶体管NM5的栅极相连，源极接地，漏极与PMOS晶体管PM3的漏极相连；PMOS晶体管PM3的栅极与漏极相连，形成二极管连接，源极接电源VDD；PMOS晶体管PM4的栅极与PM3栅级相连，输入偏置电压，源极接电源VDD，漏极连接到PMOS输入晶体管PM1和PM2的源极；PMOS晶体管PM1和PM2的栅极分别输入负向输入信号VIN和正向输入信号VIP，PMOS晶体管PM1的漏极连接到NMOS晶体管NM1的漏极，PMOS晶体管PM2的漏极连接到NMOS晶体管NM2的漏极；NM1的栅极和漏极相连，构成二极管连接，源极接地；NM2的栅极与NM1的栅极相连，源极接地；PMOS晶体管PM5的源极接电源VDD，栅极与PMOS晶体管PM4的栅极相连，漏极接NMOS晶体管NM3的漏极；NMOS晶体管NM3的漏极与PMOS晶体管PM5的漏极相连，栅极与NM2的漏极相连，源极接地；
其中，PMOS晶体管PM5的漏极为所述跨导放大器的输出端Vo。
7.根据权利要求6所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述跨导放大器还包括：补偿电容Cc和补偿电阻Rc，其中，补偿电容Cc和补偿电阻Rc串联，串联后的电路一端与NMOS晶体管NM2的漏极相连，另一端与NMOS晶体管NM3的漏极相连。
8.根据权利要求6所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述跨导放大器还包括负载电容CL，负载电容CL的一个极板连接在所述跨导放大器的输出端Vo，另一个极板接地；所述负载电容CL用于调节所述跨导放大器的带宽。
9.根据权利要求6所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述PMOS晶体管PM1和PM2工作在亚阈值区。
10.根据权利要求6所述的用于生理电势信号检测的模拟前端电路，其特征在于，所述NMOS晶体管NM1、NM2、NM3、NM4和NM5的结构和型号相同，PMOS晶体管PM1、PM2、PM3、PM4和PM5的结构和型号相同。