本发明涉及印制电路板制作技术领域，具体为一种薄板hdi板的制作方法。
背景技术：
目前，随着科技的发展与进步，电子产品逐渐向着小型化、轻便化、多功能化的方向发展，为了适应新的市场要求，高密度互连板边即hdi板走到了印制电路板技术发展的前沿且日益普及。hdi板是一种使用微盲埋孔技术的线路分布密度比较高的电路板，其一般包块内层芯板和增层，内层芯板和增层上设置有线路，各层之间通过钻孔、孔金属化形成通孔，然后通过各层之间的通孔实现内部的连通。
hdi板具有成本低、可降低pcb成本，可增加线路密度，利于先进构装技术的使用，拥有更加电性能及讯号正确性，高可靠度，可改善射频干扰等优点，可广泛应用于手机、数码摄像机、ic载板。
hdi板依据结构叠加层次分为一阶、二阶、多阶及elic。一阶、二阶、多阶hdi板内层芯板均不设计镭射盲孔互连，制作难度相对较低。elic为任意层互连，从内层芯板至外层，各层均主要由镭射盲孔进行层间互连，制作难度大，尤其是芯板制作，目前，hdi板芯板制作工艺流程一般为：开料、清洁后，先进行双面减铜处理，然后进行镭射钻孔，镭射钻孔后进行后工序，该种双面同时减铜处理的hdi板制作方法，其在生产过程中容易出现镭射钻穿、卡板等不良现象，严重影响产品良率。
技术实现要素：
本发明提供了一种有效避免镭射穿孔、减少设备卡板以及提高产品良率的薄板hdi板的制作方法。
本发明可以通过以下技术方案来实现：
一种薄板hdi板的制作方法，首先按照需求尺寸进行覆铜芯板开料，开料后，将覆铜芯板放入板面清洗机中对板面进行清洁处理，清洁处理后，先对覆铜芯板上的下铜层贴保护膜，具体为在下铜层下表面进行单面贴覆一层保护膜，然后将覆铜芯板放入减铜设备中对上铜层进行单面减铜处理，此时，下铜层由于贴覆了保护膜，保护膜对下铜层进行了保护，下铜层没有减铜，上铜层减铜处理后，在覆铜芯板的边缘位置制作与镭射工作平台上的定位柱相配合的工具孔，将覆铜芯板上的工具孔分别插入镭射工作平台上的定位柱上，即将覆铜芯板安装在镭射工作平台上，启动镭射机，对覆铜芯板自上而下进行镭射钻孔处理，镭射钻孔完成后，采用退膜工艺对下铜层上贴覆的保护膜进行退膜处理，然后对镭射钻孔的孔壁进行孔金属化处理，对上铜层进行贴保护膜，具体为在覆铜芯板顶部的上铜层上表面进行单面贴覆一层保护膜，上铜层完成保护膜贴覆后，将覆铜芯板再次放入减铜设备中对下铜层进行单面减铜处理，下铜层单面减铜处理完成后，采用退膜工艺对上铜层进行退膜处理，然后进入后工序进行后工序处理。
本发明薄板hdi板的制作方法，采用先将芯板底部铜层进行贴覆保护膜保护，利用减铜设备对芯板顶部铜层进行单面减铜处理，有效确保了镭射钻孔过程中芯板底部铜层保持较厚的厚度，加强线路板加工过程中的机械性能，有效避免了现有技术中芯板上下双面减铜造成镭射钻孔易出现镭射钻穿等穿孔不良现象，同时为镭射钻孔处理后的孔金属化制作过程提供线路板机械性能保证，有效减少或避免孔金属化制作过程中易出现的卡板不良等现象，有效提升了产品良率。在镭射钻孔及孔金属化后，将芯板底部铜层上贴覆的保护膜采用退膜工艺进行退膜处理，芯板底部铜层退膜后，将芯板顶部铜层进行贴覆保护膜保护，然后同样利用对芯板顶部铜层进行减铜处理的减铜设备进行对芯板底部铜层进行减铜处理，以确保薄板hdi板的厚度，并利于后工序制作，该种将芯板上下铜层分别单独进行减铜处理的操作方法，其相对于现有技术，其在利用现有设备的基础上，对薄板hdi板的制作方法进行了改进，有效避免了镭射钻穿、卡板等现象，提升了产品良率。
进一步地，所述覆铜芯板包括基材，所述基材的顶部覆有上铜层，所述基材的底部覆有下铜层，所述上铜层和下铜层的铜厚范围均为15um～35um，所述覆铜芯板的板厚范围为0.05mm～0.15mm。确保在镭射钻孔制作过程中，芯板底部铜层保持较厚的厚度，其厚度范围为15um～35um，有效避免镭射打穿现象，改善产品品质，提升产品良率。
进一步地，所述上铜层进行减铜处理后的铜厚范围为6um～9um，所述下铜层进行减铜处理后的铜厚范围为6um～9um。上铜层和下铜层分别进行减铜处理后，其在确保线路板机械性能的同时，有效确保了薄板hdi板的薄度。
进一步地，所述镭射钻孔处理前，还包括铜面预处理，所述铜面预处理为棕化处理或者黑化处理，使芯板能有效吸收激光能量，进行镭射钻孔加工。
进一步地，所述保护膜由抗腐蚀材料制成，所述抗腐蚀材料为油墨或者干膜。选用油墨或者干膜等抗腐蚀材料制成的保护膜贴覆在上下铜层进行保护铜层，其有效避免因保护膜腐蚀对芯板造成品质影响，进而确保芯板质量。
本发明薄板hdi板的制作方法，具有如下的有益效果：
本发明薄板hdi板的制作方法，采用先将芯板底部铜层进行贴覆保护膜保护，利用减铜设备对芯板顶部铜层进行单面减铜处理，然后对芯板进行镭射钻孔和孔金属化处理等，在镭射钻孔及孔金属化后，将芯板底部铜层上贴覆的保护膜采用退膜工艺进行退膜处理，芯板底部铜层退膜后，将芯板顶部铜层进行贴覆保护膜保护，然后同样利用对芯板顶部铜层进行减铜处理的减铜设备进行对芯板底部铜层进行减铜处理，以确保薄板hdi板的厚度，并利于后工序制作，该种将芯板上下铜层分别单独进行减铜处理的操作方法，其相对于现有技术，其在利用现有设备的基础上，对薄板hdi板的制作方法进行了改进，有效确保了镭射钻孔过程中芯板底部铜层保持较厚的厚度，加强线路板加工过程中的机械性能，有效避免了现有技术中芯板上下双面减铜造成镭射钻孔易出现镭射钻穿等穿孔不良现象，同时为镭射钻孔处理后的孔金属化制作过程提供线路板机械性能保证，有效减少或避免孔金属化制作过程中易出现的卡板不良等现象，有效提升了产品良率。
附图说明
附图1为本发明薄板hdi板的制作方法的流程示意图；
附图2为本发明薄板hdi板的制作方法的流程及hdi板剖面状态图c。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合实例及附图对本发明产品作进一步详细的说明。
如图1和图2所示，一种薄板hdi板的制作方法，其工艺流程为开料、板面清洁、底层单面贴膜、顶层单面减铜、工具体孔制作、镭射制作、底层退膜、孔金属化制作、顶层单面贴膜、底层单面减铜、顶层退膜及后工序处理，具体见实施例。
实施例1
如图1和图2所示，一种薄板hdi板的制作方法，首先按照需求尺寸进行覆铜芯板开料，所述覆铜芯板包括基材1，所述基材1的顶部覆有上铜层2，所述基材1的底部覆有下铜层3，所述上铜层2和下铜层3的铜厚范围均为15um，所述覆铜芯板的板厚范围为0.05mm；开料后，将覆铜芯板放入板面清洗机中对板面进行清洁处理，清洁处理后，先对覆铜芯板上的下铜层3贴下保护膜4，具体为在下铜层3下表面进行单面贴覆一层由干膜制成的下保护膜4，然后将覆铜芯板放入减铜设备中对上铜层2进行单面减铜处理，进行减铜处理后的上铜层2铜厚为6um，有效确保了薄板hdi板的薄度，此时，下铜层3由于贴覆了下保护膜4，下保护膜4对下铜层3进行了保护，下铜层3没有减铜，上铜层2减铜处理后，对铜面进行棕化处理，然后在覆铜芯板的边缘位置制作与镭射工作平台上的定位柱相配合的工具孔，将覆铜芯板上的工具孔分别插入镭射工作平台上的定位柱上，即将覆铜芯板安装在镭射工作平台上，启动镭射机，对覆铜芯板自上而下进行镭射钻孔处理，镭射钻孔完成后，采用退膜工艺对下铜层3上贴覆的下保护膜4进行退膜处理，然后对镭射钻孔的孔壁进行孔金属化处理，对上铜层2进行贴上保护膜5，具体为在覆铜芯板顶部的上铜层2上表面进行单面贴覆一层由干膜制成的上保护膜5，上铜层2完成上保护膜5的贴覆后，将覆铜芯板再次放入减铜设备中对下铜层3进行单面减铜处理，进行减铜处理后的下铜层3铜厚为6um，下铜层3单面减铜处理完成后，采用退膜工艺对上铜层2进行退膜处理，然后进入后工序进行后工序处理。
如图1和图2所示，本发明薄板hdi板的制作方法，采用先将芯板底部铜层进行贴覆保护膜保护，利用减铜设备对芯板顶部铜层进行单面减铜处理，有效确保了镭射钻孔过程中芯板底部铜层保持较厚的厚度，加强线路板加工过程中的机械性能，有效避免了现有技术中芯板上下双面减铜造成镭射钻孔易出现镭射钻穿等穿孔不良现象，同时为镭射钻孔处理后的孔金属化制作过程提供线路板机械性能保证，有效减少或避免孔金属化制作过程中易出现的卡板不良等现象，有效提升了产品良率。在镭射钻孔及孔金属化后，将芯板底部铜层上贴覆的保护膜采用退膜工艺进行退膜处理，芯板底部铜层退膜后，将芯板顶部铜层进行贴覆保护膜保护，然后同样利用对芯板顶部铜层进行减铜处理的减铜设备进行对芯板底部铜层进行减铜处理，以确保薄板hdi板的厚度，并利于后工序制作，该种将芯板上下铜层3分别单独进行减铜处理的操作方法，其相对于现有技术，其在利用现有设备的基础上，对薄板hdi板的制作方法进行了改进，有效避免了镭射钻穿、卡板等现象，提升了产品良率。
实施例2
如图1和图2所示，一种薄板hdi板的制作方法，首先按照需求尺寸进行覆铜芯板开料，所述覆铜芯板包括基材1，所述基材1的顶部覆有上铜层2，所述基材1的底部覆有下铜层3，所述上铜层2和下铜层3的铜厚范围均为25um，所述覆铜芯板的板厚范围为0.10mm；开料后，将覆铜芯板放入板面清洗机中对板面进行清洁处理，清洁处理后，先对覆铜芯板上的下铜层3贴下保护膜4，具体为在下铜层3下表面进行单面贴覆一层由油墨制成的下保护膜4，然后将覆铜芯板放入减铜设备中对上铜层2进行单面减铜处理，进行减铜处理后的上铜层2铜厚为8um，有效确保了薄板hdi板的薄度，此时，下铜层3由于贴覆了下保护膜4，下保护膜4对下铜层3进行了保护，下铜层3没有减铜，上铜层2减铜处理后，对铜面进行棕化处理，然后在覆铜芯板的边缘位置制作与镭射工作平台上的定位柱相配合的工具孔，将覆铜芯板上的工具孔分别插入镭射工作平台上的定位柱上，即将覆铜芯板安装在镭射工作平台上，启动镭射机，对覆铜芯板自上而下进行镭射钻孔处理，镭射钻孔完成后，采用退膜工艺对下铜层3上贴覆的下保护膜4进行退膜处理，然后对镭射钻孔的孔壁进行孔金属化处理，对上铜层2进行贴上保护膜5，具体为在覆铜芯板顶部的上铜层2上表面进行单面贴覆一层由油墨制成的上保护膜5，上铜层2完成上保护膜5的贴覆后，将覆铜芯板再次放入减铜设备中对下铜层3进行单面减铜处理，进行减铜处理后的下铜层3铜厚为8um，下铜层3单面减铜处理完成后，采用退膜工艺对上铜层2进行退膜处理，然后进入后工序进行后工序处理。
实施例3
如图1和图2所示，一种薄板hdi板的制作方法，首先按照需求尺寸进行覆铜芯板开料，所述覆铜芯板包括基材1，所述基材1的顶部覆有上铜层2，所述基材1的底部覆有下铜层3，所述上铜层2和下铜层3的铜厚范围均为35um，所述覆铜芯板的板厚范围为0.15mm；开料后，将覆铜芯板放入板面清洗机中对板面进行清洁处理，清洁处理后，先对覆铜芯板上的下铜层3贴下保护膜4，具体为在下铜层3下表面进行单面贴覆一层由干膜制成的下保护膜4，然后将覆铜芯板放入减铜设备中对上铜层2进行单面减铜处理，进行减铜处理后的上铜层2铜厚为9um，有效确保了薄板hdi板的薄度，此时，下铜层3由于贴覆了下保护膜4，下保护膜4对下铜层3进行了保护，下铜层3没有减铜，上铜层2减铜处理后，对铜面进行黑化处理，然后在覆铜芯板的边缘位置制作与镭射工作平台上的定位柱相配合的工具孔，将覆铜芯板上的工具孔分别插入镭射工作平台上的定位柱上，即将覆铜芯板安装在镭射工作平台上，启动镭射机，对覆铜芯板自上而下进行镭射钻孔处理，镭射钻孔完成后，采用退膜工艺对下铜层3上贴覆的下保护膜4进行退膜处理，然后对镭射钻孔的孔壁进行孔金属化处理，对上铜层2进行贴上保护膜5，具体为在覆铜芯板顶部的上铜层2上表面进行单面贴覆一层由干膜制成的上保护膜5，上铜层2完成上保护膜5的贴覆后，将覆铜芯板再次放入减铜设备中对下铜层3进行单面减铜处理，进行减铜处理后的下铜层3铜厚为8um，下铜层3单面减铜处理完成后，采用退膜工艺对上铜层2进行退膜处理，然后进入后工序进行后工序处理。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；凡本行业的普通技术人员均可按说明书附图所示和以上所述而顺畅地实施本发明；但是，凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，可利用以上所揭示的技术内容而作出的些许更动、修饰与演变的等同变化，均为本发明的等效实施例；同时，凡依据本发明的实质技术对以上实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变等，均仍属于本发明的技术方案的保护范围之内。