本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种双通道功率衰减装置。
背景技术：
在大功率发射设备应用中，为获得某一功率等级的射频输出，对已调信号进行增益放大，寻求天线最大辐射效率。为此，在设备研发过程中，往往除设计增益放大部件，还需要设计天线调谐部件，为监控和保护提供依据的测试和测量部件等等，各部件的功能和目的不同，对信号源的大小要求则不同。因而需对同一信号源，根据具体要求，同时给出不同功率等级的射频输出。通常采用的实现方法是用CPU的CPI总线或I2C总线控制可控衰减器集成电路，以期达到信号衰减的目的。实践中获知，这种普遍采用的方法具有成本高、设计复杂、端口阻抗匹配难度大、易受大信号干扰等缺点。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为适应大功率发射设备对信号源不同功率等级的输出需求，设计一种双通道功率衰减装置。
为实现上述实用新型目的，本实用新型的技术方案是：一种双通道功率衰减装置，包括射频信号输入端口X1、射频信号输出端口X2，所述射频信号输入端口X1连接电容C1，所述射频信号输出端口X2连接电容C2，所述电容C1与电容C2之间设有并联的第一衰减通道A、第二衰减通道B；
所述第一衰减通道A包括顺序连接的第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2，所述第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2之间串接有第一衰减电阻R1、第二衰减电阻R2，所述第一衰减电阻R1、第二衰减电阻R2之间设有第一接地电阻R3；所述第二衰减通道B包括顺序连接的第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4，所述第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4之间串接有第三衰减电阻R4、第四衰减电阻R5，所述第三衰减电阻R4、第四衰减电阻R5之间设有第二接地电阻R6；
所述第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4分别由12V电压提供偏置信号，控制导通和截止。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型的双衰减通道由分立的元器件构成，成本低廉，适宜于大功率发射设备使用；可设置根据需要设置衰减量、端口阻抗特性；通道偏置电压高，在复杂电磁环境下抗干扰能力强。
附图说明
图1为本实用新型的电路拓扑图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
如图1所示，一种双通道功率衰减装置，包括射频信号输入端口X1、射频信号输出端口X2，所述射频信号输入端口X1连接电容C1，所述射频信号输出端口X2连接电容C2，所述电容C1与电容C2之间设有并联的第一衰减通道A、第二衰减通道B；
所述第一衰减通道A包括顺序连接的第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2，所述第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2之间串接有第一衰减电阻R1、第二衰减电阻R2，所述第一衰减电阻R1、第二衰减电阻R2之间设有第一接地电阻R3；所述第二衰减通道B包括顺序连接的第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4，所述第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4之间串接有第三衰减电阻R4、第四衰减电阻R5，所述第三衰减电阻R4、第四衰减电阻R5之间设有第二接地电阻R6；
所述第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3、第四PIN二极管D4分别由12V电压提供偏置信号，控制导通和截止。本实用新型采用多个不同等级的衰减器并行配置，偏置电压控制PIN二极管的导通状态，选通当前工作的射频通道，利用PIN 二极管反向特性旁路不工作的射频通道，避免不同通道间的不利影响。
射频信号从射频信号输入端口X1输入，经电容C1隔直流，进入衰减器通路，PIN二级管由12V电压提供偏置，PIN二极管在同一射频通路中同时导通和截止，有偏置电压的PIN二极管导通，无偏置电压的PIN二极管截至，PIN二极管成对导通后，该衰减器通路选通，其余通路被旁路掉。例如，第一PIN二极管D1、第二PIN二极管D2连接12V电压，导通，第一衰减通道A选通，射频信号通过第一衰减通道A衰减后，通过电容C2隔离直流成分，经射频信号输出端口X2输出。衰减器为T型网络，输入输出为50欧姆，可匹配50欧姆信源和负载。
所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。