本发明涉及PCB制作工艺领域，具体涉及一种改善IC桥位偏移及脱落的工艺。
背景技术：
PCB(printed Circuit Board)中文名字印制电路板，又称印刷线路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电器连接的载体。电子设备采用印制板后，由于同类印制板的一致性，从而避免了人工接线的差错，并可实现电子元件自动插件或贴装.自动焊锡.自动检测，保证了电子设备的质量及稳定性。提高了劳动生产效率.降低了成本，并便于维修。随着高性能高精密的电子产品的高速发展。电子产品对印制板产品要求向高密度.高精度.细孔径.细导线.细间距.高可靠.多层化.高速传输，轻量薄形发展。所以对于PCB的IC偏移度及可靠性的要求越来越严格。制作难度越来越高。为保证IC焊接的牢靠性及电器性能不受影响。设备及基板涨缩导致对位准确度偏移会在1.25mil左右。随着IC小间距7mil的位置,IC桥位与IC两边需保证1mil以上的间距，为改善偏位阻焊不上IC加大开窗至2.25mil，减小阻焊IC桥位至2.5mil，给生产过程中带来了IC容易脱落.偏位上IC的因素，为保证效率不改变印刷方式情况下，(白网连塞带印)阻焊显影即要保证孔内油墨能冲干净,又要保证IC桥位不脱落，需要在设备及工艺上改善阻焊IC保桥能力。因此在生产过程中提升产品,品质是业界共同追求的目标。
技术实现要素：
本发明要解决的问题是克服现有阻焊生产中IC小距离、IC桥位偏移及IC桥位脱落的缺陷。提供一种改善IC桥位偏移及IC桥位脱落的工艺。
为解决以上技术问题，本发明提供了如下技术改善方案：
本发明改善阻焊生产IC桥位偏移及掉桥的工艺包括以下步骤：
(1)阻焊前处理，具体包括酸洗、磨板、喷砂、吸干、吹干、烘干；
(2)印刷，油墨稀释剂添加：30ml/KG，43T斜拉网、连塞带印、白网印刷；
(3)预烤；
(4)对位曝光，采用半自动曝光机；
(5)显影，采用碳酸钾；
(6)QC全检，具体40倍镜全检；
(7)后烤，先烤低温，再高温烤155℃/80min；
(8)物理实验测试，具体切片确认油墨侧蚀；
高温后烤做物理测试，切片确认油墨侧蚀。侧蚀越大越容易掉桥，表面处理时IC桥位存在越大脱落的风险。侧蚀越小保桥能力越强。
进一步说明，所述阻焊生产IC小距离。IC桥位偏移及IC桥位脱落的问题。
进一步说明，所述步骤(3)现有要求预烤(隧道烤炉73℃/8段/每段408秒，合计54分钟)本技术要求预烤(隧道烤炉73℃/8段/每段468秒，合计62分钟)本技术中预烤增加8分钟可延长油墨溶剂的挥发时间提升保桥能力。
进一步说明，所述步骤(4)现有要求设计IC间距7mil,桥宽4mil,开窗1.5mil，曝光能量：10±1级，能量均匀性：75％。本技术要求IC间距7mil,桥宽2.5mil,开窗2.25mil.曝光能量：11±1级，能量均匀性：87％。加大开窗至2.25mil弥补设备及基板涨缩(1.25mil)使阻焊IC偏移不可避免的负面因素导致偏位上焊盘。在保证参数上限情况下，增加能量及能量均匀性，可提升IC桥位的附着力。
进一步说明，所述步骤(5)
1.显影碳酸钾浓度：12±2g/L
2.显影温度：30±2℃
3.显影点：65±5％
4.显影压力：上压.2.5±0.5kg/cm2,下压.2.5±0.5kg/cm2
5.水洗压力：1.5±0.2kg/cm2
6.烘干温度：50±5℃
显影方式及喷嘴类型：IC面统一朝下显影。现有要求喷嘴所喷出水花为柱形，便于冲干净孔内油墨，但对表面油墨及IC桥位冲击大，容易掉桥及加大油墨侧，蚀降低阻焊油墨附着力。喷嘴分别为扇形、柱形交叉排列。即能减小水柱对IC桥位及油墨的冲击造成IC桥位脱落，又能保证孔内油墨冲干净。
本发明所达到有益效果是：
1.预烤(隧道炉烤炉73℃/8段/每段468秒合计62分钟)本技术中预烤增加8分钟，可延长油墨溶剂的挥发时间提升保桥能力。
2.加大开窗至2.25mil弥补设备及基板涨缩(1.25mil)使IC偏移不可避免的负面因素导致偏位上焊盘。增加能量及能量均匀性，可提升IC桥位的附着力。
3.所述显影方式及喷嘴类型：IC面统一朝下显影，显影下喷嘴按水柱，分别为扇形、柱形交叉排列；喷嘴一半采用水花为扇形结构噴嘴，另一半水花采用柱形结构噴嘴，显影喷嘴按水柱形状。分别为扇形、柱形交叉排列生产。
附图说明
图1为本发明中现有技术工程设计IC间距图(7mil)；
图2为本发明中现有技术工程设计IC开窗图(1.5mil)；
图3为本发明中现有技术工程设计IC桥宽图(4mil)；
图4为本发明中现有技术40倍镜效果图；
图5为本发明中现有技术100倍镜效果图；
图6为本发明中现有技术油墨侧蚀切片图；
图7为本发明实施例工程设计IC间距图(7mil)；
图8为本发明实施例工程设计IC开窗图(2.25mil)；
图9为本发明实施例工程设计IC桥宽图(2.5mil)；
图10为本发明实施例40倍镜效果图；
图11为本发明实施例术100倍镜效果图；
图12为本发明实施例术油墨侧蚀切片图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面对发明专利实例中的技术方案进行清楚，完整的描述，当然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中实施例，本领域普通技术人员没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护范围。
参见附图7-12，
(1)阻焊前处理速度:2.5m/min,酸洗浓度:3.8％,磨痕宽度:15mm,烘干温度:91℃喷砂压力:上压力：2.0KG/C㎡.下压力：1.8KG/C㎡(酸洗、磨板、喷砂、吸干、吹干、烘干)
(2)印刷刮胶硬度：75度，刮刀角度：35度(油墨稀释剂添加：30ml/KG，43T斜拉网，连塞带印，白网印刷)
(3)预烤(隧道炉烤炉73℃/8段/每段468秒，合计62分钟)
(4)对位曝光(半自动曝光机)IC间距7mil，桥宽2.5mil，开窗2.25mil，曝光能量：11±1级，真空压力-450mmHg能量均匀性：87％
(5)显影(碳酸钾)显影碳酸钾浓度：12±2g/L，显影温度：30±2℃，显影点：65±5％，显影压力：上压.2.5±0.5kg/cm2,下压.2.5±0.5kg/cm2水洗压力：1.5±0.2kg/cm2烘干温度：50±5℃。显影方式及喷嘴类型：IC面统一朝下显影。按水柱，分别为，扇形.柱形交叉排列。喷嘴一半，水花为扇形的噴嘴，一半水花为柱形的噴嘴，显影喷嘴按水柱形状，扇形.柱形交叉排列生产。
(6)QC全检(40倍镜全检)无偏位上IC及阻焊IC桥位脱落问题。
(7)后烤(先烤低温：70℃/30min90℃/30min120℃/20min再烤高温：155℃/80min)
(8)物理测试(切片确认油墨侧蚀)油墨侧蚀在11um-17um
显影后QC用40倍镜全检确认，无偏位上IC及阻焊IC桥位脱落问题。后烤做物理测试切片确认油墨侧蚀11um-17um。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。