电热膜接线方法和电热膜与流程

本发明涉及电热膜
技术领域：
，尤其涉及电热膜接线方法和电热膜。
背景技术：
：电热膜的连接导线起到对电热膜提供电源的作用，其与电热膜载体连接得牢不牢关系到整个产品的可靠性，传统技术中，电热膜的导线一般通过连接卡将导线卡接在电热膜上，这种卡接的方式工艺较复杂，连接导线与电热膜之间连接也不牢固。针对此问题，现有技术提供一种电热膜导线连接方案，其方案是在电热膜载体上开槽，接着将导线的一端放置于槽内，然后将导电银浆灌入槽内，最后对电热膜载体进行加热，使电热膜载体刚好熔化并将连接导线和导电银浆为一体，待电热膜载体冷却、导电胶固化即可。这种方案要用到导电银浆，其成本偏高，且日后使用过程中会产生银迁移问题影响其导电性。技术实现要素：本发明的第一个目的是提出一种电热膜接线方法，旨在解决现有技术中电热膜导线连接需要用到导电银浆引起的成本偏高和使用过程中带来银迁移影响其导电性的问题。为实现上述目的，本发明提出的一种电热膜接线方法，包括以下步骤：提供具有凹槽的电热膜载体；提供导线，在导线的一端连接熔点低于所述电热膜载体熔点的导电连接体；将所述导电连接体放入所述凹槽内；对所述电热膜载体加热，加热温度大于或等于所述导电连接体的熔点且小于所述电热膜载体的熔点，使得所述导电连接体熔融在所述凹槽内并与所述电热膜载体电连接；冷却所述导电连接体以使其固化。优选的，所述加热温度为130℃-290℃。优选的，所述导电连接体为由金属材料制成的金属体。优选的，所述金属体的材料为采用至少两种金属元素制成的合金。优选的，所述金属体的材料为铋-锡合金或铋-锡-铟合金或锡-铟合金。优选的，在所述导电连接体上设置有通孔，所述导线的一端通过所述通孔穿设连接所述导电连接体。优选的，所述凹槽的形状为圆形或方形或锥形。优选的，所述导电连接体的形状与所述凹槽的形状一致。优选的，所述电热膜载体的材料为陶瓷或搪瓷或云母或微晶玻璃。本发明的第二个目的在于提供一种电热膜，包括电热膜载体，所述电热膜载体包括承载层和涂覆在所述承载层上的导电发热层；电热膜载体上设有两个凹槽；两根导线，两根所述导线分别通过导电连接体熔融固定在两所述凹槽内。本发明提供的电热膜接线方法通过提供具有凹槽的电热膜载体，以及提供一根导线，在导线的一端连接熔点低于电热膜载体熔点的导电连接体，接着将导电连接体放入凹槽内，并对电热膜载体加热，其加热的温度大于或等于导电连接体的熔点且小于电热膜载体的熔点，使得导电连接体熔融在凹槽内并与电热膜载体电连接，最后将导电连接体冷却以使其固化，实现了导线与电热膜载体的固定连接。相对现有的技术将导电银浆灌入电热膜载体的开槽内并对电热膜载体加热，使电热膜载体熔化并将连接导线和导电银浆为一体方案，本发明实施例的电热膜接线方法改为用导电连接体替代导电银浆，并对电热膜载体1加热，由于导电连接体是由熔点相对低的合金金属组成，因此不需要加热到熔化电热膜载体相对高的温度即能熔化导电连接体1，以此降低了加热能耗，同时电连接体的成本也相对导电银浆低，因此降低了成本，节约了加工能耗，而且由于导电连接体不存在导电银浆在后期使用过程中因银迁移引起的导电性问题，因而增强了电热膜产品使用的可靠性和稳定性。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本发明第一实施例提供的电热膜接线方法工艺步骤流程示意图；图2为本发明第一实施例提供的电热膜载体以及开槽的结构示意图；图3为本发明第一实施例提供的金属体结构示意图；图4为本发明第一实施例提供的电热膜载体槽中放置连接导线的金属体的结构示意图。附图标号说明：标号名称标号名称1电热膜载体11凹槽2导电体21通孔3导线本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。本发明提出一种电热膜接线方法，参照图1，图1为本发明第一实施例的电热膜接线方法工艺步骤流程示意图，该电热膜接线方法包括以下步骤：步骤s10，提供具有凹槽的电热膜载体；步骤s20，提供导线，在导线的一端连接熔点低于电热膜载体熔点的导电连接体；步骤s30，将导电连接体放入凹槽内；步骤s40，对电热膜载体加热，加热温度大于或等于导电连接体的熔点且小于电热膜载体的熔点，使得导电连接体熔融在凹槽内并与电热膜载体电连接；步骤s50，冷却导电连接体以使其固化。本发明实施例的电热膜接线方法涉及的电热膜结构图2、图3和图4所示，包括电热膜载体1，其电热膜载体1包括承载层(图中未示出)和涂覆在承载层上的导电发热层(图中未示出)。其电热膜载体1的承载层材料为陶瓷或搪瓷或云母或微晶玻璃电介质材料，优选为云母或者微晶玻璃，导电发热层在通电时发热以实现电热膜在通电时的加热功能。为实现本发明实施例的电热膜接线方法，首先需要在电热膜载体1开槽，以在电热膜载体上形成一个凹槽11；并提供一根导线3，其导线3的一端连接熔点低于电热膜载体1熔点的导电连接体2，具体来说导电连接体2上设置有通孔21，导线3的一端通过通孔21穿设连接导电连接体2。其导电连接体2形状与凹槽11一致，且导电连接体2体积比凹槽11的腔体体积略小，以使得凹槽11能完全容纳导电连接体2。图中凹槽11的形状为圆形，也可以为其他形状如方形或锥形。接着将导电连接体2放入凹槽11中，对电热膜载体1加热，其加热的温度大于或等于导电连接体2的熔点且小于电热膜载体1的熔点，使得导电连接体2熔融在凹槽11内并与电热膜载体1电连接。这里的导电体2可以是由金属材料制成的金属体，或者是可导电的非金属材料如石墨，优选为金属材料，并进一步优选为至少两种金属元素制成的合金材料，其合金材料为铋-锡合金或铋-锡-铟合金或锡-铟合金，这些合金材料的熔点低，要比电热膜载体1的熔点低，因此加热温度相对偏低，优选为的加热的温度为130℃-290℃，这样可以节约加热消耗的能量。通过对导电连接体2加热使其熔化成液体并填充在凹槽11中，由于加热前凹槽11能完全容纳导电连接体2，且导电连接体2体积比凹槽11的腔体体积略小，因此导电连接体2熔化后的液体不会在凹槽11内溢出，又能使液体与凹槽周边的电热膜载体1的导电发热层接触，以实现导电连接体2与电热膜载体1上的导电发热层电连接。最后将导电连接体2冷却以使其固化，即实现了导线3固定在电热膜载体1的凹槽11内。上述方法提供了在电热膜一侧连接导线的方法，实际的电热膜连接两根导线，其导线分别设置于电热膜两侧，另外一根导线与电热膜的连接方法与上述方法相同，在此不再赘述。本发明实施例的电热膜接线方法通过提供具有凹槽11的电热膜载体1，以及提供一根导线3，在导线3的一端连接熔点低于电热膜载体1熔点的导电连接体2，接着将导电连接体2放入凹槽11内，并对电热膜载体1加热，其加热的温度大于或等于导电连接体2的熔点且小于电热膜载体1的熔点，使得导电连接体2熔融在凹槽11内并与电热膜载体1电连接，最后将导电连接体2冷却以使其固化，实现了导线3与电热膜载体1的固定连接。相对现有的技术将导电银浆灌入电热膜载体的开槽内并对电热膜载体加热，使电热膜载体熔化并将连接导线和导电银浆为一体方案，本发明实施例的电热膜接线方法改为用导电连接体2替代导电银浆，并对电热膜载体1加热，由于导电连接体2是由熔点相对低的合金金属组成，因此不需要加热到熔化电热膜载体1相对高的温度即能熔化导电连接体1，以此降低了加热能耗，同时电连接体2的成本也相对导电银浆低，因此降低了成本，节约了加工能耗，而且由于导电连接体2不存在导电银浆在后期使用过程中因银迁移引起的导电性问题，因而增强了电热膜产品使用的可靠性和稳定性。本发明第二实施例还提出一种电热膜，如图1、图2和图3所示，该电热膜包括：电热膜载体1，电热膜载体1包括承载层(图中未示出)和涂覆在承载层上的导电发热层(图中未示出)；电热膜载体1上设有两个凹槽11；两根导线3，两根导线3分别通过导电连接体2熔融固定在两凹槽11内。本实施例中电热膜载体1的承载层材料以及凹槽11形状与第一实施例相同看，在此不再赘述。本发明实施例的两根导线3与电热膜载体1的接线方法同本发明第一实施例，本发明实施例的电热膜由于采用了熔点相对低的导电连接体2，因此将两根导线3分别通过导电连接体2熔融固定在两凹槽11内时，比现有技术中将导线通过导电银浆加热熔点相对高的电加热膜载体熔融固定的方式器加热能耗和材料成本低，因此能大大降低电热膜成本。以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
技术领域：
均包括在本发明的专利保护范围内。当前第1页12