一种由分立元件组成的快速开关驱动电路的制作方法

本实用新型涉及一种应用于MOS驱动放电，线圈电感放电d的驱动电路，尤其涉及一种由分立元件组成的快速开关驱动电路。

背景技术：

当前的电子产品使用的输出功率越来越大，对MOS管的驱动控制要求越来越高。MOS管驱动需要同时满足电压上升时速度快，放电的电压下降时速度也要快。现有的各种各样的放电开关回路，种类较多，例如有IC输入输出控制，也有并联电阻放电，以及MOS管搭建外围电路放电等。但是使用IC驱动的方案，驱动电压充放电的时间一般由IC内部固定，不便于根据不同的应用，调节充分时间的开关。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的在于提供一种由分立元件组成的快速开关驱动电路，主要通过分立元件组成，利用三极管开关导通原理，旨在实现快速充放电，简单方便。

为实现上述目的，本实用新型提供一种由分立元件组成的快速开关驱动电路，包括输入电路、控制电路、输出端out和三极管Q1；所述的输入电路与控制电路直接连接；所述的输入电路还串联有二极管D1；所述的二极管D1的输出端与所述的三极管Q1的基极连接；所述的三极管Q1的基极与发射极之间并联有电阻R3和二极管D2；所述的二极管D2的输入段与R3连接，输出端与三极管Q1的发射极连接；所述的三极管Q1的基极与集电极之间并联有一接地的电阻R6；所述的输出端out设置在所述的二极管D2与三极管Q1的发射极之间。

优选地，所述的三极管Q1为PNP管。

优选地，所述的三极管Q1的型号为MMBT9015C。

优选地，所述的输入电路包括输入端in、电阻R1和P沟道MOS管M1；所述的输入端依次与电阻R1和MOS管M1的源极串联；所述的MOS管M1的源极与栅极之间并联有电阻R2；所述的MOS管M1的漏极与所述的二极管D1连接；所述的MOS管M1的栅极还与所述的控制电路连接。

优选地，所述的MOS管M1为增强型的MOS管。

优选地，所述的控制电路包括控制端control和N沟道MOS管M2；所述的MOS管M2的栅极与控制端control之间串联有电阻R5；所述的MOS管M2的栅极还连接有一接地的电阻R7；所述的MOS管M2的源极接地；所述的MOS管M2的漏极串联有电阻R4；所述的电阻D4的另一端与所述的输入电路连接。

优选地，所述的MOS管M2为增强型的MOS管。

本实用新型可应用于MOS驱动放电，线圈电感放电等领域，其主要通过分立元件组成，利用三极管开关导通原理，实现了快速充放电，且结构简单，易于实现，而且还可以通过修改其中的部分元件来调节驱动输出电压的开关时间长度。

附图说明

图1为本实用新型驱动电路一实施例的结构示意图；

图2为图1的输入电路的结构示意图；

图3为图1的控制电路的结构示意图；

图4为图1的驱动电路的各个元件的连接结构示意图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供一种由分立元件组成的快速开关驱动电路，参照图1-4，在第一实施例中，该驱动电路包括输入电路、控制电路、输出端out和三极管Q1；所述的输入电路与控制电路直接连接；所述的输入电路还串联有二极管D1；所述的二极管D1的输出端与所述的三极管Q1的基极连接；所述的三极管Q1的基极与发射极之间并联有电阻R3和二极管D2；所述的二极管D2的输入段与R3连接，输出端与三极管Q1的发射极连接；所述的三极管Q1的基极与集电极之间并联有一接地的电阻R6；所述的输出端out设置在所述的二极管D2与三极管Q1的发射极之间。

本实施例通过主要通过分立元件组成，利用三极管开关导通原理，实现了快速充放电，且结构简单，易于实现，而且还可以通过修改其中的部分元件来调节驱动输出电压的开关时间长度。

基于第一实施例，在第二实施例中，三极管Q1为PNP管。

本实施例公开了三极管的一种类型。

基于上述实施例，在第三实施例中，三极管Q1的型号为MMBT9015C。

本实施例公开了三极管Q1的一种具体型号。

基于第一实施例，在第四实施例中，输入电路包括输入端in、电阻R1和P沟道MOS管M1；输入端in依次与电阻R1和MOS管M1的源极串联； MOS管M1的源极与栅极之间并联有电阻R2；MOS管M1的漏极与二极管D1连接； MOS管M1的栅极还与控制电路连接。

基于上述实施例，在第五实施例中，MOS管M1为增强型的MOS管。

基于第一实施例，在第六实施例中，控制电路包括控制端control和N沟道MOS管M2； MOS管M2的栅极与控制端control之间串联有电阻R5； MOS管M2的栅极还连接有一接地的电阻R7； MOS管M2的源极接地； MOS管M2的漏极串联有电阻R4；电阻D4的另一端与输入电路连接。

基于上述实施例，在第七实施例中，MOS管M2为增强型的MOS管。

本实施例中的电路原理为：

当控制端control接入高电平时，电阻R5和电阻R7通过分压后，MOS管M2导通，因此电阻R2和电阻R4分压，MOS管M1导通，输入端in通过电阻R1，二极管D1，电阻R3，二极管D2分压，再提供电压给输出端out，根据电流的回路方向，三极管Q1的基极的电压大于发射极，所以三极管Q1不能导通，输出端out的电压可以维持在高电压。

当放电时，控制端control输入低电平，电阻R7的电压为零，MOS管M2不导通，电阻R2和电阻R4不能分压，MOS管M1无法打开，输出端out的电压无法维持，但是输出端out原有储存的电压，因为二极管D2的单向导通的原理，电量只能通过三极管Q1进行释放。由于三极管Q1的开启电压为0.6V，所以输出端out的高电平能够快速打开，三极管Q1打开后，输出端out的电压直接接地，实现快速放电。

根据三极管电流的放大原理，当电阻R6的阻值或者三极管Q1的放大系数越大时，通过三极管Q1的 发射极和集电极的电流越大，输出端out的放电电流也越大，输出端out的电压维持的时间也越短。

以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。