1.一种基于聚焦超声的驱动电路，其特征在于，所述基于聚焦超声的驱动电路包括开关电路、功率调节电阻、自激电路，所述开关电路、所述功率调节电阻以及所述自激电路依次电连接，且所述自激电路用于与一聚焦晶片电连接，所述开关电路用于在接收到一PWM信号后，依据所述PWM信号控制所述自激电路开启或关闭，所述自激电路用于在开启后与所述聚焦晶片一起自激振荡。
2.如权利要求1所述的基于聚焦超声的驱动电路，其特征在于，所述自激振荡电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电感、第二电感、二极管以及第一三极管，所述第一三极管的基极与所述功率调节电阻电连接，所述二极管的阳极与所述功率调节电阻电连接，所述二极管的阴极分别与所述第一三极管的集电极、所述第一电感的一端、所述第一电容的一端、所述第二电容的一端以及所述聚焦晶片的一端电连接，所述第一电感的另一端与一第一电源电连接，所述第一电容与所述第二电容的另一端均接地，所述第一三极管的发射极与所述第二电感电连接后接地，所述第三电容的一端、所述第四电容的一端均与所述功率调节电阻电连接，所述第三电容的另一端接地，所第四电容的另一端与所述聚焦晶片电连接。
3.如权利要求2所述的基于聚焦超声的驱动电路，其特征在于，所述自激振荡电路还包括第一电阻，所述第一电阻的一端与所述功率调节电阻电连接，所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极电连接。
4.如权利要求1所述的基于聚焦超声的驱动电路，其特征在于，所述开关电路包括第二三极管、MOS管、第二电阻以及第三电阻，所述第二三极管的基极分别与所述第三电阻的一端以及一PWM信号源电连接，所述第三电阻的另一端接地，所述第二三极管的发射极接地，所述第二三极管的集电极分别与所述第二电阻的一端、所述MOS管的栅极电连接，所述MOS管的漏极分别与所述第二电阻的另一端以及一第二电源电连接，所述MOS管的栅极与所述功率调节电阻电连接。
5.如权利要求4所述的基于聚焦超声的驱动电路，其特征在于，所述开关电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端与所述MOS管的栅极电连接，所述第四电阻的另一端接地。
6.如权利要求1所述的基于聚焦超声的驱动电路，其特征在于，所述基于聚焦超声的驱动电路还包括限流电阻，所述限流电阻与所述开关电路电连接，所述开关电路用于通过所述限流电阻接收所述PWM信号。
7.如权利要求1所述的基于聚焦超声的驱动电路，其特征在于，所述功率调节电阻的阻值为100R-1000R。
8.一种治疗仪，其特征在于，所述治疗仪包括聚焦晶片、PWM信号发生器、电源以及如权利要求1至7任意一项所述的基于聚焦超声的驱动电路，所述PWM信号发生器、所述基于聚焦超声的驱动电路以及所述聚焦晶片依次电连接，所述电源分别与所述PWM信号发生器、所述基于聚焦超声的驱动电路电连接，所述PWM信号发生器用于生成占空比为20％-60％的PWM信号，所述基于聚焦超声的驱动电路用于依据所述PWM信号的占空比与所述聚焦晶片一起自激振荡。
9.如权利要求8所述的治疗仪，其特征在于，所述聚焦晶片的工作频率为600KHz-1MHz。
10.如权利要求8所述的治疗仪，其特征在于，所述基于聚焦超声的驱动电路数量为多个，所述聚焦晶片的数量也为多个，且每个所述基于聚焦超声的驱动电路与一个所述聚焦晶片电连接。