一种快速导通MOSFET放大电路及功率放大器的制作方法

文档序号:12907953阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本申请实公开了一种快速导通MOSFET放大电路及功率放大器,具体的,在MOSFET管的栅极和源极之间并联一寄生电抗极小的电容,并能够跟随驱动信号一起驱动MOS管导通。当驱动信号源输出驱动信号时,首先使与驱动信号连接的三极管导通,进而与三极管连接的电容可以向MOSFET管的栅极充电,这个充电是脉冲式的,因为随着MOSFET管的栅极电位变化,三极管的射极与集电极之间的电压差值减小,进而截至,电容向MOSFET管的充电结束,此时MOSFET管的漏极与源极已处于持续导通的状态;通过上述电容形成的脉冲电流,MOSFET管可以快速的形成导电沟道,进而适应驱动信号的摆率,能够更好的跟随驱动信号的状态,提高产品的性能。

技术研发人员:许守东;陈勇;李胜男;张丽;李俊鹏
受保护的技术使用者:云南电网有限责任公司电力科学研究院
技术研发日:2017.09.04
技术公布日:2017.11.10
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1