设备的上电装置的制作方法

文档序号:14922813发布日期:2018-07-11 04:58阅读:303来源:国知局

本实用新型涉及电路领域,具体而言,涉及一种设备的上电装置。



背景技术:

通常在生产中,为了提高效率,会使用一个开关对多个设备进行相同操作,例如:设备下载程序,对设备进行初始化等。但由于当多个设备同时上电时,刚上电的设备所需的电压和电流高于设备稳定运行时所需的电压和电流,因此会导致其中个别设备上电失败。

针对现有技术中多设备同时所需的电压和电流较大,导致有些设备会上电失败的问题,目前尚未提出有效的解决方案。



技术实现要素:

本实用新型实施例提供了一种设备的上电装置,以至少解决现有技术中多设备同时所需的电压和电流较大,导致有些设备会上电失败的技术问题。

根据本实用新型实施例的一个方面,提供了一种设备的上电装置,包括:电源,用于为待上电设备提供电能;多个延时电路,多个延时电路串联连接,串联后的多个延时电路的一端与电源连接,用于在上一级延时电路延时完成的基础上进行延时;多个待上电设备,每个待上电设备分别与一个对应的延时电路相连,用于在连接的延时电路完成延时后上电。

进一步地,延时电路包括:第一电阻,第一电阻的第一端连接于当前延时电路的晶体管的基极,第一电阻的第二端连接于电源的正极或上一级延时电路中晶体管的发射极;电容,电容的第一端连接于第一电阻的第一端,电容的第二端连接于电源的负极;晶体管,晶体管的集电极与当前延时电路对应的待上电设备的负极输入端相连,晶体管的发射极连接于电源的负极。

进一步地,延时电路还包括:第二电阻,第二电阻连接于晶体管和电源的负极之间。

进一步地,多个延时电路中的第一个延时电路的第一电阻的第二端连接于电源的正极,其他延时电路的第一电阻的第二端连接于上一级延时电路中晶体管的发射极。

进一步地,上述装置还包括:开关,与电源的负极相连,用于控制延时电路与电源之间的通断。

进一步地,延时电路的数量与待上电设备的数量相同。

进一步地,待上电设备的正极输入端与电源的正级相连,待上电设备的负极输入端与对应的延时电路中晶体管的集电极相连。

进一步地,电容的电容值与延时电路的延时时间呈正比例关系。

在本实用新型实施例中,包括电源,用于为待上电设备提供电能;多个延时电路,多个延时电路串联连接,串联后的多个延时电路的一端与电源连接,用于在上一级延时电路延时完成的基础上进行延时;以及多个待上电设备,每个待上电设备分别与一个对应的延时电路相连,用于在连接的延时电路完成延时后上电。上述方案通过将延时电路串联连接于电源,并分别将每个待上电设备连接于对应的一个延时电路上,从而避免了多个待上电设备同时上电,进而解决了现有技术中多设备同时所需的电压和电流较大,导致有些设备会上电失败的技术问题,且不需要PC机控制,节省生产成本,可以适用于不方便使用PC机的生产场景。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本申请的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:

图1是根据本实用新型实施例的设备的上电装置的示意图;以及

图2是根据本实用新型实施例的一种延时电路的示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是,本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本实用新型的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

实施例1

根据本实用新型实施例,提供了一种设备的上电装置的实施例,图1是根据本实用新型实施例的设备的上电装置的示意图,如图1所示,该装置包括:

电源10,用于为待上电设备提供电能。

具体的,上述电源可以是蓄电池,也可是对从电网处获取的交流电进行转换得到的直流电,例如:12V直流电。

多个延时电路20,多个延时电路串联连接,串联后的多个延时电路的一端与电源连接,用于在上一级延时电路延时完成的基础上进行延时。

具体的,上述延时电路所需要达到的目的是,在经过延时时间后,使电源为相连的待上电设备供电。

电容在充电的过程中,电流和电压随着时间的变化而变化,当充满时,充电电流为零,电压为电源电压,即可作为电源放电。因此在一种可选的实施例中,可以通过在延时电路中设置电容来实现延时电路的延时功能,延时电路延时的时间即为电容充满电的时间。

多个待上电设备30,每个待上电设备分别与一个对应的延时电路相连,用于在连接的延时电路完成延时后上电。

此处需要说明的是,上述延时电路为串联结构,也即,任意一个延时电路都需要当其与电源之间的所有延时电路的延时完成后,才启动延时,并且在其完成延时后,才能够为与其连接的待上电设备供电。由此可知,每个待上电设备对应的上电时间都不相同,相邻待上电设备上电的间隔时间即为与待上电设备相连的延时电路的延时时间。

由上可知,本申请上述实施例包括电源,用于为待上电设备提供电能;多个延时电路,多个延时电路串联连接,串联后的多个延时电路的一端与电源连接,用于在上一级延时电路延时完成的基础上进行延时;以及多个待上电设备,每个待上电设备分别与一个对应的延时电路相连,用于在连接的延时电路完成延时后上电。上述方案通过将延时电路串联连接于电源,并分别将每个待上电设备连接于对应的一个延时电路上,从而避免了多个待上电设备同时上电,进而解决了现有技术中多设备同时所需的电压和电流较大,导致有些设备会上电失败的技术问题,且不需要PC机控制,节省生产成本,可以适用于不方便使用PC机的生产场景。

可选的,根据本申请上述实施例,延时电路包括:

第一电阻,第一电阻的第一端连接于当前延时电路的晶体管的基极,第一电阻的第二端连接于电源的正极或上一级延时电路中晶体管的发射极。

电容,电容的第一端连接于第一电阻的第一端,电容的第二端连接于电源的负极。

上述电容即为延时电路中实现延时功能的主要设备,电容充电的时间即为该延时电路能够实现的延时时间。由于电容的第一端连接于第一电阻的第一端,即晶体管的基极,因此当电容充满电进行泄放时,晶体管的基极位高电位,晶体管导通,从而使得晶体管的发射极和集电极之间导通。

晶体管,晶体管的集电极与当前延时电路对应的待上电设备的负极输入端相连,晶体管的发射极连接于电源的负极。

具体的,由于晶体管的发射极与电源负极相连,当晶体管的集电极与发射极导通时,晶体管的集电极与发射极都与电源的负极等电势,因此晶体管的集电极可以作为待上电设备的负极输入端。

图2是根据本实用新型实施例的一种延时电路的示意图,结合图2所示,电源为V1,提供12V直流电。该示例中示出了两个延时电路,第一个延时电路包括器件R1、C1、Q1以及R3,第二个延时电路包括器件R2、C2、Q2以及R4。

首先以第一个延时电路进行说明,该延时电路是多个延时电路串联后与电源直接相连的第一个延时电路。当电源V1接入电路后,电流通过R1为电容C1供电,C1开始充电,在C1充满电后,Q1处于导通状态,此时Key1(包括图2中的Key1+和Key1,Key1+为与该延时电路相连的待上电设备的正极输入端相连,Key1为与该延时电路相连的待上电设备的负极输入端相连)上电。延时电路1控制Key1的上电时间。

可选的,根据本申请上述实施例,延时电路还包括:

第二电阻,第二电阻连接于晶体管和电源的负极之间。

具体的,上述第二电阻用于为下一级延时电路中的电容充电。

仍在上述实施例中,再以第二个延时电路进行说明,第一个延时电路中的第二电阻R3用于为第二个延时电路中的电容C2充电,当电容C2充满电时,KeyN上电。在第二个延时电路后还可以继续接入多个延时电路,以为多个待上电设备上电。

可选的,根据本申请上述实施例,多个延时电路中的第一个延时电路的第一电阻的第二端连接于电源的正极,其他延时电路的第一电阻的第二端连接于上一级延时电路中晶体管的发射极。

具体的,第一个延时电路的电容需要电源为其充电,而其他延时电路中的电容需要上一级中的第二电阻两端的电压为其充电。

可选的,根据本申请上述实施例,装置还包括:开关,与电源的负极相连,用于控制延时电路与电源之间的通断。仍结合图2所示,上述开关用于将电源接入电路为待上电设备上电。

可选的,根据本申请上述实施例,延时电路的数量与待上电设备的数量相同。

可选的,根据本申请上述实施例,待上电设备的正极输入端与电源的正极相连,待上电设备的负极输入端与对应的延时电路中晶体管的集电极相连。

可选的,根据本申请上述实施例,电容的电容值与延时电路的延时时间呈正比例关系。

上述本实用新型实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。

在本实用新型的上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

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