技术特征：
技术总结
本发明公开了一种低噪声放大器，属于射频前端技术领域。该低噪声放大器包括输入匹配电路、大功率信号释放电路、第一晶体管、反馈电路；输入匹配电路与第一晶体管连接；第一晶体管连接有大功率信号释放电路和偏置电路；第一晶体管与反馈电路连接；负载电路与第一晶体管连接，大功率信号释放电路由两个二极管组合构成，每个二极管组合包括若干个串联的二极管，第一二极管组合和第二二极管组合并联；解决了相关技术中当射频前端接收到大功率信号时，大功率信号可能损坏低噪声放大器中第一晶体管的问题；达到了令低噪声放大器能够承受大功率信号，保证低噪声放大器不容易被损坏，延长了低噪声放大器的使用时间的效果。
技术研发人员：刘文永
受保护的技术使用者：江苏卓胜微电子有限公司
技术研发日：2017.04.12
技术公布日：2017.08.29