本实用新型涉及电路启动装置技术领域，具体为一种高压启动电路结构。
背景技术：
目前，LED灯的开关电源常需要采用高压作为启动电源，常见的LED灯开关电源芯片的高压启动电路主要采用外置启动电阻的方法。采用外置启动电阻的方式启动LED的开关电源后，启动电路不能自关断，需要增加额外的关断装置来实现电路的关断，这种方式不仅关断速度慢 ，使系统待机时间拉长，而且线路及电子元件的增加，不仅使整个电路结构复杂化，而且使整个启动电路的功耗偏大。由于启动电压高、启动电流大，电路不能迅速关断，产生的高热量极易使MOS管损坏。如果要降低这部分功耗，就需要增加额外的电阻来降低功耗，这样又会使整个电路系统的启动时间大大延长，因此，发明一种可自关断、超快速、低功耗的高压启动电路成为我们亟待解决的问题。
技术实现要素：
针对现有技术中存在的关断速度慢、功耗大、电路结构复杂、MOS管易损坏、启动时间长等问题，本实用新型提供了一种高压启动电路结构，其电路结构设计简单合理，可以自关断，启动和关断速度超快速，可大大降低功耗，有效防止MOS管损坏问题的出现。
一种高压启动电路结构，其包括电阻R1、R2，所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，其特征在于，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC，所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。
将本实用新型应用于LED灯的开关电源启动，电阻R1、R2的作用为限流，系统上电之初，电容C1两端电压为0V，这时LED驱动芯片不工作，随着时间的推移，高压源HV通过电阻R1、三极管Q1、Q2给电容C1快速充电，并且电流通过三极管Q1、Q2得到放大，当C1两端的电压达到NMOS场效应管Q3的开启电压时，三极管Q1，Q2关断。启动电路完成了启动工作，并自动进入低功耗状态，NMOS场效应管Q3的功耗为HV2/R1。可见，该启动电路结构简单，可以实现自关断，并且启动速度快，功耗主要由NMOS场效应管Q3产生，在有效防止NMOS场效应管Q3损坏的同时，大大降低了整个开关电源系统的功耗。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示，一种高压启动电路结构，其包括电阻R1、R2，所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，其特征在于，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC，所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。
其具体工作原理如下所述：系统上电之初，电容C1两端电压为0V，这时LED驱动芯片不工作，随着时间的推移，高压源HV通过电阻R1、三极管Q1、Q2给电容C1快速充电，并且电流通过三极管Q1、Q2得到放大，当C1两端的电压达到NMOS场效应管Q3的开启电压时，三极管Q1，Q2关断。启动电路完成了启动工作，并自动进入低功耗状态。