本发明涉及电子元件技术领域,尤其是指片式(smd)音叉晶振基座。
背景技术:
晶体谐振器和振荡器的应用非常广泛,其中手机、数码相机、pda每部需1只,笔记本电脑需4~6只。这些产品的年增长率均在10%~50%。晶体谐振器、振荡器的需求呈连年上升趋势。目前我国的音叉晶振陶瓷基座基本由日本、韩国进口,因此音叉晶振陶瓷基座的国产化设计与开发迫在眉睫。
技术实现要素:
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种结合性好、结构稳定耐用的片式(smd)音叉晶振基座。
为实现上述目的,本发明所提供的技术方案为:音叉晶振基座,它包括有陶瓷材料制成的基板,基板一端一体延伸形成有第一晶振臂和第二晶振臂,第一晶振臂和第二晶振臂之间通过u形槽分隔,u形槽槽底一端端部的基板上凸形成台阶座,第一晶振臂中部设有下凹的第一嵌槽,第二晶振臂中部设有下凹的第二嵌槽,第一嵌槽、第二嵌槽一端均延伸至台阶座底部,第一嵌槽内嵌装有第一连接导体,第二嵌槽内嵌装有第二连接导体,第一台阶座两端设有电极a和电极b,第一晶振臂外端端部设有电极d,第二晶振臂外端端部设有电极c,其中,电极b与电极d之间通过第一连接导体连接,电极a、电极c之间通过第二连接导体连接,基板底部设有可伐金属环,基板顶部通过上盖封装,组合后的基板、可伐金属环、上盖的露出部位电镀有镀金层,镀金厚度为0.5~1.2μm;
其中,
基板的原料各组份质量份为:氧化铝粉(al2o3)85份、硼硅玻璃10份、碳酸钙粉1-2份、二氧化硅1-3份、氧化锰共占1-2.5份、邻苯二甲酸二丁脂2-3.2份、三氯乙烯10-20份;
连接导体由导体浆料制成,导体浆料由99份的钨浆和1份的陶瓷粉混合形成,其中,陶瓷粉由氧化铝粉92份;碳酸钙粉2份、二氧化硅2份、氧化镁2份、氧化锰2份;
可伐金属环采用0.2mm~0.25mm厚的可伐板经冲压加工而成。
本发明在采用上述方案后,采用嵌镶式的连接导体结合性好,结构稳定耐用,连接导体采用金属导体浆料制成,金属导体浆料可用作晶振基座的内部导线和外部引线。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明的上盖的安装示意图。
图3为本发明的可伐金属环结构示意图。
具体实施方式
下面结合所有附图对本发明作进一步说明,本发明的较佳实施例为:参见附图1至附图3,本实施例所述的片式(smd)音叉晶振基座包括有陶瓷材料制成的基板1,基板1一端一体延伸形成有第一晶振臂和第二晶振臂,第一晶振臂和第二晶振臂之间通过u形槽分隔,u形槽槽底一端端部的基板1上凸形成台阶座2,第一晶振臂中部设有下凹的第一嵌槽,第二晶振臂中部设有下凹的第二嵌槽,第一嵌槽、第二嵌槽一端均延伸至台阶座2底部,第一嵌槽内嵌装有第一连接导体3,第二嵌槽内嵌装有第二连接导体4,第一台阶座2两端设有电极a和电极b,第一晶振臂外端端部设有电极d,第二晶振臂外端端部设有电极c,其中,电极b与电极d之间通过第一连接导体3连接,电极a、电极c之间通过第二连接导体4连接,所述的连接导体由导体浆料制成,导体浆料由99份的钨浆和1份的陶瓷粉混合形成,其中,陶瓷粉由氧化铝粉92份;碳酸钙粉2份、二氧化硅2份、氧化镁2份、氧化锰2份;基板1底部设有可伐金属环5,可伐金属环采用0.2mm~0.25mm厚的可伐金属板经冲压加工而成,基板1顶部通过上盖6封装,组合后的基板1、可伐金属环5、上盖6的露出部位电镀有镀金层,镀金厚度为0.5~1.2μm;其中,基板的原料各组份质量份为:氧化铝粉(al2o3)85份、硼硅玻璃10份、碳酸钙粉1-2份、二氧化硅1-3份、氧化锰共占1-2.5份、邻苯二甲酸二丁脂2-3.2份、三氯乙烯10-20份;本实施例采用嵌镶式的连接导体结合性好,结构稳定耐用,连接导体采用金属导体浆料制成,金属导体浆料可用作晶振基座的内部导线和外部引线。
以上所述之实施例只为本发明之较佳实施例,并非以此限制本发明的实施范围,故凡依本发明之形状、原理所作的变化,均应涵盖在本发明的保护范围内。