本实用新型涉及电力电子技术领域，特别涉及一种直流交换电源电路板。
背景技术：
随着集成电路的发展，电路板上的器件越来越多，电路板的体积也越来越大，不同功能的电路可能需要采用不同的电路板单独集成，但电路板的利用率却没有显著提升，存在着浪费的情况。
现有技术中，参见图1所示，直流交换电源电路板中各个器件均在同一平面上，各自占有一块独立的电路板区域，使得电路板空间过大，其他电路元器件难以放置，走线过长，增加电路板印刷成本。
因此，如何提高直流交换电源电路板空间利用率，减少电路板的体积，降低电路板印刷成本，是当前需要解决的问题。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种直流交换电源电路板，以减少电路板的体积，提高电路板的利用率，降低电路板印刷成本。其具体方案如下：
一种直流交换电源电路板，包括依次相连的安装于电路板上的输入稳压电容、全控型器件、电感和输出稳压电容；其中，所述电感通过两个管脚与所述电路板连接，所述电路板与所述电感之间留有高于所述全控型器件的间隙，所述全控型器件安装于所述电路板与所述电感之间的间隙中，以减少所述全控型器件在所述电路板上占用的水平空间。
可选的，所述输入稳压电容与所述输出稳压电容紧邻所述电感安装与所述电路板上。
可选的，所述全控型器件和所述电感均采用贴片式安装方法安装在所述电路板上。
可选的，所述全控型器件安装于所述电感的正下方。
可选的，所述全控型器件为MOSFET。
可选的，还包括所述全控型器件和所述电感表面上设置有散热层。
本实用新型中，直流交换电源电路板，包括依次相连的安装于电路板上的输入稳压电容、全控型器件、电感和输出稳压电容；其中，电感通过两个管脚与电路板连接，电路板与电感之间留有高于全控型器件的间隙，全控型器件安装于电路板与电感之间的间隙中，以减少全控型器件在电路板上占用的水平空间；本实用新型将直流交换电源电路板中的全控型器件，安装于电路板与电感之间的间隙中，减少了全控型器件在电路板上占用的水平空间，提高了电路板的空间利用率，降低了印刷电路板的成本，便于走线，减少线路损耗。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的一种直流交换电源电路板俯视结构示意图；
图2为本实用新型实施例公开的一种直流交换电源电路板俯视结构示意图；
图3为本实用新型实施例公开的一种直流交换电源电路板侧视结构示意图；
图4为本实用新型实施例公开的一种直流交换电源电路板电路连接关系示意图；
其中，图1至图3中输入稳压电容-3，全控型器件-1，电感-2，输出稳压电容-4，电感的管脚-5，电路板-6。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例公开了一种直流交换电源电路板，参见图2、3和4所示，该电路板包括依次相连的安装于电路板6上的输入稳压电容3、全控型器件1、电感2和输出稳压电容4，构成直流电源交换电路；其中，电感2通过两个管脚5与电路板6连接，电路板6与电感2之间留有高于全控型器件1的间隙，全控型器件1安装于电路板6与电感2之间的间隙中，以减少全控型器件1在电路板6上占用的水平空间。
具体的，电感2通过管脚5与电路板6连接时，管脚5自身具有高度，导致电感2与电路板6之间留有与管脚5同高的间隙，间隙高于全控型器件1在电路板6上的高度，因此，全控型器件1可以安装与电路板6与电感2之间的间隙中，以减少全控型器件1在电路板6上占用的水平空间，提高了电路板6的空间利用率，降低了印刷电路板6的成本。
其中，输入稳压电容3、全控型器件1、电感2和输出稳压电容4依次连接构成直流交换电源电路，输出稳压电容4可以包括3个稳压电容。
可见，本实用新型将直流交换电源电路板6中的全控型器件1，安装于电路板6与电感2之间的间隙中，减少了全控型器件1在电路板6上占用的水平空间，提高了电路板6的空间利用率，降低了印刷电路板6的成本，便于走线，减少线路损耗。
可以理解的是，为更好的对电压进行滤波，输入稳压电容3与输出稳压电容4紧邻电感2安装与电路板6上，提高滤波效果，减少其他电路元件造成的干扰。
其中，全控型器件1和电感2可以均采用贴片式安装方法安装在电路板6上，输入稳压电容3、全控型器件1、电感2和输出稳压电容4任一器件可以采用贴片或穿孔任一连接方式与电路板6连接，根据实际应用需求进行选择，在此不做限定。
进一步的，电感2体积通常大于全控型器件1，全控型器件1可以安装于电感2的正下方，以使电感2完全覆盖全控型器件1，当然全控型器件1也可以在被电感2完全覆盖的情况下，安装于电感2下方任意一处可安装位置。
其中，全控型器件1可以为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)。
可以理解的是，将全控型器件1安装与电感2下方后，全控型器件1产生的热量不易散去，因此，在全控型器件1和电感2表面上设置有散热层，例如，在全控型器件1和电感2表面上涂有散热硅脂，以加快全控型器件1和电感2的散热，防止全控型器件1和电感2过热，对性能造成影响。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。