技术特征：
技术总结
一种示例性集成电路(IC)系统，包括具有安装在其上的可编程集成电路(IC)(101A)和配套IC(103A)的封装衬底(202)，其中可编程IC包括可编程结构(404)，配套IC包括应用电路(107A)。IC系统还包括封装内系统(SiP)桥(144)，其包括设置在可编程IC中的第一SiP IO电路(140A)，设置在配套IC中的第二SiP IO电路(142)以及封装衬底上电耦接第一SiP IO电路和第二SiP IO电路的导电互连(138)。IC系统还包括被耦接在可编程结构和第一SiP IO电路之间的可编程IC中的第一聚合电路和第一分散电路(110、112)。IC系统还包括被耦接在应用电路和第二SiP IO电路之间的配套IC中的第二聚合电路和第二分散电路(126、128)。
技术研发人员：A·S·卡维雅尼;P·迈德;I·波尔森斯;E·F·德林杰
受保护的技术使用者：赛灵思公司
技术研发日：2017.01.30
技术公布日：2018.12.21