本实用新型涉及一种线性宽压电路。
背景技术:
现有LED线性驱动方案要求光源的VF与输入电压要相近,才能达到高效率的输出,而光源一旦确定后,VF就固定下来了,没办法随输入电压变化做相应的变化,这就使得线性驱动只能做低压或者高压,没办法实现高低压通用。
技术实现要素:
为了克服现有技术中同一驱动电路无法满足高低压通用的技术问题,本实用新型提供一种线性宽压电路,用以实现高低压输入都能高效输出的目的。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种线性宽压电路,包括依次连接的AC输入单元、过流保护单元、过压保护单元、整流滤波单元、双压切换单元以及LED负载,当所述AC输入单元输入的电压低于设定的电压值时,所述双压切换单元使LED负载呈并联状态;当所述AC输入单元输入的电压高于设定的电压值时,所述双压切换单元使LED负载呈串联状态。
进一步地,所述LED负载包括LED1和LED2;所述双压切换单元包括线性IC,电阻R1、R2、R3、R4、R5,二极管D1,稳压二极管D2以及场效应管Q1,所述线性IC的3号引脚连接到电阻R1与电阻R2之间,所述线性IC的4号引脚通过电阻R4连接到地,所述线性IC的1号引脚同时连接到二极管D1的正极以及LED1的负极,所述二极管D1的正极同时连接到场效应管Q1的源极S、稳压二极管D2的正极以及LED2的正极,所述场效应管Q1的漏极D连接到LED1的正极,同时通过电阻R5连接到线性IC的7号引脚,所述稳压二极管的负极同时连接到场效应管Q1的栅极G以及线性IC的7号引脚,所述LED2的负极连接到线性IC的8号引脚,所述线性IC的5号引脚通过电阻R4连接到地。
进一步地,所述过流保护单元采用熔断器F1。
进一步地,所述过压保护单元采用压敏电阻RV。
进一步地,所述整流滤波单元包括整流桥芯片BR、电阻R6以及电容E1,所述整流桥芯片BR的1号引脚通过电阻R6连接到整流桥芯片BR的4号引脚,所述电容E1与所述电阻R6并联连接。
进一步地,所述线性IC采用的封装形式为ESOP-8。
本实用新型的线性宽压电路通过检测输入电压,根据输入电压情况给出控制电平,控制负载的串并联方式,从而得到合适的VF,达到高低压输入都能高效输出的效果。
附图说明
图1为本实用新型一种线性宽压电路的原理方框图;
图2为本实用新型一种线性宽压电路的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施方式,对本实用新型做进一步描述:
如图1和图2所示,一种线性宽压电路包括依次连接的AC输入单元、过流保护单元、过压保护单元、整流滤波单元、双压切换单元以及LED负载;所述LED负载包括LED1和LED2;所述双压切换单元包括线性IC,电阻R1、R2、R3、R4、R5,二极管D1,稳压二极管D2以及场效应管Q1,所述线性IC的3号引脚连接到电阻R1与电阻R2之间,所述线性IC的4号引脚通过电阻R4连接到地,所述线性IC的1号引脚同时连接到二极管D1的正极以及LED1的负极,所述二极管D1的正极同时连接到场效应管Q1的源极S、稳压二极管D2的正极以及LED2的正极,所述场效应管Q1的漏极D连接到LED1的正极,同时通过电阻R5连接到线性IC的7号引脚,所述稳压二极管的负极同时连接到场效应管Q1的栅极G以及线性IC的7号引脚,所述LED2的负极连接到线性IC的8号引脚,所述线性IC的5号引脚通过电阻R4连接到地;所述过流保护单元采用熔断器F1;所述过压保护单元采用压敏电阻RV;所述整流滤波单元包括整流桥芯片BR、电阻R6以及电容E1,所述整流桥芯片BR的1号引脚通过电阻R6连接到整流桥芯片BR的4号引脚,所述电容E1与所述电阻R6并联连接;所述线性IC采用的封装形式为ESOP-8。
通常生活中我们指的高压就是200V-240V,低压就是100V-120V,但是对于实际线路,我们只需设定一个电压值,低于这个电压值,负载并联;高于这个电压值,负载串联;这个电压值一般会选在150V-170V之间,具体值可设定。本实施例以170V为例:封装IC的3号检测脚通过电阻R1和R2,检测母线电压,并判断输入是高压或者低压;当输入低于设定值170V时,线性IC的7号引脚会给场效应管Q1一个高电平,使场效应管Q1导通,此时LED1和LED2呈并联状态,VF较低和输入电压相近,高效率输出;当输入高于电压值170V时,线性IC的7号引脚会给Q1一个低电平,使场效应管Q1关断,此时LED1和LED2呈串联状态,VF较高和输入电压接近,高效率输出。
本实用新型的光源部分采用灯丝为例,将4根灯丝分两串各引出两根导丝,共4根导丝,一串作为LED1一串作为LED2;此外,光源也可以采用SMT方式做相应VF匹配,数量无偶数颗限制,形状也无限制。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;对于本技术领域的普通技术人员来说,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型的保护范围。