集成电路抗地弹干扰复位电路的制作方法

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种集成电路抗地弹干扰复位电路。

背景技术：

半导体集成电路内部电源与地线之间存在退耦合电容，电路板上的电源与半导体集成电路封装管壳电源之间存在封装电感，封装管壳电源和半导体集成电路内部电源之间存在片上寄生电感，电路板上的地线与半导体集成电路封装管壳地线之间存在封装电感。当开关不断的左右切换时，半导体集成电路的电源线与电路板上的地线中有较大的瞬态电流变化，这一瞬态电流经过封装电感产生较大的交流电压差波动，将造成半导体集成电路内部电源与内部地线电压、半导体集成电路内部电源与电路板上的电源与地线电压不同。这一现象叫做地弹效应，此效应在电源与地线中引入了地弹噪声。

低频时，地噪声主要是因为构成地线的导体等效为电阻，电路系统的电流都要流经地线而产生的电势差波动。高频时，地噪声主要是因为构成地线的导体等效为电感，电路系统的电流快速变化地经过这个等效电感时，等效电感两端激发出更强的电压扰动。

由于地弹效应使地线电压升高、电源线电压降低，在电路工作的过程中使输出管的栅源电压减小，从而使驱动电流按平方率减小，大大减弱了输出电路性能。当输出电路驱动TTL电路时，由于地线电压的升高与电源线电压的降低，使输出电路输出的低电平信号与高电平信号达不到TTL电平的要求，从而产生逻辑错误。更为严重的是，由于地线长长地延伸到电路板的边缘，像一根发射天线一样不断地向外辐射“地噪声”。上述各种情况，将导致电路板上的各种控制电路出现反复复位的问题。

技术实现要素：

本实用新型针对现有技术的不足，提出一种集成电路抗地弹干扰复位电路，解决了外部设备反复复位的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用如下的技术方案：一种集成电路抗地弹干扰复位电路，包括：控制电路、抑制地弹噪声电路、复位电路；

所述抑制地弹噪声电路与复位电路连接，对复位信号做抗地弹效应处理；

所述复位电路与控制电路连接，提供抗地弹效应的复位信号，保证控制电路正常复位。

优选地，所述控制电路为OMAP3630。

优选地，所述复位电路包括分压器、第一电容(C1)、反相器74LS04，所述分压器由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)组成，所述第一电容(C1)一端接地，另一端与第二电阻(R2)的一端电连接，所述第一电阻(R1)一端连接外部电源、控制电路电源管脚，另一端与第二电阻(R2)、反相器74LS04电连接，第一电阻(R1)还与抑制地弹噪声电路并联连接，反相器74LS04输出复位信号至控制电路。

优选地，所述抑制地弹噪声电路包括肖特基二极管IN5818、第三电阻(R3)、第二电容(C2)，所述肖特基二极管IN5818与第三电阻(R3)电连接，串联的肖特基二极管IN5818、第三电阻(R3)与第二电容(C2)并联电连接。

本实用新型的有益效果：本实用新型的集成电路抗地弹干扰复位电路，(一)分压电路中的第二电阻(R2)作为匹配电阻，使与电路板、半导体集成电路的地平面形成的等效电阻相匹配，消除了电路板、控制电路地弹效应；(二)抑制地弹噪声电路中的第二电容(C2)作为去耦电容，使与电路板上的电源、半导体集成电路所形成的等效噪声信号源相匹配，显著地消除了电路板、控制电路地弹效应；(三)抑制地弹噪声电路中的第三电阻(R3)降低复位电路对电源电压的敏感性，肖特基二极管在强干扰造成逻辑错误的频繁开关电源时可以稳定复位信号电压，避免了外部设备因地弹效应导致的反复复位。

附图说明

用附图对本实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制。

图1是本实用新型集成电路抗地弹干扰复位电路一实施例结构示意图。

图2是本实用新型集成电路抗地弹干扰复位电路一实施例电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步的说明，这是本实用新型的较佳实施例。

如图1、2所示，本实用新型的一种集成电路抗地弹干扰复位电路，包括：控制电路OMAP3630、抑制地弹噪声电路、复位电路；抑制地弹噪声电路与复位电路连接，对复位信号做抗地弹效应处理；复位电路与控制电路连接，提供抗地弹效应的复位信号，保证控制电路正常复位。

复位电路包括分压器、第一电容(C1)、反相器74LS04，分压器由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)组成，第一电容(C1)一端接地，另一端与第二电阻(R2)的一端电连接，第一电阻(R1)一端连接外部电源、控制电路电源管脚，另一端与第二电阻(R2)、反相器74LS04电连接，第一电阻(R1)还与抑制地弹噪声电路并联连接，反相器74LS04输出复位信号至控制电路。

本实施例中，分压电路中的第二电阻(R2)作为匹配电阻，使与电路板、半导体集成电路的地平面形成的等效电阻相匹配，消除了电路板、控制电路地弹效应。

抑制地弹噪声电路包括肖特基二极管IN5818、第三电阻(R3)、第二电容(C2)，肖特基二极管IN5818与第三电阻(R3)电连接，串联的肖特基二极管IN5818、第三电阻(R3)与第二电容(C2)并联电连接。

本实施例中，第二电容(C2)作为去耦电容，使与电路板上的电源、半导体集成电路所形成的等效噪声信号源相匹配，显著地消除了电路板、控制电路地弹效应；第三电阻(R3)降低复位电路对电源电压的敏感性，肖特基二极管在强干扰造成逻辑错误的频繁开关电源时可以稳定复位信号电压，这些都避免了外部设备比如本实用新型的控制电路因地弹效应导致的反复复位问题。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。